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退火气氛中痕量氧在反应形成Pt硅化物中的作用 被引量：2
1
作者 李映雪 武国英 +1 位作者 张国炳 王佑祥 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第8期615-619,共5页
利用X-射线衍射,XPS和AES技术深入地研究了退火气氛中氧对Pt硅化物薄膜的固相成分的影响,发现痕量氧引起硅和铂(Pt)的不完全反应.为了形成单相的PtSi膜,在退火过程中防止氧的沾污是非常重要的.
关键词 铂硅化物 退火 痕量氧
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采用俄歇电子能谱技术分析铂化硅的合金行为 被引量：1
2
作者 赵丽华 李锦标 +1 位作者 霍彩红 周明辉 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第5期73-76,共4页
采用俄歇能谱技术分析了铂层厚度,合金温度及表面染色对铂化硅形成的影响,并分析了王水对铂化硅的作用,给出了分析结果。
关键词 合金行为 铂化硅 俄歇电子能谱 铂层厚度 表面染色 合金温度 王水
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镍铂合金溅射靶材在半导体制造中的应用及发展趋势 被引量：12
3
作者 王一晴 郭俊梅 +4 位作者 管伟明 闻明 谭志龙 张俊敏 王传军 《贵金属》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期87-92,共6页
镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射,镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜,实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析,综述了镍铂合金结构与性质研究... 镍铂合金靶材广泛应用于半导体工业。通过磁控溅射,镍铂合金靶材在硅器件表面沉积并反应生成镍铂硅化物薄膜,实现半导体接触及互连。对镍铂硅化物在肖特基二极管制造和半导体集成电路中的应用进行了分析,综述了镍铂合金结构与性质研究成果及制备方法,提出了镍铂合金靶材高纯化、提高磁透率和控制晶粒度的发展趋势。 展开更多
关键词 金属材料 镍铂合金薄膜 镍铂硅化物 溅射靶材 半导体 发展趋势
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常规XRD对超薄PtSi/Si膜的表征技术的研究 被引量：2
4
作者 刘爽 刘俊刚 +2 位作者 杨家德 宁永功 陈艾 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1999年第4期285-288,共4页
由于超薄金属半导体薄膜在微电子领域具有广泛应用前景，因而对它的研究也越来越深入。针对超薄铂硅膜的超薄性和半导体基底给表征分析带来的困难，通过实验，用常规 Ｘ Ｒ Ｄ， Ｘ Ｐ Ｓ 研究了单晶硅基片上生长超薄铂硅膜表征技术，... 由于超薄金属半导体薄膜在微电子领域具有广泛应用前景，因而对它的研究也越来越深入。针对超薄铂硅膜的超薄性和半导体基底给表征分析带来的困难，通过实验，用常规 Ｘ Ｒ Ｄ， Ｘ Ｐ Ｓ 研究了单晶硅基片上生长超薄铂硅膜表征技术，测出厚度约为３ ｎｍ 的铂硅膜的物相成分为 Ｐｔ Ｓｉ， Ｐｔ２ Ｓｉ。 展开更多
关键词 X射线衍射 X射线光电子频谱 超薄铂硅膜 非谐振 谐波
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硅化铂红外焦平面探测器性能改进技术分析 被引量：1
5
作者 康冰心 蔡毅 +2 位作者 王岭雪 薛唯 高岳 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2014年第3期742-748,共7页
硅化铂红外焦平面探测器具有响应光谱宽、规模大、均匀性好、时间稳定性高、制造成本低等优点,在多/宽光谱成像、激光探测、天文观测、医疗检测等领域具有应用潜力,但NETD 100 mK的灵敏度对其广泛应用有一定的限制。文中从该探测器的量... 硅化铂红外焦平面探测器具有响应光谱宽、规模大、均匀性好、时间稳定性高、制造成本低等优点,在多/宽光谱成像、激光探测、天文观测、医疗检测等领域具有应用潜力,但NETD 100 mK的灵敏度对其广泛应用有一定的限制。文中从该探测器的量子效率和填充因子两方面总结和分析了国内外的改进技术,重点分析了光腔结构、多孔硅结构、重掺杂P+和合适硅化铂膜厚提高量子效率的机理,并定量比较了提升幅度:多孔硅结构提升幅度最大,在波长4μm处的量子效率可达27%;相比内线转移CCD,电荷扫描器件、曲流沟道CCD和混合读出结构均能改善填充因子,其中混合读出结构的填充因子可提高为80%。微透镜列阵能将填充因子提高到85%以上。 展开更多
关键词 硅化铂红外焦平面列阵 量子效率 填充因子 读出电路 微透镜列阵
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