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La掺杂浓度对PLZT薄膜红外光学性质的影响 被引量：4
1
作者 胡志高 石富文 +4 位作者 黄志明 王根水 孟祥建 林铁 褚君浩 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2003年第7期1624-1629,共6页
采用溶胶 凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为 2 5— 12 6 μm范围内PLZ... 采用溶胶 凝胶法在Pt Ti SiO2 Si衬底上制备了不同La掺杂浓度PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜 .x射线衍射分析表明制备的PLZT(x 4 0 6 0 )薄膜是具有单一钙钛矿结构的多晶薄膜 .通过红外椭圆偏振光谱仪测量了波长为 2 5— 12 6 μm范围内PLZT薄膜的椭偏光谱 ,采用经典色散模型拟合获得PLZT薄膜的红外光学常数 ,同时也拟合获得PLZT薄膜的厚度 .随着La掺杂浓度的增大 ,折射率逐渐减小 .而消光系数除PLZT(4 4 0 6 0 )薄膜外 ,呈现逐渐增大的趋势 .分析表明这些差异主要与PLZT薄膜的结晶性 ,如晶粒尺寸 ,以及颗粒边界、形貌、电子能带结构有关 .通过计算得到PLZT薄膜的吸收系数大于PZT薄膜的吸收系数 .随着La掺杂浓度的增大 ,静态电荷值逐渐减小 .这说明在PLZT中 ,电荷的转移是不完全的 ,它属于离子 共价混合的化合物 . 展开更多
关键词 LA掺杂 掺杂浓度 plzt薄膜 红外光学性质 镧掺杂 红外椭圆偏振光谱 铁电薄膜
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PLZT薄膜的结构、介电与光学性能的研究 被引量：2
2
作者 蒋力立 唐新桂 周歧发 《压电与声光》 CSCD 北大核心 2003年第5期403-406,共4页
以硝酸镧、醋酸铅、钛酸丁酯和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚作溶剂。用简单的溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Si(111)、石英和Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基片成功地制备出了高度多晶和(111)取向生长的(Ph,La)(Ti,Zr)O_3(PLZT)薄膜。用原子力显微镜... 以硝酸镧、醋酸铅、钛酸丁酯和异丙醇锆为原料,乙二醇甲醚作溶剂。用简单的溶胶-凝胶法和快速退火工艺在Si(111)、石英和Pt/Ti/SiO_2/Si(100)基片成功地制备出了高度多晶和(111)取向生长的(Ph,La)(Ti,Zr)O_3(PLZT)薄膜。用原子力显微镜分析了薄膜的表面形貌;测试了薄膜的铁电和介电特性。PLZT薄膜的剩余极化强度和矫顽场分别为10.3μC/cm^2和36kV/cm;在100kHz,薄膜的介电常数和损耗因子分别为682和0.021。生长在石英基片上的薄膜具有好的透光性,当波长高于360nm,其透过率高达72％。 展开更多
关键词 plzt薄膜 取向生长 电性能 光学特性 溶胶-凝胶
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利用调制式椭偏仪测量薄膜电光系数 被引量：2
3
作者 李芳 王杰 +2 位作者 王丹阳 莫党 陈王丽华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期31-33,共3页
利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数.首先用反射椭偏测量的方法得到薄膜的折射率(n)和厚度(d),然后利用透射椭偏在线测量的功能,在样品上加电场(E),得到薄膜的折射率的改变δn. 最后用测量得到的厚度,折射率以及... 利用调制式的椭偏仪测量了掺镧锆钛酸铅PLZT薄膜的电光系数.首先用反射椭偏测量的方法得到薄膜的折射率(n)和厚度(d),然后利用透射椭偏在线测量的功能,在样品上加电场(E),得到薄膜的折射率的改变δn. 最后用测量得到的厚度,折射率以及折射率的改变来计算薄膜的电光系数.该仪器的灵敏度很高,很适合较薄的膜层材料电光性质的测量. 展开更多
关键词 电光系数 椭偏仪 折射率 plzt薄膜 透射 椭偏测量 反射 制式 调制 掺镧
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MOD法制备的Pb_(0.985)La_(0.01)(Zr_(0.4)Ti_(0.6)O_3铁电薄膜的晶型结构及铁电性能
