期刊文献+
共找到24篇文章
< 1 2 >
每页显示 20 50 100
开关电源芯片中过温保护技术的研究与实现 被引量:7
1
作者 邹雪城 邵轲 +1 位作者 郑朝霞 陈松涛 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2006年第7期192-194,共3页
在分析温度对开关电源芯片的可靠性、稳定性有严重影响的基础上,利用与绝对温度成正比的PTAT电流检测温度变化的原理,设计了一种新颖的过温保护电路。该电路具有迟滞功能,并且关断和开启阈值可调,同时输入电压变化对温度门限的影响很小... 在分析温度对开关电源芯片的可靠性、稳定性有严重影响的基础上,利用与绝对温度成正比的PTAT电流检测温度变化的原理,设计了一种新颖的过温保护电路。该电路具有迟滞功能,并且关断和开启阈值可调,同时输入电压变化对温度门限的影响很小。仿真波形显示该电路工作性能优异。最后该电路应用在DC-DC芯片中,采用1.6μmBiCMOS工艺,完全满足芯片设计需要,具有很大的应用前景。 展开更多
关键词 过温保护技术 开关电源 ptat电流 迟滞功能
下载PDF
一种基于控制PTAT电流的温度系数可调带隙基准源 被引量:5
2
作者 仇岩 魏廷存 +1 位作者 王佳 郑然 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期105-109,共5页
设计了一种温度系数可调的带隙基准源,利用控制PTAT电流的大小产生具有不同温度系数的基准电压,仅采用两个双极型晶体管,具有较好的电源噪声抑制特性。与传统方法相比,简化了电路结构,减小了占用芯片面积,改善了版图设计的对称性。该电... 设计了一种温度系数可调的带隙基准源,利用控制PTAT电流的大小产生具有不同温度系数的基准电压,仅采用两个双极型晶体管,具有较好的电源噪声抑制特性。与传统方法相比,简化了电路结构,减小了占用芯片面积,改善了版图设计的对称性。该电路在更宽的调节范围内,通过4位控制信号可实现16级的温度系数调节,同时通过设计专门电路提高了电源噪声抑制比。采用0.35μm CMOS工艺实现了该带隙基准源。仿真结果表明,基准电压的温度系数可在-1.76^+1.84 mV/℃范围内进行调节,低频时基准电压的PSRR达到-110 dB。 展开更多
关键词 带隙基准 ptat电流 温度系数可调 PSRR
下载PDF
可用于音频功放的过温保护电路设计 被引量:4
3
作者 覃贤芳 唐宁 杨盛波 《电子科技》 2009年第10期7-9,35,共4页
在分析温度对集成电路芯片工作可靠性、安全性影响的基础上,利用与温度成正比的PTAT电流和负温度系数的PN结电压,设计了一种低功耗的过温保护电路。该电路结构简单、工艺兼容性好、具有良好的移植性,可以应用于音频功放及各类集成电路... 在分析温度对集成电路芯片工作可靠性、安全性影响的基础上,利用与温度成正比的PTAT电流和负温度系数的PN结电压,设计了一种低功耗的过温保护电路。该电路结构简单、工艺兼容性好、具有良好的移植性,可以应用于音频功放及各类集成电路芯片中。同时该电路还具有温度的迟滞特性,可以更好地保护芯片,避免振荡的产生。0.35μm Cadence Specture仿真结果表明,该电路功耗低且可以实现高精度的过温保护功能。 展开更多
关键词 热保护 ptat电流 CMOS工艺 迟滞特性
下载PDF
温度系数连续可调的带隙基准源电路设计 被引量:3
4
作者 庄楚楠 许佳雄 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期412-417,共6页
为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路... 为了对薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片的驱动电压进行温度补偿以改善TFT-LCD的性能,本文基于标准CMOS(3.3V)的chrt35rf 0.35$m工艺,设计了一款温度系数可连续调节的带隙基准电压源,其中包括核心电路、运算放大器电路和启动电路3个子模块。该电路使用MOS晶体管作为可变电阻,通过调节MOS栅极电压控制MOS漏源等效电阻的连续可变,进而改变电路中的电阻比值,实现带隙基准源的温度系数连续可调。使用Cadence的Spectre仿真器进行仿真,结果表明,在-25~125℃的工作温度范围内,带隙基准源电路的输出电压的正温度系数可连续调节范围为156.6~2 545.0ppm/℃,输出电压的负温度系数的连续变化范围为156.6~1 337.7ppm/℃,输出基准电压变化为0.95~2.67V,低频时基准电压的电源抑制比达到73.13dB。该电路实现了基准电压从负温度系数向正温度系数的连续可调节,且调节范围较大。 展开更多
