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PdSe_(2)纳米线薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器 被引量：11
1
作者 林亚楠 吴亚东 +3 位作者 程海洋 陆杨 谢超 罗林保 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第21期176-184,共9页
提出了一种PdSe_(2)纳米线(NWs)薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器。采用热辅助硒化预先制备Pd NWs的方法合成大面积PdSe_(2)NWs,通过组装和转移NWs可制备包含8×8器件单元的集成光电探测器。光电性能测试结果表明,所设计的器件在2... 提出了一种PdSe_(2)纳米线(NWs)薄膜/Si异质结近红外集成光电探测器。采用热辅助硒化预先制备Pd NWs的方法合成大面积PdSe_(2)NWs,通过组装和转移NWs可制备包含8×8器件单元的集成光电探测器。光电性能测试结果表明,所设计的器件在200~1300 nm宽波段范围内均有明显的光响应,峰值位于810 nm附近。在零偏压下,器件在810 nm处的响应度(R)为166 mA·W^(-1),当施加-2 V偏压时,R值显著提高至3.24 A·W^(-1)。此外,集成器件呈现出优异的均匀性,64个器件的电流开关比均为60左右。由于良好的性能均匀性,该集成光电探测器可应用于图像传感领域,能可靠地记录近红外光投射的“LASDOP”字母图像,展示了潜在的应用前景。 展开更多
关键词 光电子学 光电探测器 pdse_(2)纳米线薄膜 近红外光 集成器件 图像传感
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