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锆钛酸铅陶瓷的烧结性能 被引量：5
1
作者 张德颖 章秀淦 +5 位作者 郭太良 黄振武 吴新坤 林建光 林志贤 曾益彬 《福州大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1999年第6期42-44,共3页
测定了Zr 浓度为x= 0-85 ～0-97 的锆钛酸铅陶瓷(PZT) 的径向线收缩率和致密度. 同时, 利用球模型推导的扩散机制的烧结方程获得该Zr 浓度范围内PZT 陶瓷的烧结活化能. 研究发现, 在PZT陶瓷的铁电一反铁电相边界所对应的Zr 浓度范围, P... 测定了Zr 浓度为x= 0-85 ～0-97 的锆钛酸铅陶瓷(PZT) 的径向线收缩率和致密度. 同时, 利用球模型推导的扩散机制的烧结方程获得该Zr 浓度范围内PZT 陶瓷的烧结活化能. 研究发现, 在PZT陶瓷的铁电一反铁电相边界所对应的Zr 浓度范围, PZT 陶瓷的烧结活化能和致密度存在突变. 展开更多
关键词 锆钛酸铅陶瓷 烧结 动力学 pzt陶瓷 活化能
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掺杂Fe^(2+),Bi^(3+),Cu^(2+)的PZT陶瓷低温烧结 被引量：6
2
作者 胡志强 奥谷昌之 金子正治 《大连轻工业学院学报》 2000年第3期157-160,共4页
在利用水热法合成的粉体低温烧结PZT[Pb(Zr0 .5 3TiO0 .47)O3]陶瓷中 ,掺杂了Fe2 + ,Bi3+ ,Cu2 + 等无机化合物 ,使PZT陶瓷在 85 0℃温度下即可烧成 ,密度可达理论值 98%。压电性能测定表明 ,其Kp值变化不大 ,而Qm值有较大提高。
关键词 锆钛酸铅 低温烧结 陶瓷 pzt陶瓷 助剂 粉体
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PZT基陶瓷铁电－反铁电相界处各向异性的研究 被引量：6
3
作者 董显林 孙大志 王永令 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期193-198,共6页
本文研究了两个以ＰＺＴ瓷为基的系统：ＰＺＴ（Ｎｂ）和ＰＳＺＴ陶瓷在铁电－反铁电相界区域的压电和机电耦合等性能．结果表明，ＰＺＴ基陶瓷在该相界处具有高Ｋｔ和低Ｋｐ的性质．压电和机电耦合各向异性也比准同型相界要高，｜ｄ３... 本文研究了两个以ＰＺＴ瓷为基的系统：ＰＺＴ（Ｎｂ）和ＰＳＺＴ陶瓷在铁电－反铁电相界区域的压电和机电耦合等性能．结果表明，ＰＺＴ基陶瓷在该相界处具有高Ｋｔ和低Ｋｐ的性质．压电和机电耦合各向异性也比准同型相界要高，｜ｄ３３／ｄ３１｜＞５．５，Ｋｔ／Ｋｐ＞３．０．借助于电场诱导ＡＦ—Ｆ相变和反铁电双子晶格间的强耦合作用，对此现象作了较好解释． 展开更多
关键词 pzt陶瓷 各向异性 FA相界 压电陶瓷
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高d_（33）·g_（33）值PZT压电陶瓷材料中Sb_2O_3掺杂的作用 被引量：4
4
作者 周桃生 王世敏 +3 位作者 顾豪爽 何云斌 邝安祥 孙文华 《湖北大学学报（自然科学版）》 CAS 1996年第3期275-277,共3页
Ｓｂ２Ｏ３对Ｐｂ（Ｚｒ０．５４Ｔｉ０．４６）Ｏ３的掺杂改性具有调整材料四方度（ｃ／ａ）的作用．实验表明，Ｓｂ２Ｏ３的适量添加可使材料四方度的调整达到一个较佳值，从而得到ｄ３３＝５７０×１０－１２Ｃ／Ｎ、ｇ３３＝３... Ｓｂ２Ｏ３对Ｐｂ（Ｚｒ０．５４Ｔｉ０．４６）Ｏ３的掺杂改性具有调整材料四方度（ｃ／ａ）的作用．实验表明，Ｓｂ２Ｏ３的适量添加可使材料四方度的调整达到一个较佳值，从而得到ｄ３３＝５７０×１０－１２Ｃ／Ｎ、ｇ３３＝３２×１０－３Ｖｍ／Ｎ的高压电活性的材料组成． 展开更多
关键词 压电陶瓷材料 掺杂 pzt陶瓷 氧化锑
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锆钛酸铅压电陶瓷元件高温老化行为及其微观机制 被引量：1
5
作者 王旋 宋凯强 +6 位作者 张敏 丛大龙 彭冬 丁星星 白懿心 黄安畏 李忠盛 《材料导报》 CSCD 北大核心 2023年第18期31-38,共8页