关键词 带隙基准源 温度系数连续可调 ptat电流 PNP晶体管
下载PDF
低温度系数低功耗带隙基准的设计 被引量:2
5
作者 吴庆 李富华 +1 位作者 黄君山 侯汇宇 《电子与封装》 2019年第6期25-28,共4页
对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0.4μm的CMOS工艺设计了一个低温度系数、低功... 对带隙基准电压源的温度系数和功耗进行了分析研究,采用与绝对温度成正比(PTAT)的电流和与绝对温度互补(CTAT)的电流加权和技术,同时采用放大器工作在亚阈值区技术及运放失调补偿技术,基于0.4μm的CMOS工艺设计了一个低温度系数、低功耗的基准电压电路。通过电源电压、工作温度及工艺角对基准电压影响的仿真,结果表明该带隙基准源典型的温度系数为2×10^-6/℃,功耗为5.472μW,基准电压为1.32V,电源抑制比为83.5dB,实现了低温度系数、低功耗特性,且电路工作稳定。 展开更多
关键词 带隙基准电压 ptat电流 CTAT电流 温度系数
下载PDF
A CMOS Voltage Reference Based on V_(GS) and ΔV_(GS) in the Weak Inversion Region 被引量:1
6
作者 夏晓娟 谢亮 孙伟锋 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第8期1523-1528,共6页
A CMOS voltage reference, which is based on VGs and/x ΔGS in the weak inversion region, has been designed and implemented in standard 0.6μm CMOS technology. No diodes and parasitic bipolar junction transistors (BJT... A CMOS voltage reference, which is based on VGs and/x ΔGS in the weak inversion region, has been designed and implemented in standard 0.6μm CMOS technology. No diodes and parasitic bipolar junction transistors (BJTs) are used. The proposed voltage reference uses a current-mode topology by summing a PTAT current and a CTAT current into a re- sistor to generate the required reference voltage. It can also provide more than one reference voltage output, which is quite suitable for systems requiring many different reference voltages simultaneously. The occupied chip area is 0. 023mm^-2 . The operation supply voltage is from 2.5 to 6V, and the maximum supply current is 8.25μA. The designed three different out- puts are respectively about 203mV, 1.0V, and 2.05V at room temperature when the supply voltage is 4V. The circuit achieves a temperature coefficient of 31ppm/℃ in the temperature range of 0 to 100℃ and an average line regulation of ± 0. 203%/V. The voltage reference has been successfully applied in a white LED backlight driver chip. 展开更多
关键词 CMOS voltage reference CTAT current ptat current temperature coefficient weak inversion region
