期刊导航
期刊开放获取
cqvip
退出
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
4
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式:
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
三防涂层对器件散热影响的研究
被引量:
3
1
作者
何燕春
《电子测试》
2020年第6期43-45,共3页
分析现有三防材料丙烯酸1B31、真空涂敷ParyleneC和有机硅1-2620对元器件散热影响值,制作三防涂层对器件散热影响理论分析工具模型。忽略热量的损失和向印制板面的传递,理论模型校验结果与实际测量结果相符。为元器件表面是否三防提供...
分析现有三防材料丙烯酸1B31、真空涂敷ParyleneC和有机硅1-2620对元器件散热影响值,制作三防涂层对器件散热影响理论分析工具模型。忽略热量的损失和向印制板面的传递,理论模型校验结果与实际测量结果相符。为元器件表面是否三防提供依据与标准,希望其在产品设计、工艺设计中起到指导作用。
展开更多
关键词
丙烯酸1B31
parylenec
有机硅1-2620
理论模型
下载PDF
职称材料
聚合物Parylene C薄膜的反应离子刻蚀研究
2
作者
王亚军
刘景全
+3 位作者
沈修成
杨春生
郭中元
芮岳峰
《微细加工技术》
2008年第6期19-21,共3页
首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适...
首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适当增大功率有利于各向异性刻蚀。刻蚀速率在一定范围内随气压增大而增大,工作压力为10.67 Pa时,刻蚀速率达到0.47μm/min;当气压超过10.67 Pa后,刻蚀速率基本保持不变。
展开更多
关键词
生物MEMS
微流体系统
反应离子刻蚀
parylenec
下载PDF
职称材料
Parylene C膜的热解特性
被引量:
7
3
作者
曹琼华
徐瑞娟
王建华
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期620-623,共4页
利用热重分析技术(TG/DTA)和热裂解-气相色谱/质谱联用测试分析技术(PY-GC/MS),对Parylene C膜的热分解性能和分解产物进行研究;通过X射线-光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)分析了ParyleneC膜的表面基本元素及其结构。实验结果表明,Paryle...
利用热重分析技术(TG/DTA)和热裂解-气相色谱/质谱联用测试分析技术(PY-GC/MS),对Parylene C膜的热分解性能和分解产物进行研究;通过X射线-光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)分析了ParyleneC膜的表面基本元素及其结构。实验结果表明,Parylene C膜在室温避光存放过程中已经自然氧化,氧化后的Parylene C膜受热分解首先是从被氧化的C-C键开始,生成苯甲醛或苯甲醇类氧化产物;随后是没有被氧化的C-C键断裂,生成一系列的单体及其裂解碎片。
展开更多
关键词
高分子材料
parylenec
膜
热解
下载PDF
职称材料
Parylene C单体的合成及其结构解析
被引量:
4
4
作者
牛磊
肖国民
+1 位作者
塔娜
童洋
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期40-42,49,共4页
采用霍夫曼消除反应合成了Parylene C单体(C16H14Cl2),改进了合成工艺,收率达到50%左右,并分析了其合成反应机理。采用溶液法合成了单晶,经IR及X射线单晶衍射表征,其结构属于单斜晶系,空间群为p21/C,晶胞参数a=0.79915nm,b=0.77202(15)n...
采用霍夫曼消除反应合成了Parylene C单体(C16H14Cl2),改进了合成工艺,收率达到50%左右,并分析了其合成反应机理。采用溶液法合成了单晶,经IR及X射线单晶衍射表征,其结构属于单斜晶系,空间群为p21/C,晶胞参数a=0.79915nm,b=0.77202(15)nm,c=1.0857(2)nm,β=103.65(3)°,V=0.6509(2)nm3,Z=2,Dx=1.414mg/m3,μ=0.48mm-1,R1=0.052,wR2=0.129,S=1.09。化合物的分子结构呈中心对称,桥头键长分别为0.1554(3)nm、0.1555(3)nm。由于C4位取代基的存在,产生了一个123.4(3)°的C2-C4-C7扭曲角。
展开更多
关键词
parylenec
单体
霍夫曼消除反应
单斜晶系
桥头键
下载PDF
职称材料
题名
三防涂层对器件散热影响的研究
被引量:
3
1
作者
何燕春
机构
航空工业西安航空计算技术研究所
出处
《电子测试》
2020年第6期43-45,共3页
文摘
分析现有三防材料丙烯酸1B31、真空涂敷ParyleneC和有机硅1-2620对元器件散热影响值,制作三防涂层对器件散热影响理论分析工具模型。忽略热量的损失和向印制板面的传递,理论模型校验结果与实际测量结果相符。为元器件表面是否三防提供依据与标准,希望其在产品设计、工艺设计中起到指导作用。
