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高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算
被引量：
2
1
作者
于全芝
胡志良
+1 位作者
殷雯
梁天骄
《中国科学：物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2014年第5期479-485,共7页
随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算...
随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.
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关键词
高能中子
单粒子翻转
phits
程序
SRAM单元
原文传递
题名
高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算
被引量：
2
1
作者
于全芝
胡志良
殷雯
梁天骄
机构
北京凝聚态物理国家重点实验室
中国科学院高能物理研究所
出处
《中国科学：物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2014年第5期479-485,共7页
基金
国家自然科学基金资助项目(批准号:11075203
91026009
11174358)
文摘
随着半导体及电子工艺技术的迅速发展,器件向着小尺度、低电压、低电荷、高集成度迈进,大气中子对航空及地面的电子系统造成的单粒子效应越来越显著.本文采用PHITS2.24蒙特卡罗程序及其事件发生器功能,借助于核反应模型与截面数据,验算了描述器件发生单粒子翻转能力的MBGR参数,并采用大气高能中子能谱,对SRAM器件的单粒子翻转率进行了计算与分析.这为我们今后模拟大气中子产生的各类单粒子效应提供了基本方法,也为将来开展相应的辐照实验提供了理论基础.
关键词
高能中子
单粒子翻转
phits
程序
SRAM单元
Keywords
high energy neutron, sing event upset,
phits
2.24 code, SRAM cell
分类号
O572.2 [理学—粒子物理与原子核物理]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高能中子诱发半导体器件产生单粒子翻转的模拟计算
于全芝
胡志良
殷雯
梁天骄
《中国科学：物理学、力学、天文学》
CSCD
北大核心
2014
2
原文传递
已选择
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参考文献
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