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离子注入PIN辐射探测器的测试分析
被引量：
4
1
作者
陈鸿飞
邹积清
+3 位作者
田大宇
张太平
宁宝俊
张录
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期457-460,共4页
利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300～1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN...
利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300～1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.在平均25.7℃下,漏电流在14nA左右,噪声水平约为7.4 keV,能谱分辨率约为16.9 keV.由于噪声水平较ORTEC探测器低,说明还有提高能谱分辨率的余地.
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关键词
pin
辐射探测器
噪声
分辨率
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职称材料
80mm灵敏直径辐射探测器
被引量：
1
2
作者
宋献才
张茜梅
张莉
《信息与电子工程》
2003年第4期312-314,共3页
介绍了灵敏直径80mmPIN辐射探测器的设计方法和结构特点,简述了探测器制作工艺流程,给出了探测器的静态参数测试结果。
关键词
pin
辐射探测器
设计
制作工艺
灵敏直径
静态参数
电子测量仪器
下载PDF
职称材料
硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制
被引量：
1
3
作者
唐海林
罗剑波
+1 位作者
张莉
谭刚
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第12期824-828,共5页
应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要...
应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。
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关键词
离子注入
硅
pin
辐射探测器
PN结
注入能量
注入剂量
死层
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职称材料
题名
离子注入PIN辐射探测器的测试分析
被引量：
4
1
作者
陈鸿飞
邹积清
田大宇
张太平
宁宝俊
张录
机构
北京大学地球与空间科学学院空间物理与应用技术研究所
北京大学微电子所
出处
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第5期457-460,共4页
基金
北京市教委共建项目XK100010404资助
文摘
利用先进的微电子、微机械加工技术,研制了从300～1000μm共5种厚度的离子注入型PIN辐射探测器,选择其中300 、450和1000μm三种规格进行漏电流、噪声水平和能谱分辨率等指标的测试,并与ORTEC探测器相比较.结果表明:北京大学研制的PIN探测器具有当前国际先进水平.在平均25.7℃下,漏电流在14nA左右,噪声水平约为7.4 keV,能谱分辨率约为16.9 keV.由于噪声水平较ORTEC探测器低,说明还有提高能谱分辨率的余地.
关键词
pin
辐射探测器
噪声
分辨率
Keywords
pin
radiation
detector
noise
resolution
分类号
TL814 [核科学技术—核技术及应用]
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职称材料
题名
80mm灵敏直径辐射探测器
被引量：
1
2
作者
宋献才
张茜梅
张莉
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《信息与电子工程》
2003年第4期312-314,共3页
基金
国防科技预先研究基金项目(421030204-5)
文摘
介绍了灵敏直径80mmPIN辐射探测器的设计方法和结构特点,简述了探测器制作工艺流程,给出了探测器的静态参数测试结果。
关键词
pin
辐射探测器
设计
制作工艺
灵敏直径
静态参数
电子测量仪器
Keywords
electronic
technology
pin
radiation
detector
arts
and
crafts
Sensitive
Diameter
分类号
TN407 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制
被引量：
1
3
作者
唐海林
罗剑波
张莉
谭刚
机构
中国工程物理研究院电子工程研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第12期824-828,共5页
文摘
应用离子注入工艺可制备获得线性电流大、窗口死层薄的硅pin辐射探测器。首先简要介绍了离子注入工艺形成pn结的原理,重点根据技术要求进行了离子注入工艺设计和计算,分别得到了注入能量为40 keV和注入剂量为4×1014/cm2的两个重要控制参数。同时分析了在离子注入工艺中存在的影响因素和相应处理方法,对生产具有良好的指导作用。采用所设计的工艺参数制备获得的硅pin辐射探测器各项技术指标均满足要求,验证了离子注入工艺设计与参数控制的有效性。
关键词
离子注入
硅
pin
辐射探测器
PN结
注入能量
注入剂量
死层
Keywords
ion
implantation
silicon
pin
radiation
detector
pn
junction
implantation
energy^implantation
dose
dead
layer
分类号
TN305.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
离子注入PIN辐射探测器的测试分析
陈鸿飞
邹积清
田大宇
张太平
宁宝俊
张录
《核电子学与探测技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
下载PDF
职称材料
2
80mm灵敏直径辐射探测器
宋献才
张茜梅
张莉
《信息与电子工程》
2003
1
下载PDF
职称材料
3
硅探测器加工中的离子注入工艺设计与控制
唐海林
罗剑波
张莉
谭刚
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012
1
下载PDF
职称材料
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