4
作者 马建华 孟祥建 +1 位作者 孙璟兰 褚君浩 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期163-168,共6页
采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)／Si衬底上制备了Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3(PLZT)铁电薄膜.在薄膜的快速退火过程中,增加了一个中间温度预退火过程,并研究了该过程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响.结果发现,中间温度预退火过程... 采用金属有机分解法(MOD)在LNO(100)／Si衬底上制备了Pb0.985La0.01(Zr0.4Ti0.6)O3(PLZT)铁电薄膜.在薄膜的快速退火过程中,增加了一个中间温度预退火过程,并研究了该过程对薄膜晶型结构和铁电性能的影响.结果发现,中间温度预退火过程可以影响薄膜对晶型结构的选择.没有中间温度预退火过程的薄膜,显示出(100)择优取向;而经中间温度预退火的薄膜则表现为随机取向.对薄膜铁电性能的研究表明,没有中间温度预退火过程的薄膜的铁电性能较差,经380℃预退火的薄膜显示出最佳的铁电性能.晶型结构取向和缺陷是影响PLZT薄膜铁电性能的两个主要因素. 展开更多
关键词 plzt薄膜 中间温度预退火 晶型结构 铁电性能
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La掺杂对PZT薄膜光伏特性的影响
5
作者 孙倩 邓红梅 +1 位作者 杨平雄 褚君浩 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期128-131,共4页
采用溶胶-凝胶法在LNO/Si衬底上制备了(Pb1-xLax)(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3(PLZT)多晶薄膜.XRD图谱显示,通过600℃的快速热退火过程制备出了同时具有三方相和四方相的PLZT薄膜,并且薄膜呈现(110)晶向择优生长;拉曼图谱进一步证实了薄膜同... 采用溶胶-凝胶法在LNO/Si衬底上制备了(Pb1-xLax)(Zr0.52Ti0.48)1-x/4O3(PLZT)多晶薄膜.XRD图谱显示,通过600℃的快速热退火过程制备出了同时具有三方相和四方相的PLZT薄膜,并且薄膜呈现(110)晶向择优生长;拉曼图谱进一步证实了薄膜同时具有三方相和四方相;研究样品的电滞回线发现,随着La含量的减小,薄膜的电滞回线不断宽化;同时,通过光伏效应测试得出结论,当La含量从1%增加到6%时,光生电压逐渐增大,并在6%时达到极大值,当La含量进一步增加时,光生电压反而随之减小. 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 plzt薄膜 光伏效应
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PLZT薄膜的溅射沉积和热处理
6
作者 雷永明 徐梅娣 郭懋端 《上海工程技术大学学报》 CAS 1999年第4期243-246,共4页
用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT（5／65／35）和（9／65／35）。初生态薄膜主要是非晶态，所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相... 用磁控射频溅射方法在不加热的硅衬底上沉积生长锆钛酸铅镧（PLZT）薄膜。由混浇法制备了两只氧化物靶材PLZT（5／65／35）和（9／65／35）。初生态薄膜主要是非晶态，所希望的钙钛矿相结构由后处理形成。研究了不同退火条件下焦绿石相和钙钛矿相的转变，实验表明氧气氛下由常规退火（LFA）和快速退火（RTA）可形成钙钛矿相PLZT薄膜。 展开更多
关键词 溅射沉积 热处理 plzt薄膜 磁控射频溅射 钙钛矿相 退火 锆钛酸铅镧陶瓷薄膜 铁电薄膜
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ITO玻璃衬底上PLZT铁电薄膜的制备与电性能 被引量：4
7
作者 刘国营 刘祖黎 +1 位作者 柳擎 刘红日 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2006年第2期48-51,共4页
