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相移掩模对曝光图形空间像光强分布影响的计算机模拟 被引量:5
1
作者 沈锋 冯伯儒 孙国良 《微细加工技术》 1995年第1期7-14,共8页
本文讨论了提高曝光分辨率的一种主要方法:相移掩模方法。分析了相移掩模提高分辨率的原理,提出了相移掩模成像的模拟思想,推导了数学公式,并实现了计算机模拟,给出了一些初步结果。
关键词 相移掩模 光刻 计算机模拟 VLSI 集成电路
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深亚微米光学光刻工艺技术 被引量:2
2
作者 谢常青 《电子工业专用设备》 2000年第3期8-12,共5页
光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相... 光学光刻的生命力仍然在不断延续 ,即使在 0 13 μm及 0 13 μm以下集成电路制造水平上 ,光学光刻仍然是一个非常重要的候选者。深亚微米光学光刻工艺技术目前面临着越来越严重的挑战。对深亚微米光学光刻中的一些关键工艺技术如移相光刻、光学邻近效应校正、远紫外光刻胶、套刻对准误差等进行了论述。 展开更多
关键词 移相掩模 光学邻近效应 远紫外光刻胶 对准
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下一代光学掩模制造技术 被引量:3
3
作者 谢常青 《微电子技术》 2000年第6期1-4,共4页
尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0.13μm及0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模... 尽管其它光刻技术在不断快速发展,然而在0.13μm及0.13μm以下集成电路制造水平上,光学光刻仍然具有强大的生命力。随着光学光刻极限分辨率的不断提高,当代光学掩模制造技术面临着越来越严重的挑战。本文对下一代光学掩模工艺技术的技术指标和面临的技术困难进行了论述,并对其中一些关键的技术解决方案进行了简要分析。 展开更多
关键词 光学光刻 光学邻近效应 移相掩模 光学掩模 制造技术
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用于T形栅光刻的新型移相掩模技术 被引量:2
4
作者 韩安云 王育中 +5 位作者 王维军 张 倩 田振文 樊照田 陈宝钦 崔 铮 《微纳电子技术》 CAS 2002年第5期37-40,共4页
根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术——M-PEL。初步实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌。
关键词 光学光刻 移相掩模 T形栅 M-PEL
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交替型暗域相移掩模的并行算法
5
作者 闫大顺 周强 +1 位作者 蔡懿慈 洪先龙 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第5期667-670,共4页
设计并实现了一种暗域相移掩模(PSM)问题的并行算法。首先根据"分而治之"的原则,将输入版图划分为若干尺寸较小的、易于解决的子版图;然后分配每个子版图给不同的进程,各个进程同时独立地消除子版图的相位冲突;最后将所有的... 设计并实现了一种暗域相移掩模(PSM)问题的并行算法。首先根据"分而治之"的原则,将输入版图划分为若干尺寸较小的、易于解决的子版图;然后分配每个子版图给不同的进程,各个进程同时独立地消除子版图的相位冲突;最后将所有的子版图重新组合,生成没有相位冲突的相移掩模版图。实验结果表明,采用4进程的并行PSM算法,可以减少近64.3%的计算时间,获得2.8的加速比。算法还可以有效地减少冲突图中冲突的数目和边的数目。 展开更多
关键词 相移掩模 交替型相移掩模 并行算法 暗域
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Adaptive Layout Partitioning for Dark Field Alternating Phase-Shift Mask Design 被引量:1
6
作者 王迪 吴为民 洪先龙 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第7期766-770,共5页