长时高温作用会显著加速压电陶瓷元件电学性能的退化,极大地影响压电元件使用寿命。本工作在85、125和150℃下对PZT压电陶瓷元件进行长时老化处理,研究并分析了高温老化过程中PZT陶瓷元件电学性能退化规律及其微观机制。压电常数与介电... 长时高温作用会显著加速压电陶瓷元件电学性能的退化,极大地影响压电元件使用寿命。本工作在85、125和150℃下对PZT压电陶瓷元件进行长时老化处理,研究并分析了高温老化过程中PZT陶瓷元件电学性能退化规律及其微观机制。压电常数与介电常数随老化周期延长均退化明显,初期退化速率较慢,后期退化加快并逐渐趋于稳定,介电常数和压电常数退化均符合Boltzmann变化规律。85℃和125℃下老化49 d时,元件介电常数退化率达到最大,分别为31.01%和36.48%;压电常数退化率达到最大,分别为11.57%和19.02%。PZT压电元件介电性能退化主要由表面Ag电极内结构退化、Ag/PZT界面弱化及PZT陶瓷退极化三方面所贡献,其中界面弱化和陶瓷退极化占主导。长时高温作用促使Ag电极逐渐缓慢氧化生成Ag2S,晶粒收缩产生大量孔洞,导致Ag电极致密度下降和Ag/PZT界面分层,降低了Ag/PZT的电容率;此外,长时高温作用加速了PZT陶瓷电畴转向无序状态,促进氧空位位移钉扎电畴壁,导致了PZT压电元件介电性能退化。 展开更多
关键词 Ag电极 pzt陶瓷 高温老化行为 表面氧化 界面弱化 退极化
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掺杂PZT压电陶瓷材料的研制 被引量：3
6
作者 陈聪 《陶瓷研究》 1996年第2期88-94,共7页
本文在介绍掺杂ＰＺＴ压电陶瓷材料制备及其性能测试基础上总结出生产掺杂ＰＺＴ材料的最佳烧成条件。研究表明，本文所研制的样品已达到或超过压电点火材料的水平，但所选系统仍有潜力可挖．只要工艺合适，性能完全能再提高。
关键词 压电陶瓷 烧成 电气工业陶瓷 掺杂 pzt陶瓷
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SPS中压力对PZT陶瓷准同型相界(MPB)的影响
7
作者 俎达 张宇轩 +2 位作者 刘宇飞 吴楠楠 欧阳顺利 《内蒙古科技大学学报》 CAS 2023年第1期22-28,共7页
采用放电等离子烧结的方法制备了准同型相界(Morphotropic Phase Boundary,MPB)组分的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_(3)压电陶瓷,研究了放电等离子的压力对材料中菱面体相和四方相比例的影响.研究结果表明:当在30 MPa下采用放电等离子烧结制... 采用放电等离子烧结的方法制备了准同型相界(Morphotropic Phase Boundary,MPB)组分的Pb(Zr_(0.52)Ti_(0.48))O_(3)压电陶瓷,研究了放电等离子的压力对材料中菱面体相和四方相比例的影响.研究结果表明:当在30 MPa下采用放电等离子烧结制备PZT压电陶瓷时,晶体结构处于菱面体相和四方相的混合状态,并且最接近于准同型相界(MPB),其自发极化达到:P s=75.265μC/cm^(-2),压电性能也是所有压力中最高的:d_(33)=136.9 pC/N.证明了压力对于晶体结构有一定的影响,可以调控处在准同型相界附近材料中的菱面体相和四方相的比例,进一步提升材料的性能. 展开更多
关键词 pzt陶瓷 准同型相界(MPB) 拉曼光谱 放电等离子烧结
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水热条件对易烧结PZT粉体合成的影响 被引量：1
8
作者 胡志强 奥谷昌之 金子正治 《大连轻工业学院学报》 2000年第2期79-83,共5页
用水热法合成了低温烧结用PZT[Pb(Zr0 .5 3 TiO0 .47)O3]粉体。探讨了水热条件对合成粉体性能的影响。合成时添加了有助于烧结的Fe2 + ,Bi3 + ,Cu2 + 等离子化合物 ,经X ray,SEM ,TG DTA及比表面积的测定 ,表明 :当反应介质为 4mol/LNaO... 用水热法合成了低温烧结用PZT[Pb(Zr0 .5 3 TiO0 .47)O3]粉体。探讨了水热条件对合成粉体性能的影响。合成时添加了有助于烧结的Fe2 + ,Bi3 + ,Cu2 + 等离子化合物 ,经X ray,SEM ,TG DTA及比表面积的测定 ,表明 :当反应介质为 4mol/LNaOH ,时间 2h ,反应温度 2 0 0℃时合成后的粉体有良好的烧结性。粉体中外加了微量BCW[Ba(Cu0 .5 W0 .5 )O3] ,使PZT陶瓷在 850℃温度下即可烧成 ,密度可达理论值 98%。 展开更多
关键词 水热合成 低温烧结 pzt陶瓷 促进剂 压电性能
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掺杂对PZT铁电陶瓷介电铁电性能的影响 被引量：2
9