用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3(PLZT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响。结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性,外加15V电压下,剩余... 用sol-gel法在掺Sn的In2O3导电透明膜(ITO)衬底上,制备了La掺杂的PbZr0.5Ti0.5O3(PLZT)铁电薄膜。研究了La掺杂量对薄膜的铁电、介电和漏电性质的影响。结果表明,x(La)为5%的PLZT薄膜经650℃退火,有优良的铁电特性,外加15V电压下,剩余极化强度为35.4×10–6C/cm2,矫顽场强为111×103V/cm。100kHz时的εr和tgδ分别为984和0.13。在外加电场小于9V时,薄膜的漏电流密度不超过10–8A/cm2。 展开更多
关键词 无机非金属材料 plzt铁电薄膜 掺锡氧化铟 SOL-GEL法 电学性质
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PLZT铁电薄膜的物理特性研究 被引量：3
8
作者 陈篮 李辉遒 +1 位作者 张曰理 莫党 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第3期287-290,共4页
铁电薄膜是近几年人们关注的功能材料。本文对用溶胶 -凝胶技术制备的PLZT铁电薄膜从热处理工艺、X射线结构分析、FT -IR红外光谱等各个方面作了较为系统的研究。讨论了PLZT铁电薄膜的热处理工艺条件、结构特性、光谱特性与材料的表观... 铁电薄膜是近几年人们关注的功能材料。本文对用溶胶 -凝胶技术制备的PLZT铁电薄膜从热处理工艺、X射线结构分析、FT -IR红外光谱等各个方面作了较为系统的研究。讨论了PLZT铁电薄膜的热处理工艺条件、结构特性、光谱特性与材料的表观裂纹、晶态与非晶态之间的关系。对红外光谱的特征吸收峰作了指认 ,得到了一系列有意义的结果。 展开更多
关键词 plzt铁电薄膜 热处理 X射线衍射 FT-IR红外光谱
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PLZT铁电薄膜的制备及其性能
9
作者 焦永恒 余大书 《天津师范大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2009年第1期32-35,共4页
在温度为97℃,水浴回流10 h的条件下,用旋涂法在Si(100)基底上,通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间,制备出性能良好的PLZT铁电薄膜,并用精密阻抗分析仪(PIA)对其介电性能进行测试,研究发现:PLZT铁电薄膜未被击穿... 在温度为97℃,水浴回流10 h的条件下,用旋涂法在Si(100)基底上,通过改变溶胶的滴加量、转速、升温速率、煅烧温度及保温时间,制备出性能良好的PLZT铁电薄膜,并用精密阻抗分析仪(PIA)对其介电性能进行测试,研究发现:PLZT铁电薄膜未被击穿时,随着测试频率f的提高电容逐渐减小,而介电损耗会出现突变,在测试频率达到1 MHz时,介电损耗一次突变;当PLZT铁电薄膜被击穿时,随着测试频率f的升高,介电损耗会逐渐增大,在外场频率达到1 MHz时开始减小,当膜被击穿后,电感将不可恢复,而材料的电容具有恢复特征,随着测试频率的升高,电容在逐渐减小. 展开更多
关键词 SOL-GEL法 plzt铁电薄膜 介电性能
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PLZT在硅基板上的介电行为研究
10
作者 未治奎 张超 +2 位作者 焦永恒 王英 余大书 《山西师范大学学报（自然科学版）》 2010年第2期55-58,共4页
本文将Pb0.93La0.07Zr0.40Ti0.60O3薄膜镀到硅基底上,制得薄膜在硅基底铜电极上的电容器模型.高频段下(达120 MHz)测试了PLZT介电温度效益,100 MHz、室温下的介电常数是1 360,损耗为0.08,居里温度下介电常数是3 780,损耗为0.91.其在居... 本文将Pb0.93La0.07Zr0.40Ti0.60O3薄膜镀到硅基底上,制得薄膜在硅基底铜电极上的电容器模型.高频段下(达120 MHz)测试了PLZT介电温度效益,100 MHz、室温下的介电常数是1 360,损耗为0.08,居里温度下介电常数是3 780,损耗为0.91.其在居里点附近弥散区域非常宽,通过计算得到弛豫时间的数量级为10-9s. 展开更多
关键词 plzt铁电薄膜 弛豫型 电容器 Cole-Cole曲线
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