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阴极修饰对染料敏化TiO_2太阳能电池性能的改进 被引量:23
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作者 范乐庆 吴季怀 +1 位作者 黄昀昉 林建明 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2003年第5期1-3,共3页
通过对染料敏化TiO2纳米晶太阳能电池中阴极进行修饰来提高电池的光电性能。结果表明:在阴极表面镀上具有催化性能的白金、镍或石墨均可提高电池的光电转化效率(IPCE)、短路电流、开路电压和填充因子等性能。其中白金修饰阴极后,电池的... 通过对染料敏化TiO2纳米晶太阳能电池中阴极进行修饰来提高电池的光电性能。结果表明:在阴极表面镀上具有催化性能的白金、镍或石墨均可提高电池的光电转化效率(IPCE)、短路电流、开路电压和填充因子等性能。其中白金修饰阴极后,电池的性能较好,IPCE从7.59%升至48.32%,短路电流从0.91 mA升至7.23 mA,开路电压从478 mV升至571 mV以及填充因子从0.09升至0.47。并给出用UV—3100型紫外可见分光光度计测定染料RuL2(SCN)2溶液的吸收光谱。 展开更多
关键词 TIO2 阴极修饰 纳米晶 太阳能电池 光电性能 染料敏化
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染料敏化太阳能电池的二氧化钛膜性能研究 被引量:18
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作者 范乐庆 吴季怀 +1 位作者 黄昀昉 林建明 《感光科学与光化学》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期231-237,共7页
以二氧化钛(TiO2)纳米粉(P25)为原料,把它研磨成胶状,用涂敷法制得TiO2纳米多孔膜,并组装成太阳能电池,用100W氙灯作为模拟太阳光,对电池进行光电性能测试.根据电池的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)和填充因子(ff)等指标来反映电池的性能... 以二氧化钛(TiO2)纳米粉(P25)为原料,把它研磨成胶状,用涂敷法制得TiO2纳米多孔膜,并组装成太阳能电池,用100W氙灯作为模拟太阳光,对电池进行光电性能测试.根据电池的短路电流(Isc)、开路电压(Voc)和填充因子(ff)等指标来反映电池的性能.研究表明,分散剂乙酰丙酮、OP乳化剂、研磨时间和热处理后的保温时间长短对TiO2膜的性能均有很大的影响.其结果是,乙酰丙酮0.15mL、OP乳化剂0.10mL、研磨时间1h和保温时间0.5h时,TiO2膜的光电性能较好,Isc、Voc和ff分别为8.85mA、567mV和0.445.并用XRD和比表面及孔隙分析仪对TiO2膜进行了表征. 展开更多
关键词 二氧化钛膜 纳米粒子 太阳能电池 光电性能
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Te掺杂单层MoS_2的电子结构与光电性质 被引量:19
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作者 张昌华 余志强 廖红华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期785-790,共6页
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS2属于直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.64 eV。本征单层MoS2的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,... 采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,研究了Te掺杂对单层MoS2能带结构、电子态密度和光电性质的影响。结果表明,本征单层MoS2属于直接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.64 eV。本征单层MoS2的价带顶主要由S-3p态电子和Mo-4d态电子构成,而其导带底则主要由Mo-4d态电子和S-3p态电子共同决定;Te掺杂单层MoS2为间接带隙半导体材料,其禁带宽度为1.47 eV。同时通过Te掺杂,使单层MoS2的静态介电常数增大,禁带宽度变窄,吸收光谱产生红移,研究结果为单层MoS2在光电器件方面的应用提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 单层MoS2 电子结构 光电性质