A new partitioning methodology is presented to accelerate 130nm and beyond large scale alternating phase shift mask(Alt PSM) design flow.This method deals with granularity self adaptively.Phas... A new partitioning methodology is presented to accelerate 130nm and beyond large scale alternating phase shift mask(Alt PSM) design flow.This method deals with granularity self adaptively.Phase conflicts resolution approaches are described and strategies guaranteeing phase compatible during layout compaction are also discussed.An efficient CAD prototype for dark field Alt PSM based on these algorithms is implemented.The experimental results on several industry layouts show that the tool can successfully cope with the rapid growth of phase conflicts with good quality and satisfy lower resource consumption with different requirements of precision and speedup. 展开更多
关键词 IC CAD phase-shift mask PARTITION phase conflict design for manufacturing
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光纤光栅制备结构的稳定性
7
作者 肖剑峰 施解龙 +1 位作者 陆君辉 孙伟胜 《上海大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2011年第6期702-707,共6页
从制备过程的稳定性和精确性角度深入分析相位掩模法制备布拉格光纤光栅的各个环节.通过模拟和实验,验证了掩模板若干参数对制备过程的稳定性和精确性的影响,证实了光纤光敏性与曝光量的关系.在实验中就如何提高聚焦效果、如何稳定光纤... 从制备过程的稳定性和精确性角度深入分析相位掩模法制备布拉格光纤光栅的各个环节.通过模拟和实验,验证了掩模板若干参数对制备过程的稳定性和精确性的影响,证实了光纤光敏性与曝光量的关系.在实验中就如何提高聚焦效果、如何稳定光纤光栅中心波长等问题进行了有益的研究,并取得了一些成果,为高精度、批量化制备温度稳定性光纤光栅提供了一种新型的实施方案. 展开更多
关键词 光纤光栅 空间滤波 温度补偿 相位掩模法
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可提高光刻分辨率的新技术 被引量:8
8
作者 罗先刚 姚汉民 +2 位作者 周冲喜 冯伯儒 陈旭南 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第9期834-837,共4页
详细研究了离轴掩模的原理 ,将离轴照明 (OAI)与相移掩模 (PSM)技术结合起来 ,在掩模上同时实现两种功能 ,较大程度地提高了光刻分辨力 .实验表明 ,在数值孔径 0 .42 ,i线曝光波长下 ,可将光刻分辨力从 0 .8μm提高到 0 .5μm.
关键词 离轴照明 相移掩模 光刻分辨力 大规模集成电路
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在镜像投影曝光机上使用相移掩膜提高解像力的初步研究 被引量:6
9
作者 黎午升 惠官宝 +4 位作者 崔承镇 史大为 郭建 孙双 薛建设 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期544-547,共4页
实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩... 实现高PPI(单位面积像素个数),需要更细的线宽和更窄的间距,这往往受到光刻设备解像力的限制,本文对基于不改造镜像投影曝光设备而提高光刻解像力进行研究。用半导体工艺模拟以及器件模拟软件模拟分析了离焦量为0时,相位移掩膜和传统掩膜下2.5μm等间隔线的光强分布。根据设备参数模拟分析离焦量为15、30μm时通过掩膜得到的光刻间距情况,最后,实际比较测量了相同条件下各自曝光剂量范围和切面坡度角。实验结果表明:相位移掩膜能使镜像投影曝光机分辨力以下间距(线宽)的工艺容限增大1倍,并使相应曝光量下间距(线宽)的分布更集中,从而增加细线化的稳定性。使用相位移掩膜能提高镜像投影曝光机的解像力。 展开更多
关键词 相移掩膜 等间隔线 模拟 曝光容限 解像力
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先进相移掩模(PSM)工艺技术 被引量:4
10
作者 彭力 陈友篷 +1 位作者 尤春 周家万 《电子与封装》 2010年第9期41-45,共5页
先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相... 先进相移掩模(PSM)制造是极大规模集成电路生产中的关键工艺之一,当设计尺寸(CD)为0.18μm时,就必须在掩模关键层采用OPC(光学邻近校正)和PSM(相移技术),一般二元掩模由于图形边缘散射会降低整体的对比度,无法得到所需要的图形。通过相位移掩模(PSM)技术可以显著改善图形的对比度,提高图形分辨率。相移掩模是在一般二元掩模中增加了一层相移材料,通过数据处理、电子束曝光、制作二次曝光对准用的可识别标记、二次曝光、显影、刻蚀,并对相移、缺陷等进行分析和检测,确保能达到设计要求。 展开更多
