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关于圆柱边界突变结的击穿电压 被引量：1
1
作者 陈星弼 李肇基 李忠民 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期463-466,共4页
求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解.它由若干项拉普拉斯方程的解和一项泊松方程的解组成.此解不象通常的圆柱对称解:在圆柱与平面的交界部分不存在不匹配.计算了击穿电压,其值略高于过去常用平面结击穿电压值,且用... 求出了平面工艺所得圆柱边界的突变结的电位分布的解析解.它由若干项拉普拉斯方程的解和一项泊松方程的解组成.此解不象通常的圆柱对称解:在圆柱与平面的交界部分不存在不匹配.计算了击穿电压,其值略高于过去常用平面结击穿电压值,且用一个简单表示式表示. 展开更多
关键词 平面结 击穿电压 电场分布
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