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革命性的新材料——黑硅 被引量:15
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作者 姜晶 吴志明 +3 位作者 王涛 郭正宇 于贺 蒋亚东 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第7期122-126,137,共6页
黑硅是一种新型的硅材料,具有优异的光电性质。概括了Eric Mazur以及其他研究者近年来关于黑硅的研究工作,详细介绍了黑硅的制备与产生机理以及黑硅的吸收、发光、场发射与光谱响应等性质,并指出了黑硅在红外探测器、太阳能电池以及平... 黑硅是一种新型的硅材料,具有优异的光电性质。概括了Eric Mazur以及其他研究者近年来关于黑硅的研究工作,详细介绍了黑硅的制备与产生机理以及黑硅的吸收、发光、场发射与光谱响应等性质,并指出了黑硅在红外探测器、太阳能电池以及平板显示器等领域的重要潜在应用价值。 展开更多
关键词 黑硅 飞秒激光器 微构造 光电性质
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热处理对P3HT与PCBM共混体系光电性能的影响 被引量:15
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作者 於黄忠 彭俊彪 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2008年第5期905-908,共4页
从紫外-可见光谱(UV-Vis)、光致发光谱(PL)、X射线衍射(XRD)图及太阳电池性能等方面,分析了热处理对聚噻吩P3HT(poly(3-hexylthiophene))与C60的衍生物PCBM([6,6]-phenylC61-butyricacidmethylester)共混体系光电性能的影响.紫外可见光... 从紫外-可见光谱(UV-Vis)、光致发光谱(PL)、X射线衍射(XRD)图及太阳电池性能等方面,分析了热处理对聚噻吩P3HT(poly(3-hexylthiophene))与C60的衍生物PCBM([6,6]-phenylC61-butyricacidmethylester)共混体系光电性能的影响.紫外可见光谱表明,热处理使P3HT∶PCBM共混体系所成膜的吸收峰增强并红移.光致发光谱及X-射线衍射图表明,热处理使其光谱峰及衍射峰增强.以P3HT为电子给体材料,PCBM为电子受体材料,制成了共混体系太阳电池.热处理使得器件性能大幅度提高.其热处理光电池在100mW·cm-2强度光照下,开路电压Voc为0.55V,短路电流密度Jsc为9.87mA·cm-2,填充因子FF为60.1%,能量转换效率η为3.26%. 展开更多
关键词 热处理 聚合物 光电性能 共混体系
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ZnO薄膜的制备方法、性质和应用 被引量:9
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作者 王光伟 张建民 +1 位作者 郑宏兴 杨斐 《真空》 CAS 北大核心 2008年第5期54-61,共8页
介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容。ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法。前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等。从晶体结构、... 介绍了宽禁带半导体ZnO薄膜的制备工艺、主要性质和器件应用等几方面内容。ZnO薄膜的制备方法大致分为物理法和化学法。前者主要包括溅射、脉冲激光沉积和分子束外延等;后者则涵盖化学气相沉积、喷雾热解和溶胶-凝胶法等。从晶体结构、光学及电学等角度概述了ZnO薄膜的主要性质。与这些性质相联系的器件应用有太阳能电池、发光器件和紫外探测器等。对器件应用领域中存在的一些问题及其解决思路作了探讨。 展开更多
关键词 ZNO薄膜 制备工艺 光电特性 光电器件
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低温ITO膜的制备及光电性能 被引量:11
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作者 邓建芳 李军建 杨健君 《现代显示》 2005年第12期44-47,共4页
