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基于PDRAM混合内存架构的Linux内存管理算法 被引量:2
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作者 李功 陈岚 郝晓冉 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2014年第5期14-20,共7页
近些年来,相变存储器(PRAM)凭借其良好的特性极有可能替代动态存储器(DRAM),发展为下一代主流内存技术.由于PRAM在延时和寿命方面的性能退化,因而采用了位于Linux同一物理地址空间的一大块PRAM和一小块DRAM作为主内存.现有的Linux内核... 近些年来,相变存储器(PRAM)凭借其良好的特性极有可能替代动态存储器(DRAM),发展为下一代主流内存技术.由于PRAM在延时和寿命方面的性能退化,因而采用了位于Linux同一物理地址空间的一大块PRAM和一小块DRAM作为主内存.现有的Linux内核并不是针对混合内存架构而开发的,无法降低PDRAM的内存功耗,因而,采用了基于PDRAM混合内存架构的Linux内存管理算法,针对不同页帧进行管理,并根据虚拟地址空间页面的一般访问性质进行选择分配内存页帧,动态迁移内存页帧,将频繁读为主的数据存储在PRAM,频繁写为主的数据存储在DRAM,从而在只增加0.4%的内存延时情况下,降低50%左右的内存功耗,并且没有影响PRAM的寿命. 展开更多
关键词 相变存储器 混合内存 LINUX内核 内存管理 GEM5模拟器
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相变存储器驱动电路的设计与实现 被引量:2
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作者 沈菊 宋志棠 +1 位作者 刘波 封松林 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第5期431-434,共4页
介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集... 介绍了一种新型的相变存储器驱动电路的基本原理,设计了一种依靠电流驱动的驱动电路,整体电路由带隙基准电压源电路、偏置电流产生电路、电流镜电路及控制电路组成。该结构用于16Kb以及1Mb容量的相变存储器芯片的设计,并采用中芯国际集成电路制造(上海)有限公司的0·18μm标准CMOS工艺实现。该驱动电路通过Hspice仿真,表明带隙基准电压、偏置电流均具有较高的精度,取得了良好的仿真结果,在16Kb相变存储器芯片测试中,进一步验证了以上仿真结果。 展开更多
关键词 相变存储器 电流驱动 基准电压 偏置电流 电流镜 互补金属氧化物半导体
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相变存储器中灵敏放大器的设计 被引量:2
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作者 张怡云 陈后鹏 +4 位作者 龚亮 王倩 蔡道林 陈一峰 宋志棠 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期762-764,769,共4页
设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测... 设计了一种用于相变存储器(PCRAM)的全对称差分灵敏放大器电路,该电路采用预充电技术、限幅电路和防抖动电阻,具有抗干扰能力强、灵活性好、系统性失配小等优点。基于0.13μm CMOS工艺,设计了一个8Mb的PCRAM测试芯片,并进行了流片。测试结果表明,设计的电路在读周期为2μs时能达到很好的读出效果。 展开更多
关键词 相变存储器 灵敏放大器 预充电
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An Overview of Non-Volatile Flip-Flops Based on Emerging Memory Technologies(Invited paper)
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作者 J.M.Portal M.Bocquet +8 位作者 M.Moreau H.Aziza D.Deleruyelle Y.Zhang W.Kang J.-O.Klein Y.-G.Zhang C.Chappert W.-S.Zhao 《Journal of Electronic Science and Technology》 CAS 2014年第2期173-181,共9页
Low power consumption is a major issue in nowadays electronics systems. This trend is pushed by the development of data center related to cloud services and soon to the Internet of Things (IoT) deployment. Memories ... Low power consumption is a major issue in nowadays electronics systems. This trend is pushed by the development of data center related to cloud services and soon to the Internet of Things (IoT) deployment. Memories are one of the major contributors to power consumption. However, the development of emerging memory technologies paves the way to low-power design, through the partial replacement of the dynamic random access memory (DRAM) with the non-volatile stand-alone memory in servers or with the embedded or distributed emerging non-volatile memory in IoT objects. In the latter case, non-volatile flip-flops (NVFFs) seem a promising candidate to replace the retention latch. Indeed, IoT objects present long sleep time and NVFFs offer to save data in registers with zero power when the application is idle. This paper gives an overview of NVFF architecture flavors for various emerging memory technologies. 展开更多
关键词 Emerging memory technology ferroelectric ram low power magnetic ram non-volatile flip-flops phase change ram resistive ram
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流处理器的相变存储器主存性能优化 被引量:2
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作者 郝秀蕊 安虹 +1 位作者 李小强 汤旭龙 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2011年第24期251-253,256,共4页
将相变存储器(PCRAM)作为流处理器Imagine的主存储器,对其性能进行优化。建立(PCRAM)性能分析模型,针对PCRAM可写次数有限的缺陷,采用避免冗余位写技术,使PCRAM的生命周期延长3.4倍。利用PCRAM的非易失性,避免不必要的缓存行写回。分析... 将相变存储器(PCRAM)作为流处理器Imagine的主存储器,对其性能进行优化。建立(PCRAM)性能分析模型,针对PCRAM可写次数有限的缺陷,采用避免冗余位写技术,使PCRAM的生命周期延长3.4倍。利用PCRAM的非易失性,避免不必要的缓存行写回。分析访存调度算法对PCRAM性能的影响,结果表明,row/open调度算法性能较优,适合PCRAM使用。 展开更多
关键词 相变存储器 非易失性 访存调度算法 避免冗余位写技术 流处理器
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