关键词 相移掩模 电子束曝光 相位角分析 缺陷检测
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四步相移结合互补格雷码的快速相位展开 被引量:4
11
作者 李洋 李岩 +2 位作者 赵爱国 于微波 刘克平 《激光杂志》 CAS 北大核心 2022年第2期36-41,共6页
为提高相移条纹投影测量系统的精度与效率,提出了一种四步相移结合互补格雷码的快速相位展开方法,有效消除了相位展开误差,并能够显著提升计算效率。引入的互补格雷码与传统格雷码的条纹阶次存在半周期错位,利用这种错位与中值滤波结合... 为提高相移条纹投影测量系统的精度与效率,提出了一种四步相移结合互补格雷码的快速相位展开方法,有效消除了相位展开误差,并能够显著提升计算效率。引入的互补格雷码与传统格雷码的条纹阶次存在半周期错位,利用这种错位与中值滤波结合可完全消除相位展开误差。首先,采用大津法对全亮图案进行二值化生成掩码图像;其次,以掩码图像非零区域为路径引导四步相移与互补格雷码解码得到包裹相位与条纹阶次;最后,利用条纹阶次对包裹相位进行相位展开。实验结果表明:提出的快速相位展开算法比原算法速率提升了36%。 展开更多
关键词 相移条纹投影 互补格雷码 四步相移 掩码图像 相位展开
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新型TFT-LCD黑矩阵的细线化研究 被引量:3
12
作者 靳福江 卢兵 +5 位作者 朱凤稚 罗峰 柳星 代伟男 刘华 范峻 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2014年第4期521-526,共6页
介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘... 介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示:在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0~1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3~0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5~2.0 pm,达到5.0~5.5 μm,可以满足目前高PPI(单位面积像素个数)产品对透过率和对比度要求. 展开更多
关键词 黑矩阵 线宽 相位移掩膜板 背面曝光
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ULSI相移光刻技术 被引量:2
13
作者 王阳元 徐立 +1 位作者 武国英 俞忠钰 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期77-83,共7页
相移掩模光刻技术,是近几年来为了开发超大规模集成电路(ULSI)而发展起来的一种新颖光刻技术。它应用了光学相移掩模方法,大大提高了现有光学光刻设备的分辨率水平。本文综述了相移光刻技术的发展及其在ULSI中的应用。
关键词 光学光刻 相移 相移掩模 集成电路
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0.35μm相移掩模模拟计算及软件设计 被引量:2
14
作者 周崇喜 冯伯儒 +3 位作者 侯德胜 张锦 陈芬 孙方 《光电工程》 EI CAS CSCD 1999年第4期34-39,共6页
首先通过对0.35μm 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算,得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中,衰减型对提高边缘斜率最为明显,因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相... 首先通过对0.35μm 接触方孔在不同相移掩模情况下硅片表面空间象光强分布的模拟计算,得出不同相移掩模情况下的最优相移参数。在几种相移掩模中,衰减型对提高边缘斜率最为明显,因此我们决定采用衰减型相移掩模。最后编制了相应的实用化软件,该软件能够自动生成各种相移掩模并能够模拟计算不同照明参数、不同掩模、不同数值孔径、不同离焦情况下的空间象分布。 展开更多
关键词 相移掩模 衰减 计算机掩模 软件设计 IC
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一种提高掩模条宽(CD)性能方法的研究 被引量:2
15
作者 刘维维 尤春 +1 位作者 季书凤 胡超 《电子与封装》 2018年第9期42-44,48,共4页
提出了一种提高相移掩模(PSM)条宽偏差(CD MTT,mean to target)精度的方法。在掩模制备过程中,条宽偏差的影响因素很多,基板材质、图形以及工艺过程均会对CD MTT产生影响。研究中提出了减小掩模工艺过程中CD MTT的方法,通过对相移层蚀... 提出了一种提高相移掩模(PSM)条宽偏差(CD MTT,mean to target)精度的方法。在掩模制备过程中,条宽偏差的影响因素很多,基板材质、图形以及工艺过程均会对CD MTT产生影响。研究中提出了减小掩模工艺过程中CD MTT的方法,通过对相移层蚀刻前金属层CD进行测量,评估计算对金属层进行加蚀刻,实现对PSM掩模最终CD MTT的控制。同时确定了图形密度对CD MTT的影响,有效地提高了PSM掩模条宽性能。 展开更多