作者 张水琴 杨成韬 +2 位作者 刘敬松 袁正希 张树人 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第7期10-12,共3页
掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能。着重对掺 La3+、Mn2+对 PZT 陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的样品的介电、铁电性能的比较发现:掺 La3+可以增大剩余极化值和损耗;掺杂 Mn2+可以降低损耗;同时加入 ... 掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能。着重对掺 La3+、Mn2+对 PZT 陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的样品的介电、铁电性能的比较发现:掺 La3+可以增大剩余极化值和损耗;掺杂 Mn2+可以降低损耗;同时加入 La3+、Mn2+可以调整 PZT 性能得到理想的效果:2Pr 为 80×10–6/cm2,tg? 为 0.6×10–2。 展开更多
关键词 pzt陶瓷 掺杂 剩余极化 损耗角正切
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烧结方法对锆钛酸铅压电陶瓷显微结构和电性能的影响 被引量：3
10
作者 竺保成 李玉平 +2 位作者 高朋召 彭静 沈冠群 《机械工程材料》 CAS CSCD 北大核心 2011年第11期36-39,共4页
以预合成的锆钛酸铅陶瓷(PZT)粉为原料,分别采用电热法和微波法烧结制备了PZT压电陶瓷,对比研究了两种烧结方法对PZT压电陶瓷显微结构及电性能的影响。结果表明:随着烧结温度的升高,两种烧结方法制备压电陶瓷的微观结构、介电性能、压... 以预合成的锆钛酸铅陶瓷(PZT)粉为原料,分别采用电热法和微波法烧结制备了PZT压电陶瓷,对比研究了两种烧结方法对PZT压电陶瓷显微结构及电性能的影响。结果表明:随着烧结温度的升高,两种烧结方法制备压电陶瓷的微观结构、介电性能、压电性能变化趋势相同;微波烧结法可获得晶粒尺寸较小、分布均匀的陶瓷;在1 000℃微波烧结40 min后,陶瓷的密度、介电常数、压电常数均达到最大值,分别为7.1 g·cm^(-3),1 616,360,稍低于1 250℃电热烧结120 min陶瓷的密度(7.5 g·cm^(-3))、介电常数(1 910)、压电常数(411)。 展开更多
关键词 pzt陶瓷 微波烧结 压电陶瓷 电性能
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两种湿化学法制备PZT陶瓷的成分和结构研究
11
作者 谢汇章 雷德铭 《压电与声光》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期231-233,共3页
用两种湿化学法(水热法和溶胶-凝胶法)制备了PZT纳米粉体,并经烧结得到PZT微晶陶瓷。对两种方法所得的陶瓷进行介电测量。分析表明:水热法制粉后经烧结所得陶瓷的锆钛比(Zr/Ti)与原料的理论配比有较大的偏离,而溶胶-凝胶法制粉所得陶瓷... 用两种湿化学法(水热法和溶胶-凝胶法)制备了PZT纳米粉体,并经烧结得到PZT微晶陶瓷。对两种方法所得的陶瓷进行介电测量。分析表明:水热法制粉后经烧结所得陶瓷的锆钛比(Zr/Ti)与原料的理论配比有较大的偏离,而溶胶-凝胶法制粉所得陶瓷的锆钛比(Zr/Ti)能较好地反映原料的锆钛配比。 展开更多
关键词 pzt陶瓷 水热法 溶胶-凝胶法 介电特性
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MSP试验法评价PZT陶瓷的循环疲劳寿命 被引量：2
12
作者 邓启煌 王连军 +2 位作者 许虹杰 王宏志 江莞 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1047-1052,共6页
采用小样品力学性能试验方法(Modified Small Punch Tests,简称MSP)对Pb(Zr,Ti)O3陶瓷(PZT)实施了不同大小应力下的循环疲劳实验,循环应力越大,样品的残余强度和压电常数衰减越快,这是由应力循环过程中大量微裂纹的产生和扩展所致.通过... 采用小样品力学性能试验方法(Modified Small Punch Tests,简称MSP)对Pb(Zr,Ti)O3陶瓷(PZT)实施了不同大小应力下的循环疲劳实验,循环应力越大,样品的残余强度和压电常数衰减越快,这是由应力循环过程中大量微裂纹的产生和扩展所致.通过最大强度值与疲劳寿命的对应关系求得100 Hz循环疲劳下该样品的裂纹扩展指数n为395,由此推测了PZT陶瓷样品的使用寿命,在循环应力的最大值不超过79.1 MPa的条件下,该样品的连续使用寿命可达5年以上. 展开更多