下载PDF
使用PTAT电流补偿的基准电流源 被引量:3
7
作者 滕谋艳 《科技视界》 2014年第33期106-106,139,共2页
本文提出了一种使用PTAT电流来做温度补偿的基准电流源电路。在常见的电压控制的基准电流源的基础上,叠加一路PTAT电流,使得基准电流源实现接近零温度系数的温度特性,同时,使用这种温度补偿方法,基准电路源可以使用正温度系数的电阻,电... 本文提出了一种使用PTAT电流来做温度补偿的基准电流源电路。在常见的电压控制的基准电流源的基础上,叠加一路PTAT电流,使得基准电流源实现接近零温度系数的温度特性,同时,使用这种温度补偿方法,基准电路源可以使用正温度系数的电阻,电阻设计时就有了更多的器件选择空间。通过选择随工艺变化较小的正温度系数电阻,可以得到更高的电流精度。 展开更多
关键词 ptat电流 基准电流 温度补偿
下载PDF
一种低电压CMOS带隙基准源的分析与设计 被引量:2
8
作者 杨永豪 《电子科技》 2005年第12期20-23,共4页
分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基... 分析了一种无需低阈值电压器件的低压CMOS带隙基准源结构,通过具体电路分析和设计验证了该结构相比于传统的基准源结构可以大大降低电源电压。基于0.5um商用标准CMOS工艺,使用Hspice仿真该电路得到结果为:最低电源电压为1.45V、输出基准电压604mV、温漂12PPM/℃。 展开更多
关键词 CMOS带隙基准 温度系数 低电压 ptat电流
下载PDF
一种适用于无源RFID测温标签的温度传感器 被引量:2
9
作者 孔令荣 《电子技术应用》 北大核心 2013年第4期48-51,共4页
提出了一个适用于无源RFID温度检测标签芯片的低压、低功耗、快速A/D转换的数字温度传感器电路。采用BJT管的Vbe电压和PTAT电流相结合的方法,同时使用SAR A/D转换器,避免了使用带隙基准电压电路所需的较高工作电压,使电路在1 V以上就可... 提出了一个适用于无源RFID温度检测标签芯片的低压、低功耗、快速A/D转换的数字温度传感器电路。采用BJT管的Vbe电压和PTAT电流相结合的方法,同时使用SAR A/D转换器,避免了使用带隙基准电压电路所需的较高工作电压,使电路在1 V以上就可工作。电路的功耗电流约4μA,使用80 kHz的时钟,A/D转换时间小于100μs。 展开更多
关键词 温度传感器 无源RFID 逐次逼近A D转换器 温度系数 ptat电流
下载PDF
一种新型高精度CMOS电压基准源 被引量:1
10
作者 彭伟 谢海情 邓欢 《电子器件》 CAS 2007年第3期863-865,共3页
在分析MOS管电流电压的温度特性的基础上,基于对两个连接成二极管形式的对称NMOS管通以不同大小的PTAT电流,NMOS管的栅压将向不同方向变化这一原理,通过对这两个NMOS管的栅压进行相互补偿,设计了一种新型的CMOS基准电压源.电路采用TSMC0... 在分析MOS管电流电压的温度特性的基础上,基于对两个连接成二极管形式的对称NMOS管通以不同大小的PTAT电流,NMOS管的栅压将向不同方向变化这一原理,通过对这两个NMOS管的栅压进行相互补偿,设计了一种新型的CMOS基准电压源.电路采用TSMC0.18μmCMOS工艺进行设计,基于BSIM3V3模型,利用Cadence的Spectre工具对电路进行仿真.结果表明:当电源电压VDD=1.2V时,其温度系数仅为28×10-6/℃. 展开更多
关键词 基准电压源 ptat电流 温度系数 CMOS
下载PDF
一种带热滞回功能的CMOS温度保护电路
11
作者 汤洵 张涛 《现代电子技术》 2009年第22期4-6,共3页
基于CSMC 0.5μm CMOS工艺设计了一种带热滞回功能的高精度温度保护电路,利用晶体管PN结和PTAT电流相反的温度特性,极大地提高了温差鉴别的灵敏度。Cadence Spectre仿真结果表明,该电路对温度灵敏度高,功耗低,且其热滞回功能可有效防止... 基于CSMC 0.5μm CMOS工艺设计了一种带热滞回功能的高精度温度保护电路,利用晶体管PN结和PTAT电流相反的温度特性,极大地提高了温差鉴别的灵敏度。Cadence Spectre仿真结果表明,该电路对温度灵敏度高,功耗低,且其热滞回功能可有效防止热振荡。比普通单PN结的温度保护电路具有更高的灵敏度和精度,可广泛用于各种功率芯片内部。 展开更多
关键词 CMOS 温度保护 ptat电流 热滞回
下载PDF
一种新颖不带电阻的基准电压源电路设计
12