关键词 相移掩模 条宽偏差 条宽偏差控制 干法蚀刻
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扩展傅里叶衍射理论在相移掩模中的应用
16
作者 刘佳 张晓萍 《光电工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第1期40-44,共5页
针对现代光刻中,超大数值孔径的情况下,通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确,必须得考虑倾斜照明带来的阴影效应。因此本文针对交替式相移掩模,提出了一种考虑阴影效应的近似模型。重新定义了阴影比率的公式。该... 针对现代光刻中,超大数值孔径的情况下,通过简单的傅里叶衍射理论模拟掩模的传递函数的方法不够精确,必须得考虑倾斜照明带来的阴影效应。因此本文针对交替式相移掩模,提出了一种考虑阴影效应的近似模型。重新定义了阴影比率的公式。该方法是傅里叶衍射理论的扩展,是一种依赖于入射角的函数。分别给出了交替式相移掩模空间域和空间频率域的传递函数的表达式。并对提出的近似模型的衍射效率以及干涉场光强分布进行了仿真。结果表明,衍射效率和干涉场的强度分布是随着入射角的改变而改变的,不同线宽的衍射效率也不同。并且衍射效率是关于零度入射角对称分布。 展开更多
关键词 超大数值孔径 相移掩模 离轴照明 阴影效应 傅里叶衍射理论
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相移掩模清洗结晶控制 被引量:1
17
作者 张海平 尤春 +1 位作者 周家万 陈卓 《电子工业专用设备》 2012年第5期41-42,47,共3页
在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶... 在高端集成电路制造方面,普通二元掩模已经不能满足晶圆使用要求。目前,高端(线宽0.18μm以下)集成电路生产主要采用相移掩模。相移掩模(Phase Shift Mask)制作过程中,掩模表面结晶(Haze)问题较难控制。为了控制和解决相移掩模表面结晶问题,提高成品率,主要讨论了不同的清洗工艺(Recipe)对相移掩模结晶的影响。然后通过实验验证了通过优化清洗工艺(Recipe),可以明显改善相移掩模表面结晶问题,达到控制相移掩模表面结晶的目的。 展开更多
关键词 集成电路 相移掩模 结晶 工艺方法
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相移掩模模拟软件研究
18
作者 阙珑 孙国良 冯伯儒 《微细加工技术》 EI 1995年第2期25-32,共8页
本文将报导我们编制相移掩模模拟软件的有关工作,分析其中几个重要参数的影响,同时在非相干,部分相干,以及相干光照明下对曝光线条边角的圆化建立了数学模型,并与实验结果加以比较。
关键词 光刻 相移掩模 模拟软件
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实现物体360°轮廓测量的新型轮廓拼接方法 被引量:6
19
作者 张晓玲 林玉池 +2 位作者 吴波 赵美蓉 黄银国 《机械工程学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第5期182-185,共4页
提出一种新型轮廓拼接技术用来实现复杂物体的360°几何轮廓的测量。应用光栅投射三维轮廓技术使被测物绕旋转轴进行多次旋转,获得能覆盖整个物面的多个单视角的三维坐标,利用坐标变换将这些数据转换到统一的坐标系下,然后应用正负... 提出一种新型轮廓拼接技术用来实现复杂物体的360°几何轮廓的测量。应用光栅投射三维轮廓技术使被测物绕旋转轴进行多次旋转,获得能覆盖整个物面的多个单视角的三维坐标,利用坐标变换将这些数据转换到统一的坐标系下,然后应用正负方向掩膜矩阵法拼接合成物体360°轮廓。实践表明,应用该方法物体只需在4个角度0°、90°、180°、270°进行旋转,就能快速得到物体360°轮廓,它不仅可以用于普通连续面形的测量, 又可以用于含有间断的面形即自由曲面的测量。 展开更多
关键词 轮廓拼接 光栅投射三维轮廓术 相移法 360°轮廓测量 坐标转换 掩膜法
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相移掩模保护膜残留胶清洗方式研究 被引量:1
20
作者 尤春 严剑荫 陈卓 《电子工业专用设备》 2012年第7期26-28,共3页
相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对... 相移掩模(Phase Shift Mask)在实际使用过程中,往往会因为保护膜沾污、损坏或者因为掩模结晶(Haze)等问题需要返回掩模工厂进行重新贴膜。重新贴膜时需要先去除保护膜并清洗。传统的清洗方式是采用硫酸+双氧水(SPM)来进行清洗。不过对于相移掩模来说,SPM清洗方式容易造成硫酸根残留,进而造成产品Haze问题,影响产品使用。通过采用不同的清洗方法进行对比和优化实验,找出了最佳的非SPM方式去除保护膜残留胶的方法。 展开更多
关键词 掩模保护膜 残胶 结晶 硫酸+双氧水
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