论述了直流磁控溅射法低温ITO透明导电薄膜的过程中,衬底温度、溅射功率、溅射压强、水蒸气分压对ITO薄膜的光电性能的影响。在通入分压为3×10-5Torr的水蒸气、衬底温度50℃、低功率100W的条件下制备出了光电性能优良的ITO透明导电... 论述了直流磁控溅射法低温ITO透明导电薄膜的过程中,衬底温度、溅射功率、溅射压强、水蒸气分压对ITO薄膜的光电性能的影响。在通入分压为3×10-5Torr的水蒸气、衬底温度50℃、低功率100W的条件下制备出了光电性能优良的ITO透明导电膜,其方阻为27.5Ω/□,在可见光区平均透过率高于为83%。 展开更多
关键词 低温ITO 直流磁控溅射 光电性能
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齐聚苯撑乙烯-二氧化硅复合膜的制备及其光电性质研究 被引量:11
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作者 汤钧 曹亚安 +3 位作者 王莹 谢腾峰 王德军 杨柏 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期698-699,共2页
The oligo phenylene vinylene(oligo PV)/SiO 2 composite film was prepared by the sol gel process. The surface photovoltage spectroscopy(SPS) and electric field induced surface photovoltage spectroscopy(EFISPS) had been... The oligo phenylene vinylene(oligo PV)/SiO 2 composite film was prepared by the sol gel process. The surface photovoltage spectroscopy(SPS) and electric field induced surface photovoltage spectroscopy(EFISPS) had been used to investigate the charge transport process in olige PV/SiO 2 heterostructured composite. The results show that the oligo PV / SiO 2 composite film not only can improve the stability of oligo PV, but also have some photoelectric activity. 展开更多
关键词 齐聚苯撑乙烯-二氧化硅复合膜 光电性质 溶胶-凝胶法 制备 光电器件 聚合物材料
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SnO_2:Sb透明导电薄膜的制备及光电性能 被引量:11
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作者 王贺 魏长平 +3 位作者 彭春佳 程果 蔡永秀 李丛昱 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第7期945-950,共6页
采用溶胶–凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2(SnO2:Sb)透明导电薄膜。研究了Sb掺杂量、镀膜次数、热处理温度对SnO2:Sb薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪、Fourier变换红外光谱仪、扫描电子显微镜、四探针电阻仪、分光光度... 采用溶胶–凝胶法在玻璃基底上制备了Sb掺杂SnO2(SnO2:Sb)透明导电薄膜。研究了Sb掺杂量、镀膜次数、热处理温度对SnO2:Sb薄膜结构和光电性能的影响,利用X射线衍射仪、Fourier变换红外光谱仪、扫描电子显微镜、四探针电阻仪、分光光度计对薄膜样品进行表征。结果表明:SnO2:Sb薄膜为四方相金红石结构;薄膜结构平整、致密,膜厚与镀膜次数基本成线性关系;在Sb掺杂量为10%,镀膜8次的条件下,薄膜具有最佳的光电性能,方块电阻达105/□;在玻璃上镀SnO2:Sb薄膜后,近红外波段透过率下降显著,由90%降到5.5%,在可见光波段略有降低,仍保持了较高透过率。 展开更多
关键词 溶胶–凝胶 锑掺杂 薄膜 光电性能
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本征缺陷对锐钛矿TiO_(2)光电特性影响的第一性原理研究 被引量:10
10
作者 闫宇星 汪帆 +3 位作者 夏文智 郑帅 熊琳强 肖政伟 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第2期195-205,共11页
