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分压控制下高纯、高x值CdZnTe晶体气相生长的研究 被引量：3
1
作者 钱永彪 桑文斌 +3 位作者 王林军 史伟民 闵嘉华 吴汶海 《红外技术》 CSCD 北大核心 1998年第6期17-21,16,共6页
尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４～０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究。探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体... 尝试采用布里奇曼法生长ＣｄＺｎＴｅ为原材料进行了高ｘ值（ｘ＝０．０４～０．６０）Ｃｄ１－ｘＺｎｘＴｅ晶体在压力控制下的物理气相输运（ＰＶＴ）生长研究。探讨了Ｃｄ源和ＣｄＺｎ合金温度对晶体电学性质的影响。并对ＰＶＴ晶体的纯度、位错坑密度、纵向组成分布以及红外透过率、ＰＬ光谱等进行了检测和分析。 展开更多
关键词 pvt生长 核探测器 红外光学材料 晶体生长
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