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题名ICP刻蚀Si/PMMA选择比工艺研究
被引量：2
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作者
虎将
蔡长龙
刘卫国
巩燕龙
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机构
西安工业大学光电微系统研究所
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出处
《微处理机》
2014年第1期9-11,14,共4页
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基金
国防基础研究项目(A0920110019)
国防基础科研计划资助(A0920110016)
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文摘
为了将聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)上的图案等比例的转移到硅基材料上,对基于感应耦合等离子体技术(Inductively Coupled Plasma,ICP)的Si和PMMA的刻蚀速率进行了研究。结合英国牛津仪器公司的ICP180刻蚀系统,以SF6和O2混合气体为反应气体,研究了在其他参数相同的情况下,不同气体比例对两种材料刻蚀速率的影响,得到刻蚀速率随气体比例变化的曲线,并得出了对于Si和PMMA刻蚀速率相同时的气体比例。实验发现,如果增加反应气体中SF6的比重,会加快Si的刻蚀速率而降低PMMA的刻蚀速率,反之,若降低SF6的比重而增加O2的比重,则会相应降低Si的刻蚀速率而增加PMMA的刻蚀速率。据此,通过调节反应气体的比例,实现对Si和PMMA的同速率去除。
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关键词
等离子体刻蚀
SI
pmma选择比
图层转移
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Keywords
Plasma etching
Si/pmma ratio
Pattern transfer
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分类号
O439
[机械工程—光学工程]
TN305.7
[理学—光学]
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