作者 谭炜锋 刘辉华 《现代电子技术》 2009年第14期188-190,共3页
基于标准SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低温漂、高精度基准电压源,该电压源是根据两个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压差原理,产生一个与绝对温度成正比(PTAT)的电流,利用它对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,得到该电压源。此基准电压... 基于标准SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计一种低温漂、高精度基准电压源,该电压源是根据两个工作在饱和区的NMOS管的栅源电压差原理,产生一个与绝对温度成正比(PTAT)的电流,利用它对NMOS晶体管的阈值电压进行补偿,得到该电压源。此基准电压源电路仅使用NMOS和PMOS晶体管来实现。在-40^+80℃的温度变化范围内,它的温漂系数约为6.12 ppm/℃。 展开更多
关键词 ptat电流 弱反型NMOS 二极管连接NMOS 阈值电压 基准电压
下载PDF
改进结构的低压低功耗CMOS带隙基准源
13
作者 王鑫 李冬梅 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1140-1143,1151,共5页
提出了一种低电压、低功耗、中等精度的带隙基准源,针对电阻分流结构带隙基准源在低电源电压下应用的不足作出了一定的改进,整体电路结构简单且便于调整,同时尽可能地减少了功耗。该电路采用UMC0.18μm Mixed Mode 1.8 VCMOS工艺实现。... 提出了一种低电压、低功耗、中等精度的带隙基准源,针对电阻分流结构带隙基准源在低电源电压下应用的不足作出了一定的改进,整体电路结构简单且便于调整,同时尽可能地减少了功耗。该电路采用UMC0.18μm Mixed Mode 1.8 VCMOS工艺实现。测试结果表明,电路在1 V电源电压下,在-20-130℃的温度范围内,基准电压的温度系数为20×10-6/℃,低频时的电源电压抑制比为-54 dB,1 V电源电压下电路总功耗仅为3μW。 展开更多
关键词 带隙基准源 低电压 低功耗 ptat电流 温度系数
下载PDF
一种BiCMOS过温保护电路 被引量:7
14
作者 谭春玲 常昌远 邹一照 《电子器件》 CAS 2006年第2期357-359,364,共4页
在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对... 在分析现有过温保护电路的基础上,针对它们电路结构复杂、功耗较高、工作电压高等缺点提出了一种用于集成电路内部的采用BiCMOS工艺的过温保护电路,电路结构简单、功耗较低、工作电压低、抗干扰能力强,对温度的迟滞特性避免了热振荡对芯片带来的危害。采用0.6μmBiCMOS工艺的HSPICE仿真结果表明,该电路对因电源电压、和工艺参数变化而引起的温度迟滞特性的漂移具有很强的抑制能力。 展开更多
关键词 过温保护电路 BICMOS ptat电流
下载PDF
一种嵌入Bicmos带隙电路的过温保护电路 被引量:3
15
作者 吴斯敏 邹雪城 余国义 《舰船电子工程》 2007年第4期151-153,共3页
提出一种集成于带隙电路中的过温保护电路。该电路结构简单,在正常温度工作情况下不消耗额外功耗,具有低功耗的特性,同时电路不受电源电压变化的影响。电路采用JAZZ0.5umBiCMOS工艺库模型,对电路进行仿真表明,电路对电源电压变化的抑制... 提出一种集成于带隙电路中的过温保护电路。该电路结构简单,在正常温度工作情况下不消耗额外功耗,具有低功耗的特性,同时电路不受电源电压变化的影响。电路采用JAZZ0.5umBiCMOS工艺库模型,对电路进行仿真表明,电路对电源电压变化的抑制能力强、对阈值温度和迟滞温度差的精度高。 展开更多
关键词 BICMOS 过温保护 ptat电流 迟滞功能
下载PDF
新型电流基准源的设计与实现 被引量:3
16
作者 庞波 刘文平 《电子器件》 CAS 2006年第3期718-721,共4页
通过比较几种典型的电流基准源在电路结构、温度特性等方面的优缺点,研究了双极/BiCMOS工艺的电流基准源设计技术。提出了新型的无需启动电路的PTAT(与绝对温度成正比)电流基准源的设计方法,并由此扩展到零温度系数电流基准源的设计技... 通过比较几种典型的电流基准源在电路结构、温度特性等方面的优缺点,研究了双极/BiCMOS工艺的电流基准源设计技术。提出了新型的无需启动电路的PTAT(与绝对温度成正比)电流基准源的设计方法,并由此扩展到零温度系数电流基准源的设计技术。最后,用这种新型PTAT电流基准源和零温度系数的电流基准源分别实现了一种高性能精密运算放大器和模拟振荡器电路。 展开更多
