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高浓度磷扩散的模拟
1
作者
冒慧敏
张东红
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期334-339,共6页
介绍了在SilvacoTCAD软件中最新加入的磷扩散模型──PERCO模型。该模型建立了杂质、空位及自间隙的连续性方程，描述了由于高浓度磷扩衡引起的超平衡点缺陷对磷在硅中分布的影响。已将该模型用于对实际工艺模拟的校正，取得满意的结果...
介绍了在SilvacoTCAD软件中最新加入的磷扩散模型──PERCO模型。该模型建立了杂质、空位及自间隙的连续性方程，描述了由于高浓度磷扩衡引起的超平衡点缺陷对磷在硅中分布的影响。已将该模型用于对实际工艺模拟的校正，取得满意的结果，同时，可以体会到模型校正的意义。
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关键词
工艺模拟
磷扩散
perco
模型
半导体制造
下载PDF
职称材料
题名
高浓度磷扩散的模拟
1
作者
冒慧敏
张东红
机构
上海先进半导体制造有限公司
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998年第3期334-339,共6页
文摘
介绍了在SilvacoTCAD软件中最新加入的磷扩散模型──PERCO模型。该模型建立了杂质、空位及自间隙的连续性方程，描述了由于高浓度磷扩衡引起的超平衡点缺陷对磷在硅中分布的影响。已将该模型用于对实际工艺模拟的校正，取得满意的结果，同时，可以体会到模型校正的意义。
关键词
工艺模拟
磷扩散
perco
模型
半导体制造
Keywords
Process Simulation Phosphorus Diffusion Model Calibration
分类号
TN305.4 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
高浓度磷扩散的模拟
冒慧敏
张东红
《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
1998
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