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用硅光电负阻器件产生光学双稳态
被引量：
9
1
作者
郭维廉
张培宁
+2 位作者
郑云光
李树荣
郭钢
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期108-110,共3页
本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（P...
本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用。
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关键词
硅光电负阻器件
光学双稳态
光逻辑器件
pnegit
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职称材料
光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟
被引量：
1
2
作者
毛陆虹
郭维廉
+4 位作者
李树荣
郑云光
张世林
沙亚男
吴霞宛
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第9期882-886,共5页
给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面...
给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 。
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关键词
pnegit
电路模型
模拟
光电负阻晶管
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职称材料
光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析
被引量：
11
3
作者
郑云光
郭维廉
李树荣
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期105-107,128,共4页
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT。
关键词
负阻晶体管
光电负阻晶体管
光电晶体管
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职称材料
光电负阻晶体管 PNEGIT 的研制
被引量：
2
4
作者
李树荣
郑云光
郭维廉
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第5期545-550,共6页
考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性．
关键词
负阻晶体管
光电负阻晶体管
光电晶体管
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职称材料
题名
用硅光电负阻器件产生光学双稳态
被引量：
9
1
作者
郭维廉
张培宁
郑云光
李树荣
郭钢
机构
天津大学电子信息工程学院
天津农科院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期108-110,共3页
基金
国家自然科学基金
文摘
本文利用作者近期研制出的硅光电表面负阻晶体管（PNEGIT），首次提出并通过实验成功地实现了一种新的光学双稳态即以PNEGIT作为光输入器件，用它驱动一发光管（LED）作为光输出器件，由于PNEGIT具有负阻输出特性，致使LED输出光功率（POUt）一输入光功率（Pin）特性上出现光学双稳环．这种器件具有光开关、光逻辑、光存贮等多种功能，将为硅光电器件在光信息处理、光计算、光通讯等领域中的应用。
关键词
硅光电负阻器件
光学双稳态
光逻辑器件
pnegit
Keywords
Silicon optoelectronic negative resistance device,Optical bistability,Optical logic devices
分类号
TN364.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟
被引量：
1
2
作者
毛陆虹
郭维廉
李树荣
郑云光
张世林
沙亚男
吴霞宛
机构
天津大学电子信息工程学院微电子系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第9期882-886,共5页
基金
国家自然科学基金资助!基金号 694 770 1 1
天津市自然科学基金资助!基金号 983 60 1 4 1 1&&
文摘
给出了光表面控制负阻晶体管 PNEGIT( Photo- Controlled Surface Negative ImpedanceTransistor)的电路模型 ,从栅控晶体管数学模型出发并结合光电池的电路模型 ,用电路模型描写带有表面复合和体复合的器件 ,模型为研究 PNEGIT和表面控制负阻晶体管 NEGIT( Surface- Controlled Negative Impedance Transistor)以及探讨该类器件的新用途提供了一种手段 。
关键词
pnegit
电路模型
模拟
光电负阻晶管
Keywords
photo\|controlled surface negative impeda nce transistor
circuit model
simulation
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析
被引量：
11
3
作者
郑云光
郭维廉
李树荣
机构
天津大学电子工程系
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998年第8期105-107,128,共4页
基金
国家自然科学基金
文摘
考虑到负阻晶体管NEGIT的特性，设计和制造了在光强度100lx和1000lx的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到0．6mA和18mA的光电负阻晶体管PNEGIT。
关键词
负阻晶体管
光电负阻晶体管
光电晶体管
Keywords
Negative impedance transistor, Photo-negative impedance transistor (
pnegit
), Photo-transistor
分类号
TN364.3 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
光电负阻晶体管 PNEGIT 的研制
被引量：
2
4
作者
李树荣
郑云光
郭维廉
机构
天津大学电子信息工程学院
出处
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1998年第5期545-550,共6页
基金
国家自然科学基金
文摘
考虑到负阻晶体管ＮＥＧＩＴ的特点，设计和制造了在光照度１００ｌｘ和１０００ｌｘ的白炽灯光照射下输出光电流可分别达到０．６ｍＡ和１８ｍＡ的光电负阻晶体管ＰＮＥＧＩＴ并测量了其特性．
关键词
负阻晶体管
光电负阻晶体管
光电晶体管
Keywords
negative impedance transistor,photo negative impedance transistor (
pnegit
),photo transistor
分类号
TN364.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用硅光电负阻器件产生光学双稳态
郭维廉
张培宁
郑云光
李树荣
郭钢
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
9
下载PDF
职称材料
2
光电负阻晶体管PNEGIT的电路模型和模拟
毛陆虹
郭维廉
李树荣
郑云光
张世林
沙亚男
吴霞宛
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
1
下载PDF
职称材料
3
光电负阻晶体管(PNEGIT)的研制和特性分析
郑云光
郭维廉
李树荣
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1998
11
下载PDF
职称材料
4
光电负阻晶体管 PNEGIT 的研制
李树荣
郑云光
郭维廉
《天津大学学报》
EI
CAS
CSCD
1998
2
下载PDF
职称材料
已选择
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