关键词 pzt陶瓷 小样品力学性能试验法 循环疲劳 声发射
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PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗
13
作者 贺连星 李承恩 +2 位作者 陈廷国 王志勇 晏海学 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2001年第1期16-20,共5页
采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为 Pb(Zr0.7Ti0.3)O3 (PZT73)和 Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 (PZT37) 的两种陶瓷的内耗 Q-1及振动频率的平方 f 2（正比于材料的剪切模量 G）与温度的关系进行了 测定。在纯三角相的 PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高... 采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为 Pb(Zr0.7Ti0.3)O3 (PZT73)和 Pb(Zr0.3Ti0.7)O3 (PZT37) 的两种陶瓷的内耗 Q-1及振动频率的平方 f 2（正比于材料的剪切模量 G）与温度的关系进行了 测定。在纯三角相的 PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰 PM起源于材料的顺电－铁 电相变 ,低温内耗峰 P1本质上是一个宽化的 Debye峰，可归因于氧空位作用下的畴壁振荡弛豫。 对纯四方相的 PZT37陶瓷，除了 P1和 PM峰外，在 P1与 PM峰之间另有内耗峰 P2，这与 900畴附 近的氧空位团簇的弛豫有关 ,其特征可用描述强关联系统的关联态模型（ Coupling model）描述。 展开更多
关键词 内耗 pzt陶瓷 氧空位 畴壁 铁电材料
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湿化学法制备Pb(Zr_xTi_(1-x))O_3超细粉体的研究进展
14
作者 唐志阳 《现代技术陶瓷》 CAS 2005年第3期30-32,共3页
简略介绍了锆钛酸铅(PZT)陶瓷的特性及应用以及用超细粉体制备PZT陶瓷与传统的固相反应法相比所具有的优点。对目前常用的几种制备PZT超细粉体的湿化学方法作了较详细的综述。
关键词 湿化学法 pzt 超细粉体 化学法制备 pzt陶瓷 固相反应法 湿化学方法 粉体制备 锆钛酸铅
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创新超声探头-PureWave纯净波技术及应用 被引量：2
15
作者 曹少平 顾宏清 +1 位作者 孙国君 冯佳怡 《中国医疗器械杂志》 CAS 2005年第5期360-361,367,共3页
介绍新一代超声探头材料以及(PureWave)纯净波技术在超声成像应用中的优势.
关键词 纯净波技术 pzt陶瓷 宽带探头 图像分辨率
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PZT陶瓷酸蚀工艺对化学镀镍附着力的影响 被引量：2
16
作者 吴锦川 蔡恒辉 《电子工艺技术》 2007年第1期47-48,共2页
化学镀镍是一种先进的PZT陶瓷覆镀电极层的技术,其镍层附着力大小是影响电极层质量的关键因素。通过PZT陶瓷镀镍前的酸蚀工艺试验,查明了酸蚀液类型、酸蚀液浓度、超声功率大小、酸蚀时间等影响结合力的因素,并选择出最佳工艺条件。
关键词 化学镀镍 附着力 pzt陶瓷 酸蚀
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先驱体法生成PZT固溶体反应机理的研究 被引量：1
17
作者 郭向华 吴裕功 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 2002年第6期41-43,共3页
借助X光衍射的方法研究了反应煅烧法生成PZT固溶体的反应机理.研究表明,Zr_0.5Ti_0.5O_2与PbO反应过程中没有中间相的生成,反应的快慢由Pb^2+在生成PZT中扩散的快慢控制,反应过程中生成的钙钛矿PZT的A位是Pb缺位.
