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PS-VA模式预倾角的影响因素研究
1
作者
梁瑞祥
徐凯
+5 位作者
温刚
崔青
员国良
李元元
王岩
段楠
《河北省科学院学报》
CAS
2024年第3期55-58,63,共5页
TFT-LCD有多种显示模式,其中PS-VA模式以其高透过率、高对比度而被广泛应用。与传统的VA显示模式相比,PS-VA模式不需要通过PI来控制预倾角大小。PS-VA模式是在液晶中添加一定量的可聚合性化合物(RM),通过改变制程条件实现不同的预倾角...
TFT-LCD有多种显示模式,其中PS-VA模式以其高透过率、高对比度而被广泛应用。与传统的VA显示模式相比,PS-VA模式不需要通过PI来控制预倾角大小。PS-VA模式是在液晶中添加一定量的可聚合性化合物(RM),通过改变制程条件实现不同的预倾角大小。本文主要研究了RM浓度、UV1加电电压、UV1固化光计量三个条件对预倾角大小的影响。结果表明,预倾角大小和RM浓度、UV1加电电压、UV1固化光计量均有很强的正相关性。在现实生产的过程中,可以根据不同产品的需求来调整相应的影响因素,以达到最佳的预倾角设计。
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关键词
可聚合垂直配向
预倾角
可聚合性化合物
下载PDF
职称材料
PS-VA模式中RM残留量对信赖性的影响(英文)
被引量:
1
2
作者
贵丽红
池宝林
+5 位作者
赵国
高红茹
温刚
李正强
舒克伦
梁瑞祥
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第10期799-803,共5页
PSVA技术已经广泛应用于电视技术,但是残像问题仍然没有解决,为了改善PS-VA电视屏的IS表现,本文通过UV1和UV2制程影响RM来研究RM的残留量与IS表现的关系,结果表明RM残留量和IS有很强的相关性。众所周知,离子浓度是IS问题的关键因素,基...
PSVA技术已经广泛应用于电视技术,但是残像问题仍然没有解决,为了改善PS-VA电视屏的IS表现,本文通过UV1和UV2制程影响RM来研究RM的残留量与IS表现的关系,结果表明RM残留量和IS有很强的相关性。众所周知,离子浓度是IS问题的关键因素,基于分析RM残留量和离子浓度的关系,我们开了一种改善PS-VA模式IS问题的新技术,另外,本文提出通过设计新的母体混晶材料,使PS-VA制程后液晶具有更低RM残留量来改善IS问题,同时通过大量的测试数据验证改善效果,其中离子浓度由Toyo6254测试,通过SEM和AFM来分析表面形态。
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关键词
ps
-
va
残像
RM残留量
离子浓度
液晶
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职称材料
题名
PS-VA模式预倾角的影响因素研究
1
作者
梁瑞祥
徐凯
温刚
崔青
员国良
李元元
王岩
段楠
机构
石家庄诚志永华显示材料有限公司
出处
《河北省科学院学报》
CAS
2024年第3期55-58,63,共5页
基金
石家庄市科技计划项目(226130547A)。
文摘
TFT-LCD有多种显示模式,其中PS-VA模式以其高透过率、高对比度而被广泛应用。与传统的VA显示模式相比,PS-VA模式不需要通过PI来控制预倾角大小。PS-VA模式是在液晶中添加一定量的可聚合性化合物(RM),通过改变制程条件实现不同的预倾角大小。本文主要研究了RM浓度、UV1加电电压、UV1固化光计量三个条件对预倾角大小的影响。结果表明,预倾角大小和RM浓度、UV1加电电压、UV1固化光计量均有很强的正相关性。在现实生产的过程中,可以根据不同产品的需求来调整相应的影响因素,以达到最佳的预倾角设计。
关键词
可聚合垂直配向
预倾角
可聚合性化合物
Keywords
ps
-
va
Pretilt angle
RM
分类号
TN104.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
PS-VA模式中RM残留量对信赖性的影响(英文)
被引量:
1
2
作者
贵丽红
池宝林
赵国
高红茹
温刚
李正强
舒克伦
梁瑞祥
机构
河北省平板显示材料工程技术研究中心/石家庄诚志永华显示材料有限公司
深圳华星光电技术有限公司
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017年第10期799-803,共5页
文摘
PSVA技术已经广泛应用于电视技术,但是残像问题仍然没有解决,为了改善PS-VA电视屏的IS表现,本文通过UV1和UV2制程影响RM来研究RM的残留量与IS表现的关系,结果表明RM残留量和IS有很强的相关性。众所周知,离子浓度是IS问题的关键因素,基于分析RM残留量和离子浓度的关系,我们开了一种改善PS-VA模式IS问题的新技术,另外,本文提出通过设计新的母体混晶材料,使PS-VA制程后液晶具有更低RM残留量来改善IS问题,同时通过大量的测试数据验证改善效果,其中离子浓度由Toyo6254测试,通过SEM和AFM来分析表面形态。
关键词
ps
-
va
残像
RM残留量
离子浓度
液晶
Keywords
ps
-
va
image sticking
RM residual amount
ion density l liquid crystal
分类号
TN141.9 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PS-VA模式预倾角的影响因素研究
梁瑞祥
徐凯
温刚
崔青
员国良
李元元
王岩
段楠
《河北省科学院学报》
CAS
2024
0
下载PDF
职称材料
2
PS-VA模式中RM残留量对信赖性的影响(英文)
贵丽红
池宝林
赵国
高红茹
温刚
李正强
舒克伦
梁瑞祥
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2017
1
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职称材料
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