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TiO_(2)提高富碳氮化碳的光生电荷存储性能 被引量：1
1
作者 王锡慧 唐笑 +8 位作者 刘婷婷 李艳虹 荆川 凌发令 刘俊 周贤菊 姚璐 周衡 张家忠 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2023年第6期152-162,共11页
氮化碳材料固有的导电性差、电子迁移率低等问题导致高光生电荷复合率,阻碍了其光生电荷存储性能的提高.为此,构建了TiO_(2)富碳氮化碳共轭聚合物(CPCN)界面异质结,以提高光生电荷分离率.采用具有高比表面积(220.03 m^(2)/g)的TiO_(2)... 氮化碳材料固有的导电性差、电子迁移率低等问题导致高光生电荷复合率,阻碍了其光生电荷存储性能的提高.为此,构建了TiO_(2)富碳氮化碳共轭聚合物(CPCN)界面异质结,以提高光生电荷分离率.采用具有高比表面积(220.03 m^(2)/g)的TiO_(2)纳米晶介孔薄膜作为电子传输物质,通过增大TiO_(2)与CPCN之间的界面面积提高了电极反应活性,促进了光生空穴的高效抽取,获得了197 C/g的光生电荷存储容量. 展开更多
关键词 富碳氮化碳 二氧化钛 太阳能电池 可光充电电极 聚合物半导体
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