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PJFET与双极兼容工艺技术研究 被引量：2
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作者 税国华 唐昭焕 +4 位作者 刘勇 欧宏旗 杨永晖 王学毅 黄磊 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2009年第4期571-574,共4页
通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-12～10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVCEO≥36V、Ua≥100V的NPN管。采用该技术... 通过对PJFET与双极兼容工艺技术的研究，解决了PJFET和双极兼容工艺中的技术难点，得到了IDSS=150-350μA（W／L=10：1）、Vp=0．8～1．2V、IGSS=10^-12～10^-11 A的高性能PJFET和β=100-250、BVCEO≥36V、Ua≥100V的NPN管。采用该技术，成功研制出一种偏置电流小于100pA的高精密双极结型场效应晶体管（BJFET）集成运算放大器，获得了良好的效果。 展开更多
关键词 pjfet NPN管 pjfet-双极兼容工艺 集成运算放大器
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