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一种大功率压电陶瓷变压器材料的研究 被引量:14
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作者 周桃生 邝安祥 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期332-337,共6页
通过对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_A(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_B Ti_cZr_DO_3(简称PMMN)四元系压电陶瓷材料的研究,发现在其室温矩形相图内存在一“交叉”性过渡位置,在此位置上的基本试样PMMN-1具有高压电性、低机电损耗、温度稳定性好、机械强度... 通过对Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))_A(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_B Ti_cZr_DO_3(简称PMMN)四元系压电陶瓷材料的研究,发现在其室温矩形相图内存在一“交叉”性过渡位置,在此位置上的基本试样PMMN-1具有高压电性、低机电损耗、温度稳定性好、机械强度高等优点,是一种开发大功率压电变压器及其它压电器件的较佳材料。适量添加CeO_2和以Sr部分取代Pb,可较好地改善其温度稳定性。该材料与一般二、三元系压电材料相比,还具有性能易于调整,预烧温度与烧成温度低,烧结范围宽,PbO挥发量小,易于制备出均质的高性能压电陶瓷等工艺特点。 展开更多
关键词 压电陶 变压器材料 pmmn
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用于驻波超声马达的压电陶瓷材料的研究 被引量:2
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作者 范素华 龚红宇 《山东建材学院学报》 1997年第1期10-14,共5页
制备了性能优良、适合于驻波超声马达的四元系压电陶瓷材料。测量了其压电性能,分析了铈含量和锶含量对材料压电性能的影响以及产生影响的原因,研究了预烧温度、烧结条件以及极化条件等工艺制度对材料压电性能的影响。
关键词 压电陶瓷 pmmn 压电性能 超声马达
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MgO掺杂对PMMN四元系压电陶瓷结构与性能的影响 被引量:2
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作者 蒋红霞 周桃生 +2 位作者 彭绯 尚勋忠 余祖高 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第2期356-359,共4页
采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降... 采用固相烧结法制备添加过量MgO的铌镁-铌锰-锆钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料,研究了不同MgO掺杂量对材料结构及压电介电性能的影响。实验结果表明,适量MgO掺杂,不仅不改变PMMN压电陶瓷的钙钛矿相结构,且能提高合成粉体的晶化程度,降低陶瓷的烧结温度,改善材料的压电介电性能。当MgO掺杂量为0.25%质量分数,1130℃烧结的样品性能参数为:d33=310 pC/N,Qm=1008,kp=0.61,tanδ=0.34%,ε33T/ε0=1494,是一种中温烧结功率型压电陶瓷材料,适用于多层压电变压器,超声马达等器件。 展开更多
关键词 压电陶瓷 铌镁-铌锰-锆钛酸铅 MgO掺杂 压电介电性能
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STRUCTURE AND PROPERTY OF PIEZOELECTRIC CERAMICS OF QUATERNARY SYSTEM
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作者 崔万秋 周静 刘黎 《Journal of Wuhan University of Technology(Materials Science)》 SCIE EI CAS 1995年第1期17-22,共6页
Composite perovskite piezoelectric ceramics of PMMN quaternary system were prepared by cold-pressing and solid-phase sintering. Piezoelectric modulus and density of the samples were measured after polarization. X-ray ... Composite perovskite piezoelectric ceramics of PMMN quaternary system were prepared by cold-pressing and solid-phase sintering. Piezoelectric modulus and density of the samples were measured after polarization. X-ray diffraction analysis and SEM were used to prove the result that the major phase of the piezoelectric ceramic spectimen based on PZT is PZT phase,which is tetragonal system and P-4mm space group. 展开更多
关键词 PIEZOELECTRIC CERAMIC pmmn QUATERNARY SYSTEM PIEZOELECTRIC MODULUS PEROVSKITE STRUCTURE
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STUDY OF LARGE OUTPUT POWER PIEZOELECTRIC CERAMIC TRANSFORMER
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作者 邝安祥 周桃生 +1 位作者 何昌鑫 柴荔英 《Chinese Science Bulletin》 SCIE EI CAS 1989年第24期2088-2092,共5页
The piezoelectric ceramic transformer has been more and more widely applied in elec tronic devices of high voltage and small current due to its novel features in the high voltage field: very high voltage step-up ratio... The piezoelectric ceramic transformer has been more and more widely applied in elec tronic devices of high voltage and small current due to its novel features in the high voltage field: very high voltage step-up ratio, small in size, light in weight and non-metal material in use; it cannot be burnt while the load circuit is shorted, and broken down in high voltage field; 展开更多
关键词 pmmn QUATERNARY PIEZOELECTRIC CERAMICS PIEZOELECTRIC TRANSFORMER OUTPUT power characteristics.
