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题名腐蚀法制备工艺对SiC量子点光学性质的影响
被引量：3
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作者
康杰
宋月鹏
丁紫阳
孙为云
李连荣
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机构
郑州职业技术学院材料工程系
山东农业大学机械与电子工程学院
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出处
《化学通报》
CAS
CSCD
北大核心
2021年第1期69-74,95,共7页
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基金
山东省科技发展计划项目(2014GGX102012)
山东省现代农业产业技术体系果品产业创新团队项目(SDAIT-06-12)资助。
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文摘
通过可控的化学腐蚀法制备碳化硅量子点,以氢氟酸和硝酸的混合液为腐蚀剂腐蚀自蔓延燃烧合成的原始碳化硅粉体,而后经超声空化作用及高速离心层析裁剪获得水相的碳化硅量子点,研究了制备工艺参数对量子点光致发光强度、发射波长等光谱特性及粒子尺寸的影响,结果表明,腐蚀剂组分及其配比是影响量子点光致发光强度的主要因素,而超声振动时间和层析裁剪的离心超重力系数在一定程度上对光致发光强度有影响,二者对光学性能的影响主要体现在特征发射波长的移动、半峰宽、量子点尺寸大小及其粒径分布的均匀性。此外,在腐蚀剂组分调整的过程中发现,以适量的分析纯硫酸替代原腐蚀剂中的部分硝酸,则不仅会引起量子点光致发光强度的变化,而且表面还会偶合上除羧基、羟基外的新官能团巯基。
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关键词
碳化硅量子点
光学性质
微观形貌
光致发光强度
发射光谱
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Keywords
Silicon carbide quantum dots(QDs)
Optical properties
Micromorphology
photoluminescence intensity(pl)
Emission spectrum
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分类号
TB383.1
[一般工业技术—材料科学与工程]
TN304.24
[电子电信—物理电子学]
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