关键词 电流 电流基准源 ptat电流基准源 运算放大器 振荡器
下载PDF
一种应用于LIN收发器的过温保护电路 被引量:3
17
作者 秦怀斌 王忆文 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第5期76-78,83,共4页
基于CSMC(Central Semiconductor Manufacturing Corporation)0.5μm CMOS工艺设计一种应用于LIN收发器的过温保护电路.该电路包含比较器,并利用两种不同温度特性的电压作为比较器的输入电压.比较器的输出电压作为过温保护电路的输出信... 基于CSMC(Central Semiconductor Manufacturing Corporation)0.5μm CMOS工艺设计一种应用于LIN收发器的过温保护电路.该电路包含比较器,并利用两种不同温度特性的电压作为比较器的输入电压.比较器的输出电压作为过温保护电路的输出信号.使用Cadence Spectre工具进行仿真,仿真结果表明,该电路热关断温度为160℃,热开启温度为120℃,具有40℃的热滞回区间. 展开更多
关键词 过温保护 热滞回 ptat电流 亚阈值 LIN收发器
下载PDF
低噪声线性霍尔传感器读出电路设计 被引量:1
18
作者 张小燕 魏榕山 《中国集成电路》 2019年第6期33-37,共5页
基于斩波技术和旋转电流技术,设计了一款低噪声、高精度的线性霍尔传感器读出电路。在传统斩波仪表放大器的基础上,引入开关电容陷波滤波器和PTAT(Proportional To Absolute Temperature)电流补偿技术,实现了低纹波、低噪声和低温漂。采... 基于斩波技术和旋转电流技术,设计了一款低噪声、高精度的线性霍尔传感器读出电路。在传统斩波仪表放大器的基础上,引入开关电容陷波滤波器和PTAT(Proportional To Absolute Temperature)电流补偿技术,实现了低纹波、低噪声和低温漂。采用SMIC 0.18μm CMOS工艺,在电源电压为3.6V,斩波频率为250kHz下,对所设计的电路进行仿真验证。通过Spectre仿真,电路-3dB带宽为11.5kHz,纹波抑制比为39.6dB,输入等效参考噪声功率谱密度PSD为15.4nV/√Hz,非线性均在0.5%以内,整体电路能在-40℃至150℃温度范围内精确而稳定的工作。 展开更多
关键词 线性霍尔传感器 旋转电流技术 斩波技术 陷波滤波器 ptat电流补偿
下载PDF
一种三阶曲率补偿带隙基准电压源的设计 被引量:11
19
作者 张献中 张涛 《武汉科技大学学报》 CAS 北大核心 2015年第1期67-71,共5页
在传统电流求和模式带隙基准电压源的基础上进行改进,设计了一种简单的三阶曲率补偿带隙基准电压源。该基准源由启动电路、低压高增益两级运算放大器、基准核心电路和高阶曲率补偿电路组成。在低温段,通过PMOS管进行二阶补偿;在高温段,... 在传统电流求和模式带隙基准电压源的基础上进行改进,设计了一种简单的三阶曲率补偿带隙基准电压源。该基准源由启动电路、低压高增益两级运算放大器、基准核心电路和高阶曲率补偿电路组成。在低温段,通过PMOS管进行二阶补偿;在高温段,通过PTAT2电流进行三阶补偿。基于CSMC 0.35μm CMOS工艺,采用Cadence软件对设计电路进行仿真分析。结果表明,在-40-125℃温度范围内,5V电源电压下,基准源输出电压为1.226V,输出电压变化范围为0.51mV,基准源的温度系数为2.5×10^-6/℃,低频时的电源抑制比为-67dB。 展开更多
关键词 带隙基准电压源 高阶曲率补偿 ptat2电流 温度系数 基准电路
下载PDF
一种自偏置电流CMOS基准源的分析与设计 被引量:2
20
作者 张超 罗萍 杨永豪 《电子科技》 2006年第5期31-33,共3页
采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到... 采用了一种结构新颖的CMOS基准源结构,该电路结构利用带隙基准结构产生的高精度PTAT电流作为内部OPAMP的自偏置电流,从而省去了PTAT电流产生电路,使芯片面积更小,基准电流更加接近理想的PTAT电流。该电路结构产生的带隙基准电压温漂达到18.8PPM/℃,PTAT电流几乎与电源电压无关。 展开更多
关键词 自偏置电流 带隙基准电压 ptat基准电流 运算放大器 温度系数
下载PDF
上一页 1 2 下一页 到第
使用帮助 返回顶部