采用基于密度泛函理论的赝势平面波第一性原理方法,理论研究等浓度不同类型本征缺陷对锐钛矿TiO_(2)材料的光电特性的影响。通过对各体系材料键结构和态密度的计算,并结合带间电子跃迁,分析了材料的介电函数、折射率、反射率以及吸收系... 采用基于密度泛函理论的赝势平面波第一性原理方法,理论研究等浓度不同类型本征缺陷对锐钛矿TiO_(2)材料的光电特性的影响。通过对各体系材料键结构和态密度的计算,并结合带间电子跃迁,分析了材料的介电函数、折射率、反射率以及吸收系数。计算结果表明:(1)体系中存在点缺陷会引起不同程度的晶格畸变,畸变程度与结构中Ti-O键键长以及O,Ti原子核对外层电子的约束能力强弱相关联;(2)各体系态密度组成相似,价带由O-2p轨道,导带由Ti-3d轨道贡献,氧间隙原子体系中间隙氧原子2p轨道会在体系中形成杂质能级,有利于载流子的迁移,能够提升光催化反应效率;(3)在可见光范围内,含有钛间隙原子体系与氧空位体系电化学活性较强,形成原因与氧原子、钛原子电负性强弱有关(χ_(O)>χ_(Ti))。这一研究对于改良锐钛矿TiO_(2)光催化性具有一定的理论指导作用。 展开更多
关键词 锐钛矿TiO_(2) 本征缺陷 光电特性 第一性原理
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Seeger方程及其位错对超晶格光电性质的影响 被引量:10
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作者 牛银菊 朱策 +1 位作者 邵明珠 罗诗裕 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 2013年第4期612-615,共4页
周期介质的特殊性质引起了人们的广泛兴趣,为人们寻找新材料和新光源开辟了全新领域。周期介质的交变应力场决定了超晶格的光电性能。在经典力学框架内,利用广义三角函数的Bessel展开和多尺度法导出了系统的一级近似解;并对强场和弱场... 周期介质的特殊性质引起了人们的广泛兴趣,为人们寻找新材料和新光源开辟了全新领域。周期介质的交变应力场决定了超晶格的光电性能。在经典力学框架内,利用广义三角函数的Bessel展开和多尺度法导出了系统的一级近似解;并对强场和弱场情况进行了分析。结果表明,当位错能量大于周期势垒,或位错振幅大于超晶格层厚时,位错可在滑移面内运动实现能量转移与释放,有利于改善超晶格材料的光电性质。 展开更多
关键词 周期介质 超晶格 位错 光电性质
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二氧化钛超微粒薄膜的制备及其光电性能研究 被引量:6
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作者 谭小春 黄颂羽 +1 位作者 周梅芳 王美俊 《功能材料与器件学报》 EI CAS CSCD 1998年第1期34-40,共7页
用钛酸四丁酯制备二氧化钛胶体,利用旋涂法形成透明的二氧化钛薄膜,并研究了影响成膜的因素。结果表明表面活性剂能够改善膜的均匀度和增大薄膜的表面粗糙度。光电性能测试发现薄膜厚度、薄膜表面粗糙度、烧结温度以及烧结时间等是影... 用钛酸四丁酯制备二氧化钛胶体,利用旋涂法形成透明的二氧化钛薄膜,并研究了影响成膜的因素。结果表明表面活性剂能够改善膜的均匀度和增大薄膜的表面粗糙度。光电性能测试发现薄膜厚度、薄膜表面粗糙度、烧结温度以及烧结时间等是影响二氧化钛薄膜光电性能的重要因素。利用份菁作敏化剂,敏化后二氧化钛薄膜的光电性能得到很大的改善。 展开更多
关键词 二氧化钛 旋涂法 光电性能 敏化 薄膜
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香豆素型染料敏化剂的合成及光电性能研究 被引量:10
13
作者 韩亮 周雪 +2 位作者 叶青 李郁锦 高建荣 《有机化学》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2013年第5期1000-1004,共5页
选择带有供电子基团的香豆素作为给体,噻吩基作为桥键,氰乙酸为受体,合成了两种新的具有"D-π-A"结构的香豆素型染料敏化剂,对其光谱性能、电化学性能以及光电转换性能进行了测试.结果表明,两者分子轨道能级与TiO2电极的导带... 选择带有供电子基团的香豆素作为给体,噻吩基作为桥键,氰乙酸为受体,合成了两种新的具有"D-π-A"结构的香豆素型染料敏化剂,对其光谱性能、电化学性能以及光电转换性能进行了测试.结果表明,两者分子轨道能级与TiO2电极的导带以及电解质I2/I-的氧化还原电位相匹配,保证了电池电流循环的顺利产生.与甲氧基取代的染料敏化剂2-氰基-3-[5-(7-甲氧基-2-羰基-2H-苯并吡喃-3-基)噻吩-2-基]丙烯酸(IIIb)相比,香豆素环7位上二乙氨基取代的染料敏化剂2-氰基-3-[5-(7-二乙胺基-2-羰基-2H-苯并吡喃-3-基)噻吩-2-基]丙烯酸(IIIa)分子内电荷转移吸收较强,紫外吸收光谱红移.IIIa组装得到的染料敏化太阳能电池暗电流降低,具有较高的单色光转化效率IPCE(incident photo-to-currentconversion efficient)和短路电流Jsc,从而具有较高的光电转换效率(Jsc=8.68 mA/cm2,Voc=574 mV,η=3.52%). 展开更多