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PMMN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究 被引量:2
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作者 杨为中 周大利 +3 位作者 孙清池 尹光福 张云 罗庆平 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第2期10-12,24,共4页
研究了铌镁酸铅铌锰酸铅锆钛酸铅(PMMN-PZT)四元系统压电陶瓷材料的配方、工艺条件及对各项性能指标的影响。在相界附近研究了四种不同配方的PMMN-PZT压电陶瓷,通过SEM观察、性能测试、居里温度表征等手段,确定了较佳的配方组成、材料... 研究了铌镁酸铅铌锰酸铅锆钛酸铅(PMMN-PZT)四元系统压电陶瓷材料的配方、工艺条件及对各项性能指标的影响。在相界附近研究了四种不同配方的PMMN-PZT压电陶瓷,通过SEM观察、性能测试、居里温度表征等手段,确定了较佳的配方组成、材料的烧结温度及极化制度。研究表明:所得PMMN-PZT压电陶瓷的较佳组成为0.06Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.06Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.44PbZrO3-0.44PbTiO3+0.2%质量分数的CeO2,适宜的烧结温度为1200,极化电场为3000V/mm,极化温度为150。所制备的压电陶瓷的相对介电常数33T/0为1100;介质损耗tg为0.004;压电常数d33为290?0-12C/N,g33为28.0?0-3Vm/N;机电耦合系数kP为0.55;机械品质因数Qm为1200。 展开更多
关键词 铌镁酸铅 锆钛酸铅 压电陶瓷 电学性能
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溶胶-凝胶法制备 PMMN 陶瓷
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作者 李美成 宋威 +1 位作者 桂太龙 李燕飞 《哈尔滨理工大学学报》 CAS 1998年第1期23-26,共4页
用溶胶-凝胶(Sol-Gel)法制备了PbZrO3-PbTiO3(PZT)基四元系压电陶瓷(PMMN)。经X射线衍射分析、扫描电镜及密度测试表明,材料主晶相为四方晶系,所得陶瓷致密,晶粒均匀,具有较好的介电性能。
关键词 溶胶-凝胶法 pmmn压电陶瓷 四方晶系
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压电陶瓷变压器材料PMMN-PZT的研究 被引量:1
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作者 谭训彦 吴媛 +1 位作者 陆佩文 薛万荣 《中国陶瓷工业》 CAS 北大核心 2004年第1期6-9,共4页
研究了一种四元系压电陶瓷变压器材料PMMN -PZT。XRD分析证明 ,采用二步法预合成的PMMN -PZT粉料不如一步法 ;SEM分析进一步证实了一步法预合成的粉料能制成性能更好的陶瓷样品。造粒工艺对陶瓷样品的显微结构和压电性能也有重要的影响... 研究了一种四元系压电陶瓷变压器材料PMMN -PZT。XRD分析证明 ,采用二步法预合成的PMMN -PZT粉料不如一步法 ;SEM分析进一步证实了一步法预合成的粉料能制成性能更好的陶瓷样品。造粒工艺对陶瓷样品的显微结构和压电性能也有重要的影响。最后制得了性能较好的PMMN -PZT压电陶瓷材料 ,其Kp=0 .5 18,Qm=3887,tanδ =0 .71% ,εT3 3 /ε0 =70 1,d3 3 =2 0 3。 展开更多
关键词 压电陶瓷 变压器材料 pmmn-PZT 铌镁酸铅 铌锰酸铅 锆钛酸铅
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压电陶瓷变压器在雷达CRT显示器高压电源中应用研究 被引量:1
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作者 柴荔英 牛涛 《湖北大学学报(自然科学版)》 CAS 北大核心 2005年第1期37-39,共3页
以四元系PMMN压电陶瓷变压器为升压器件,以脉宽调制器(PWM)和MOSFEET管所组成的开关振荡器为驱动电路,研制出适用于雷达显示系统的多路输出10kV压电陶瓷变压器高压电源.由于压电陶瓷变压器具有许多优点,不仅提高雷达整机的可靠性,而且... 以四元系PMMN压电陶瓷变压器为升压器件,以脉宽调制器(PWM)和MOSFEET管所组成的开关振荡器为驱动电路,研制出适用于雷达显示系统的多路输出10kV压电陶瓷变压器高压电源.由于压电陶瓷变压器具有许多优点,不仅提高雷达整机的可靠性,而且能适应当前军事产品小型化、机动性强的发展需要. 展开更多
关键词 雷达 高压电源 脉宽调制器 多路输出 CRT显示器 压电陶瓷变压器 振荡器 开关 PWM 整机
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Anisotropic plasmon dispersion and damping in multilayer 8-Pmmn borophene structures
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作者 Kejian Liu Jian Li +1 位作者 Qing-Xu Li Jia-Ji Zhu 《Chinese Physics B》 SCIE EI CAS CSCD 2022年第11期510-514,共5页
