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[MAl_5]^+ (M=Si,Ge,Sn,Pb)体系结构和稳定性的理论研究 被引量：2
1
作者 贺海鹏 崔中华 丁益宏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第4期772-776,共5页
利用B3LYP和CCSD(T)(单点)方法,研究了含Si,Ge,Sn,Pb的六原子体系[MAl5]+中各个异构体的结构及稳定性.研究结果表明,尽管与[CAl5]+一样也具有18个价电子,但[MAl5]+(M=Si,Ge,Sn,Pb)体系并不存在具有平面五配位结构的异构体,其能量的全局... 利用B3LYP和CCSD(T)(单点)方法,研究了含Si,Ge,Sn,Pb的六原子体系[MAl5]+中各个异构体的结构及稳定性.研究结果表明,尽管与[CAl5]+一样也具有18个价电子,但[MAl5]+(M=Si,Ge,Sn,Pb)体系并不存在具有平面五配位结构的异构体,其能量的全局极小点为具有Cs对称性的蝶形异构体Int1,这是由于中心原子M(Si,Ge,Sn,Pb)较大的体积显著破坏了[MAl5]+中平面五配位结构的稳定性所致. 展开更多
关键词 [MAl_5]^+ (M=Si Ge Sn Pd) 平面五配位 异构体 热力学稳定性
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平面四配位和五配位的B6S5团簇
2
作者 王艺桥 王聪 +3 位作者 刘兴满 张珉 耿允 赵亮 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期1625-1630,共6页
采用B3LYP/def2-TZVP优化和在耦合簇方法(CCSD)单点水平下,将B6S5^n(n=0,+1,+2)作为基础结构研究证实了S原子对于形成B平面多配位结构具有良好的作用.研究发现,B6S5^n(n=0,+1,+2)3种价态下最稳定和次稳定结构均为纯平面结构,仅在不同电... 采用B3LYP/def2-TZVP优化和在耦合簇方法(CCSD)单点水平下,将B6S5^n(n=0,+1,+2)作为基础结构研究证实了S原子对于形成B平面多配位结构具有良好的作用.研究发现,B6S5^n(n=0,+1,+2)3种价态下最稳定和次稳定结构均为纯平面结构,仅在不同电子数下两者的能量次序发生改变.中性的B6S5因满足18电子规则其最稳定结构具有D5h对称性,且中心B为平面五配位.在B6S5^+和B6S5^2+中,其17电子和16电子时的最稳定结构中的所有B均为平面四配位.18电子的B6S5更为稳定. 展开更多
关键词 B6S5^n(n=0 +1 +2) 平面四配位 平面五配位 芳香性 硫桥连
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包含平面四配位和五配位碳原子的特殊硼碳化合物(英文) 被引量：4
3
作者 梁锦霞 贾文红 +1 位作者 张聪杰 曹泽星 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1847-1852,共6页
采用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-311+G**水平上,研究了三类包含平面四配位碳原子(ptC)和平面五配位碳原子(ppC)的硼碳化合物.这三类新型化合物是由C3B2H4(包含ptC)、CB4H2(包含ptC)和CB5H2(包含ppC)三种稳定结构和—CHCH—单元连接起... 采用密度泛函理论(DFT),在B3LYP/6-311+G**水平上,研究了三类包含平面四配位碳原子(ptC)和平面五配位碳原子(ppC)的硼碳化合物.这三类新型化合物是由C3B2H4(包含ptC)、CB4H2(包含ptC)和CB5H2(包含ppC)三种稳定结构和—CHCH—单元连接起来而得到的.在理论上探讨了这些新型的硼碳化合物的成键特征,光谱性质以及芳香性.研究结果表明:包含ptC和ppC原子的能量最低的结构,在不受对称面限制的条件下,具有C2v对称性的顺式立体构型比具有反式平面构型的化合物稳定.计算的核独立化学位移(NICS)显示,这些新型化合物的三元环中心有强的芳香性.计算最稳定硼碳化合物的ptC和ppC原子的Wiberg键指数(WBIs)表明ptC和ppC的成键遵循八隅规则. 展开更多
关键词 密度泛函理论 平面四配位碳 平面五配位碳 芳香性
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包含平面五配位和平面四配位碳化合物的结构和稳定性 被引量：4
4
作者 吴林峰 李飞飞 张聪杰 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2012年第5期1113-1119,共7页
在B3LYP/6-311+G**水平上,研究了包含平面五配位碳(ppC)和平面四配位碳(ptC)的化合物CB5C2H2(C3B2)nC2H2CB5(n=1-5)的结构、能隙、IR光谱、电子光谱、Wiberg键指数以及芳香性.计算结果表明,这五种化合物的能量最低结构均位于势能面的极... 在B3LYP/6-311+G**水平上,研究了包含平面五配位碳(ppC)和平面四配位碳(ptC)的化合物CB5C2H2(C3B2)nC2H2CB5(n=1-5)的结构、能隙、IR光谱、电子光谱、Wiberg键指数以及芳香性.计算结果表明,这五种化合物的能量最低结构均位于势能面的极小值点,HOMO-LUMO能隙在0.5到1.2eV之间,第一电子的激发能在1780到2910nm之间,且与分子尺寸呈现非单调变化趋势.Wiberg键指数和键长表明这五种化合物的能量最低结构均包含平面五配位和平面四配位碳.C3B2单元和右侧CB5单元中三元环中心的核独立化学位移(NICS(0))值均为负值,而左侧CB5单元中的三元环中心的NICS(0)值中两个为正值,另两个为负值,NICS(1)值与NICS(0)值也一致,因此电子的局域离域对结构的稳定是很重要的. 展开更多
关键词 密度泛函理论 平面五配位碳原子 平面四配位碳原子 芳香性
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平面五配位硅、锗XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇
5
作者 郭谨昌 刘芳林 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期133-142,共10页
采用密度泛函理论PBE0方法,在aug-cc-pVTZ水平上理论预测了含平面五配位硅和锗原子的XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇.势能面系统搜索及高精度量化计算表明,它们均为全局极小结构.XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇整体呈完美的扇形结构:Si/Ge原子被... 采用密度泛函理论PBE0方法,在aug-cc-pVTZ水平上理论预测了含平面五配位硅和锗原子的XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇.势能面系统搜索及高精度量化计算表明,它们均为全局极小结构.XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇整体呈完美的扇形结构:Si/Ge原子被5个金属Be原子配位;4个H原子以桥基方式与Be原子相键连,剩余的2个H原子以端基方式与两端的Be原子成键.化学键分析表明,XBe_(5)H_(6)(X=Si,Ge)团簇中XBe_(5)单元具有完全离域的1个π及3个σ键,外围铍氢间形成4个Be—H—Be三中心二电子(3c-2e)键及2个定域的Be—H键.XBe_(5)单元上离域的2π及6σ电子赋予体系π和σ双重芳香性,并使Si/Ge原子满足八隅律(或八电子规则).能量分解化学价自然轨道分析揭示,Si/Ge和Be_(5)H_(6)之间主要为电子共享键. 展开更多
关键词 平面五配位硅 全局极小结构 化学键 π/σ双重芳香性 八电子规则
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