关键词 香豆素 合成 染料敏化剂 光电性能
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电致变色WO_3薄膜的结构与光电性能研究 被引量:4
14
作者 王其和 黄庆兵 《南京大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1997年第4期518-526,共9页
对电致变色WO3薄膜的结构与光电性能进行了研究.首先从WO3薄膜的微观结构、电子能态出发,分析了电化学反应导致WO3薄膜光吸收并着色的机理;其次介绍了WO3薄膜的制作方法和过程.采用真空电子枪将热压块状WO3(纯度9... 对电致变色WO3薄膜的结构与光电性能进行了研究.首先从WO3薄膜的微观结构、电子能态出发,分析了电化学反应导致WO3薄膜光吸收并着色的机理;其次介绍了WO3薄膜的制作方法和过程.采用真空电子枪将热压块状WO3(纯度99.9%)蒸镀在普通玻璃衬底上,然后用多种物理手段测试了WO3薄膜的性能与工艺参数的关系,如XRD、XPS.选择适当的工艺参数可使得膜层的特性达到最佳. 展开更多
关键词 电致变色 薄膜 光电特性 三氧化钨
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掺铝氧化锌ZAO(ZnO∶Al)薄膜研究 被引量:6
15
作者 李村 权传斌 +2 位作者 徐洪耀 何金花 张现利 《安徽大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2007年第5期82-86,共5页
描述ZAO(ZnO∶Al)薄膜的晶体结构,论述ZAO薄膜的光学、电学性质与其结构的关系,介绍了掺铝氧化锌ZAO薄膜的各种制备方法,并总结了ZAO薄膜在各种领域中的应用.提出了薄膜材料研究的关键问题以及今后的发展方向.
关键词 掺铝氧化锌 制备 光电性能 应用
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射频溅射功率对ZnO透明导电薄膜光电性能的影响 被引量:8
16
作者 陈肖静 王永谦 +2 位作者 朱拓 李果华 张光春 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期354-357,共4页
采用磁控溅射技术在不同溅射功率下制备了ZnO薄膜。研究了薄膜的沉积速率、光电特性以及不同功率条件下制备的ZnO薄膜对HIT电池开路电压的影响。结果表明:在溅射功率为200W时制备的薄膜,具有良好的导电性和光透过性;将其应用到HIT电池中... 采用磁控溅射技术在不同溅射功率下制备了ZnO薄膜。研究了薄膜的沉积速率、光电特性以及不同功率条件下制备的ZnO薄膜对HIT电池开路电压的影响。结果表明:在溅射功率为200W时制备的薄膜,具有良好的导电性和光透过性;将其应用到HIT电池中,得到的开路电压最高。该研究对提高HIT电池性能具有一定的参考意义。 展开更多
关键词 磁控溅射 ZNO薄膜 沉积速率 光电特性 HIT太阳电池
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磁控溅射制备ITO薄膜光电性能的研究 被引量:9
17
作者 马卫红 蔡长龙 《真空》 CAS 北大核心 2011年第6期18-20,共3页
采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜。分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明,制备ITO... 采用直流磁控溅射方法在玻璃基底上制备了ITO薄膜。分别用分光光度计和四探针仪测试了所制备ITO薄膜在可见光区域内的透过率和电阻率,研究了溅射气压、氧氩流量比和溅射功率三个工艺参数对ITO薄膜光电性能的影响。研究结果表明,制备ITO薄膜的最佳工艺参数为:溅射气压0.6 Pa,氧氩流量比1:40,溅射功率108 W。采用此工艺参数制备的ITO薄膜在可见光区平均透过率为81.18%,薄膜电阻率为8.9197×10-3Ω.cm。 展开更多
关键词 直流磁控溅射 ITO薄膜 工艺参数 光电特性
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ZnO/TiO_2纳米管晶膜电极的制备及光电性能 被引量:8
18
作者 赵丽 范佳杰 +2 位作者 李静 戴国田 王世敏 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第6期585-590,共6页