关键词
丙烯酸1B31
parylenec
有机硅1-2620
理论模型
Keywords
Acrylic acid 1B31
vacuum coating
parylenec
silicone 1-2620
theoretical model
分类号
TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]
下载PDF
职称材料
题名
聚合物Parylene C薄膜的反应离子刻蚀研究
2
作者
王亚军
刘景全
沈修成
杨春生
郭中元
芮岳峰
机构
上海交通大学微纳科学技术研究院微米/纳米加工技术国家重点实验室薄膜与微细加工教育部重点实验室
出处
《微细加工技术》
2008年第6期19-21,共3页
基金
国家自然科学基金资助项目(60876082)
上海市科委纳米专项基金资助项目(0852nm06600)
文摘
首先简要介绍了聚合物Parylene,并以Parylene C薄膜为原料,进行反应离子刻蚀,着重研究了功率和工作气压对刻蚀速率的影响,并给出了优化的刻蚀工艺参数。结果表明,刻蚀速率随功率增加而增大,当功率为80 W时,刻蚀速率达到0.44μm/min,适当增大功率有利于各向异性刻蚀。刻蚀速率在一定范围内随气压增大而增大,工作压力为10.67 Pa时,刻蚀速率达到0.47μm/min;当气压超过10.67 Pa后,刻蚀速率基本保持不变。
关键词
生物MEMS
微流体系统
反应离子刻蚀
parylenec
Keywords
bioMEMS
microfluidics
reactive ion etching
parylene C
分类号
TP211.4 [自动化与计算机技术—检测技术与自动化装置]
下载PDF
职称材料
题名
Parylene C膜的热解特性
被引量:
7
3
作者
曹琼华
徐瑞娟
王建华
机构
中国工程物理研究院
出处
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第4期620-623,共4页
基金
表面物理与化学国家重点实验室基金资助项目(900004200604)
文摘
利用热重分析技术(TG/DTA)和热裂解-气相色谱/质谱联用测试分析技术(PY-GC/MS),对Parylene C膜的热分解性能和分解产物进行研究;通过X射线-光电子能谱(XPS)和红外光谱(IR)分析了ParyleneC膜的表面基本元素及其结构。实验结果表明,Parylene C膜在室温避光存放过程中已经自然氧化,氧化后的Parylene C膜受热分解首先是从被氧化的C-C键开始,生成苯甲醛或苯甲醇类氧化产物;随后是没有被氧化的C-C键断裂,生成一系列的单体及其裂解碎片。
关键词
高分子材料
parylenec
膜
热解
Keywords
polymer materials
Parylene C Film
thermal decomposition
分类号
TQ63 [化学工程—精细化工]
下载PDF
职称材料
题名
Parylene C单体的合成及其结构解析
被引量:
4
4
作者
牛磊
肖国民
塔娜
童洋
机构
东南大学化学化工学院
出处
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期40-42,49,共4页
基金
江苏省"六大人才高峰"计划资助项目(2008028)
文摘
采用霍夫曼消除反应合成了Parylene C单体(C16H14Cl2),改进了合成工艺,收率达到50%左右,并分析了其合成反应机理。采用溶液法合成了单晶,经IR及X射线单晶衍射表征,其结构属于单斜晶系,空间群为p21/C,晶胞参数a=0.79915nm,b=0.77202(15)nm,c=1.0857(2)nm,β=103.65(3)°,V=0.6509(2)nm3,Z=2,Dx=1.414mg/m3,μ=0.48mm-1,R1=0.052,wR2=0.129,S=1.09。化合物的分子结构呈中心对称,桥头键长分别为0.1554(3)nm、0.1555(3)nm。由于C4位取代基的存在,产生了一个123.4(3)°的C2-C4-C7扭曲角。
关键词
parylenec
单体
霍夫曼消除反应
单斜晶系
桥头键
Keywords
Parylene C monomer, Hofmann elimination, monoclinic system, bridgehead bond
分类号
O632.71 [理学—高分子化学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
三防涂层对器件散热影响的研究
何燕春
《电子测试》
2020
3
下载PDF
职称材料
2
聚合物Parylene C薄膜的反应离子刻蚀研究
王亚军
刘景全
沈修成
杨春生
郭中元
芮岳峰
《微细加工技术》
2008
0
下载PDF
职称材料
3
Parylene C膜的热解特性
曹琼华
徐瑞娟
王建华
《材料科学与工程学报》
CAS
CSCD
北大核心
2008
7
下载PDF
职称材料
4
Parylene C单体的合成及其结构解析
牛磊
肖国民
塔娜
童洋
《材料导报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
4
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部