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基于纳米钴/聚L-半胱氨酸的抗坏血酸电化学传感器的制备与研究 被引量：1
1
作者 黄宝美 郭俊春 +1 位作者 蒲黎 胡卿珍 《化学研究与应用》 CAS CSCD 北大核心 2022年第5期974-978,共5页
本文使用电化学沉积和电化学聚合的方法,将纳米钴(Nano-Co)和L-半胱氨酸(L-Cys)修饰于玻碳电极(GCE)表面,制备了一种简便、高效的抗坏血酸电化学传感器。采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法(CV)对修饰电极进行电化学表征。考察了抗坏... 本文使用电化学沉积和电化学聚合的方法,将纳米钴(Nano-Co)和L-半胱氨酸(L-Cys)修饰于玻碳电极(GCE)表面,制备了一种简便、高效的抗坏血酸电化学传感器。采用扫描电子显微镜(SEM)、循环伏安法(CV)对修饰电极进行电化学表征。考察了抗坏血酸在该传感器上的电化学行为,并对实验条件进行了优化。在最佳条件下,抗坏血酸在4.04×10^(-6)~5.03×10^(-4)mol·L^(-1)浓度范围内与峰电流值呈良好的线性关系(R^(2)=0.9953),检出限为1.13×10^(-6)mol·L^(-1),加标回收率在96.2%~101.5%之间。该方法可用于对抗坏血酸含量的测定,结果令人满意。 展开更多
关键词 钴纳米 l-半胱氨酸 抗坏血酸 电化学传感器
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