采用水热法制备了ZnO纳米棒,以ZnO纳米棒为原料制备出ZnO/TiO2纳米管晶膜电极并应用于染料敏化太阳能电池.用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDX)和N2吸脱附分析等研究了样品的结构、表面形貌和化学组成,并通过紫... 采用水热法制备了ZnO纳米棒,以ZnO纳米棒为原料制备出ZnO/TiO2纳米管晶膜电极并应用于染料敏化太阳能电池.用扫描电镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、X射线能谱仪(EDX)和N2吸脱附分析等研究了样品的结构、表面形貌和化学组成,并通过紫外可见光度计和电化学工作站探讨了煅烧温度在80~600℃范围内ZnO/TiO2纳米管电极的光电化学性能.此外,研究经TiCl4化学处理的ZnO/TiO2纳米管电极光电性能的改善情况.结果表明,600℃煅烧的ZnO/TiO2纳米管电极制备的染料敏化太阳能电池表现出较优的光电性能,其短路电流密度(Jsc)为2.28 mA/cm2,开路电压(Voc)为0.631 V,光电转换效率η为0.66%.600℃煅烧的ZnO/TiO2纳米管经TiCl4处理后的染料敏化太阳能电池的光电性能得到显著改善,其光电转换效率η提高到1.06%. 展开更多
关键词 ZnO/TiO2纳米管电极 煅烧温度 光电性能 TICL4 热处理
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透明导电AZO/Cu双层薄膜制备及其性能 被引量:7
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作者 叶春丽 王钰萍 吕建国 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期757-760,765,共5页
采用直流磁控溅射方法在玻璃衬底上室温生长了AZO/Cu双层薄膜,Cu层厚度控制在9nm,研究了AZO层厚度对薄膜电学和光学性能的影响。当AZO层厚度为20~80nm时,AZO/Cu双层薄膜具有良好的综合光电性能,方块电阻为12~14Ω/sq,可见光平均透过率... 采用直流磁控溅射方法在玻璃衬底上室温生长了AZO/Cu双层薄膜,Cu层厚度控制在9nm,研究了AZO层厚度对薄膜电学和光学性能的影响。当AZO层厚度为20~80nm时,AZO/Cu双层薄膜具有良好的综合光电性能,方块电阻为12~14Ω/sq,可见光平均透过率为70~75%,品质因子为2×10-3~5×10-3Ω-1。AZO/Cu双层薄膜可以观察到Cu(111)和ZnO(002)的XRD衍射峰。通过退火研究表明,AZO/Cu双层薄膜的光电性能可在400℃下保持稳定,具有良好的热稳定性。本研究制备的透明导电AZO/Cu双层薄膜具有室温制程、综合光电性能良好、结晶性能较好、稳定性高的优点,可以广泛应用于光电器件透明电极及镀膜玻璃等领域。 展开更多
关键词 AZO 双层薄膜 光电性能 室温生长
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锡酸钡/钙钛矿的界面修饰对钙钛矿太阳能电池性能的影响 被引量:3
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作者 邵梦婷 林萍 崔灿 《浙江理工大学学报(自然科学版)》 2023年第1期50-58,共9页
三元金属氧化物锡酸钡(BaSnO_(3))是一种高性能的电子传输层,改善电子传输层与钙钛矿吸收层之间的界面是提高电池性能的有效方法。通过旋涂法,制备镧掺杂的锡酸钡(LBSO)电子传输层,并在上层旋涂一层[6,6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(Phenyl C... 三元金属氧化物锡酸钡(BaSnO_(3))是一种高性能的电子传输层,改善电子传输层与钙钛矿吸收层之间的界面是提高电池性能的有效方法。通过旋涂法,制备镧掺杂的锡酸钡(LBSO)电子传输层,并在上层旋涂一层[6,6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯(Phenyl C_(61) butyric acid methyl ester, PCBM),修饰电子传输层与钙钛矿吸收层间的界面,分析PCBM层对太阳能电池器件性能的影响。结果表明:PCBM修饰界面能够改善电子传输层的表面形貌,使钙钛矿的晶粒尺寸增大,缺陷态密度减少,抑制界面的非辐射复合;PCBM的修饰能够使电子传输层与钙钛矿层的能级更加匹配,从而提高了载流子的传输效率,使器件开路电压明显提高;PCBM修饰后的器件开路电压从1.07 V提高到1.10 V,获得了17.81%的光电转换效率,且经过16 d后,电池仍能保持初始效率的89.28%。 展开更多
关键词 [6 6]-苯基-C_(61)-丁酸甲酯 界面修饰 BaSnO_(3) 钙钛矿太阳能电池 光电性能
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