We investigate the collective plasma oscillations theoretically in multilayer 8-Pmmn borophene structures,where the tilted Dirac electrons in spatially separated layers are coupled via the Coulomb interaction.We calcu... We investigate the collective plasma oscillations theoretically in multilayer 8-Pmmn borophene structures,where the tilted Dirac electrons in spatially separated layers are coupled via the Coulomb interaction.We calculate the energy dispersions and Landau dampings of the multilayer plasmon excitations as a function of the total number of layers,the interlayer separation,and the different orientations.Like multilayer graphene,the plasmon spectrum in multilayer borophene consists of one in-phase optical mode and N-1 out-of-phase acoustical modes.We show that the plasmon modes possess kinks at the boundary of the interband single-particle continuum and the apparent anisotropic behavior.All the plasmon modes approach the same dispersion at a sufficiently large interlayer spacing in the short-wavelength limit.Especially along specific orientations,the optical mode could touch an energy maximum in the nondamping region,which shows non-monotonous behavior.Our work provides an understanding of the multilayer borophene plasmon and may pave the way for multilayer borophene-based plasmonic devices. 展开更多
关键词 PLASMON 8-pmmn borophene MULTILAYER two-dimensional materials
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Anisotropic and valley-resolved beamsplitter based on a tilted Dirac system
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作者 Xixuan Zhou Jianlong Zheng Feng Zhai 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2022年第7期138-145,共8页
We investigate theoretically valley-resolved lateral shift of electrons traversing an n–p–n junction bulit on a typical tilted Dirac system(8-Pmmn borophene). A gauge-invariant formula on Goos–H?nchen(GH) shift of ... We investigate theoretically valley-resolved lateral shift of electrons traversing an n–p–n junction bulit on a typical tilted Dirac system(8-Pmmn borophene). A gauge-invariant formula on Goos–H?nchen(GH) shift of transmitted beams is derived, which holds for any anisotropic isoenergy surface. The tilt term brings valley dependence of relative position between the isoenergy surface in n region and that in the p region. Consequently, valley double refraction can occur at the n–p interface. The exiting positions of two valley-polarized beams depend on the incident angle and energy of incident beam and barrier parameters. Their spatial distance D can be enhanced to be ten to a hundred times larger than the barrier width. Due to tilting-induced high anisotropy of the isoenergy surface, D depends strongly on the barrier orientation. It is always zero when the junction is along the tilt direction of Dirac cones. Thus GH effect of transmitted beams in tilted Dirac systems can be utilized to design anisotropic and valleyresolved beam-splitter. 展开更多
关键词 Goos-H?nchen shift anisotropic isoenergy surface 8-pmmn borophene valley double refraction
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