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题名基于SRAM和PRAM混合主存设计
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作者
姚英彪
陈越佳
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机构
杭州电子科技大学通信工程学院
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出处
《计算机工程与应用》
CSCD
北大核心
2016年第13期69-75,共7页
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基金
国家自然科学基金(No.61100044)
浙江省科技计划资助项目(No.2013C31100)
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文摘
由于DRAM芯片超高的静态功耗,使得利用DRAM构建高性能计算机系统中的大容量主存遇到能耗过大问题,这激发了对新型大容量主存结构的研究。针对上述问题,设计了一种基于SRAM和PRAM的混合主存系统,该系统将SRAM作为PRAM的专用写缓存,并将改进后的LRFU算法应用到SRAM写缓存,从而在对主存系统性能影响不大的前提下,有效降低主存系统的能耗和延长PRAM的可用时间。仿真结果显示,所设计的混合存储结构的能耗-延时积(EDP)为纯DRAM存储结构的40%;此外,与纯PRAM存储结构相比,可使PRAM的写操作次数下降28.5%,与将SRAM作为Cache相比,PRAM写次数下降13%。
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关键词
混合存储器
pram存储器
SRAM写缓存
低功耗
写操作次数
替换算法
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Keywords
hybrid memory
Phase Change Radom Access Memory（pram）
SRAM write buffer
low energy consumption
times of write operation
replacement algorithm
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分类号
TP303
[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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