关键词 固溶体 锆钛酸铅 先驱体法 反应机理 反应煅烧法 pzt陶瓷 粉末成型
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粗化工艺对锆钛酸铅陶瓷表面化学镀镍层性能的影响 被引量：3
18
作者 渠娇 王亚婷 +1 位作者 黄世峰 张颖 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第16期16120-16124,共5页
化学镀镍前处理工艺中的粗化工艺在化学镀镍过程中具有重要作用。研究了粗化方式对PZT陶瓷表面化学镀镍层性能的影响以确定锆钛酸铅(PZT)陶瓷化学镀镍的最佳化学粗化工艺。实验以PZT陶瓷为基体,采用5种粗化方式进行粗化处理,在低温碱性... 化学镀镍前处理工艺中的粗化工艺在化学镀镍过程中具有重要作用。研究了粗化方式对PZT陶瓷表面化学镀镍层性能的影响以确定锆钛酸铅(PZT)陶瓷化学镀镍的最佳化学粗化工艺。实验以PZT陶瓷为基体,采用5种粗化方式进行粗化处理,在低温碱性镀液中施镀,获得Ni-P合金镀层。通过镀层外观(完整度、均匀度、光亮度)检测,镀层与基体间结合力、镀速、镀层耐腐蚀性、表面形貌(SEM)、元素组成以及物相结构(XRD)测试,对5种粗化方式进行了比较。结果表明,氢氧化钠加乙二胺(NaOH-C2H8N2)体系是最适合PZT陶瓷化学镀镍的化学粗化工艺。粗化工艺配方为质量分数30%的NaOH,时间30min,温度30℃,添加30mL/L的C2H8N2。 展开更多
关键词 pzt陶瓷 化学镀镍 粗化工艺 镀层性能
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PZT陶瓷表面金属化的研究──（Ⅳ）后处理的实施及其作用
19
作者 施宪法 李学静 +1 位作者 刘艳生 郑企雨 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 1996年第1期44-48,共5页
利用化学镀方法在ＰＺＴ陶瓷表面制得的镀镍层，必须经过后处理才能最后完成ＰＺＴ陶瓷表面金属化过程，以制成合用的镍电极。后处理包括电镀镍及低温、高温热处理等步骤。本文报导了这种后处理的实施过程、控制条件及其结果，并讨论了... 利用化学镀方法在ＰＺＴ陶瓷表面制得的镀镍层，必须经过后处理才能最后完成ＰＺＴ陶瓷表面金属化过程，以制成合用的镍电极。后处理包括电镀镍及低温、高温热处理等步骤。本文报导了这种后处理的实施过程、控制条件及其结果，并讨论了后处理对于ＰＺＴ陶瓷表面金属化及对ＰＺＴ陶瓷元器件的电学性能的影响。 展开更多
关键词 pzt陶瓷 电镀 热处理 压电陶瓷 镀镍
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PZT及掺La^（3＋）、Nb^（5＋）PZT的性能初探和态密度计算 被引量：1
20
作者 崔万秋 周玉琴 陈国 《武汉工业大学学报》 CSCD 1996年第2期5-8,共4页
用固相化学反应陶瓷烧结法制备了ＰＺＴ及掺Ｌａ３＋、Ｎｂ５＋的ＰＺＴ压电陶瓷片，利用ＸＲＤ、ＸＰＳ现代测试手段分析了样品的结构和性能，并测试了其压电性能。从理论上阐述了掺杂Ｌａ３＋、Ｎｂ５＋离子对ＰＺＴ样品的性能影响。... 用固相化学反应陶瓷烧结法制备了ＰＺＴ及掺Ｌａ３＋、Ｎｂ５＋的ＰＺＴ压电陶瓷片，利用ＸＲＤ、ＸＰＳ现代测试手段分析了样品的结构和性能，并测试了其压电性能。从理论上阐述了掺杂Ｌａ３＋、Ｎｂ５＋离子对ＰＺＴ样品的性能影响。用量子化学计算方法计算了样品的电子态密度．并将计算结果与ＸＰＳ测试结果作比较。 展开更多
关键词 压电陶瓷 掺杂 态密度 pzt陶瓷 钙钛矿型结构
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