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三防涂层对器件散热影响的研究 被引量:3
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作者 何燕春 《电子测试》 2020年第6期43-45,共3页
分析现有三防材料丙烯酸1B31、真空涂敷ParyleneC和有机硅1-2620对元器件散热影响值,制作三防涂层对器件散热影响理论分析工具模型。忽略热量的损失和向印制板面的传递,理论模型校验结果与实际测量结果相符。为元器件表面是否三防提供... 分析现有三防材料丙烯酸1B31、真空涂敷ParyleneC和有机硅1-2620对元器件散热影响值,制作三防涂层对器件散热影响理论分析工具模型。忽略热量的损失和向印制板面的传递,理论模型校验结果与实际测量结果相符。为元器件表面是否三防提供依据与标准,希望其在产品设计、工艺设计中起到指导作用。 展开更多
关键词 丙烯酸1B31 parylenec 有机硅1-2620 理论模型
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聚合物Parylene C薄膜的反应离子刻蚀研究
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作者 王亚军 刘景全 +3 位作者 沈修成 杨春生 郭中元 芮岳峰 《微细加工技术》 2008年第6期19-21,共3页
首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适... 首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适当增大功率有利于各向异性刻蚀。刻蚀速率在一定范围内随气压增大而增大,工作压力为10.67 Pa时,刻蚀速率达到0.47μm/min;当气压超过10.67 Pa后,刻蚀速率基本保持不变。 展开更多
关键词 生物MEMS 微流体系统 反应离子刻蚀 parylenec
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Parylene C膜的热解特性 被引量:7
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作者 曹琼华 徐瑞娟 王建华 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2008年第4期620-623,共4页
利用热重分析技术(TG/DTA)和热裂解-气相色谱/质谱联用测试分析技术(PY-GC/MS),对Parylene C膜的热分解性能和分解产物进行研究;通过X射线-光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)分析了ParyleneC膜的表面基本元素及其结构。实验结果表明,Paryle... 利用热重分析技术(TG/DTA)和热裂解-气相色谱/质谱联用测试分析技术(PY-GC/MS),对Parylene C膜的热分解性能和分解产物进行研究;通过X射线-光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)分析了ParyleneC膜的表面基本元素及其结构。实验结果表明,Parylene C膜在室温避光存放过程中已经自然氧化,氧化后的Parylene C膜受热分解首先是从被氧化的C-C键开始,生成苯甲醛或苯甲醇类氧化产物;随后是没有被氧化的C-C键断裂,生成一系列的单体及其裂解碎片。 展开更多
关键词 高分子材料 parylenec 热解
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Parylene C单体的合成及其结构解析 被引量:4
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作者 牛磊 肖国民 +1 位作者 塔娜 童洋 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第12期40-42,49,共4页
采用霍夫曼消除反应合成了Parylene C单体(C16H14Cl2),改进了合成工艺,收率达到50%左右,并分析了其合成反应机理。采用溶液法合成了单晶,经IR及X射线单晶衍射表征,其结构属于单斜晶系,空间群为p21/C,晶胞参数a=0.79915nm,b=0.77202(15)n... 采用霍夫曼消除反应合成了Parylene C单体(C16H14Cl2),改进了合成工艺,收率达到50%左右,并分析了其合成反应机理。采用溶液法合成了单晶,经IR及X射线单晶衍射表征,其结构属于单斜晶系,空间群为p21/C,晶胞参数a=0.79915nm,b=0.77202(15)nm,c=1.0857(2)nm,β=103.65(3)°,V=0.6509(2)nm3,Z=2,Dx=1.414mg/m3,μ=0.48mm-1,R1=0.052,wR2=0.129,S=1.09。化合物的分子结构呈中心对称,桥头键长分别为0.1554(3)nm、0.1555(3)nm。由于C4位取代基的存在,产生了一个123.4(3)°的C2-C4-C7扭曲角。 展开更多
关键词 parylenec单体 霍夫曼消除反应 单斜晶系 桥头键
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