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直流热阴极PCVD法制备金刚石厚膜 被引量:20
1
作者 金曾孙 姜志刚 +1 位作者 白亦真 吕宪义 《新型炭材料》 SCIE EI CAS CSCD 2002年第2期9-12,共4页
建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃~ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制... 建立和发展了非脉冲式的直流热阴极PCVD(PlasmaChemicalVapourDeposition)方法。通过采用温度为110 0℃~ 15 0 0℃的热阴极以及阴极和阳极尺寸不相等配置 ,在大的放电电流和高的气体气压下实现了长时间稳定的辉光放电 ,并用这种方法制备出大尺寸高质量的金刚石厚膜 ,其厚膜直径为 4 0mm~ 5 0mm ,膜厚为~ 4 .2mm ,生长速率最高达到 2 5 μm/h左右 ,在 5 μm/h~ 10 μm/h的生长速率下制出的金刚石厚膜 ,热导率一般在 10W/K·cm~12W /K·cm。高导热金刚石厚膜用做半导体激光二极管列阵的热沉和MCM的散热绝缘基板 。 展开更多
关键词 直流热阴极 pcvd法 制备 金刚石厚膜
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CVD法与PCVD法TiN薄膜研究 被引量:17
2
作者 刘齐成 刘培英 +1 位作者 陶冶 刘利 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第12期22-25,共4页
用等离子体增强化学气相沉积 (PCVD)法和化学气相沉积 (CVD)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :... 用等离子体增强化学气相沉积 (PCVD)法和化学气相沉积 (CVD)法分别制备 Ti N系薄膜。采用扫描电镜、X射线衍射仪和连续加载压入仪研究分析薄膜的微观结构、相结构和薄膜的力学性能 ,并采用电极电位法测定了薄膜的耐腐蚀性能。研究表明 :PCVD法 Ti N系薄膜的微观组织形态明显优于同类的 CVD法薄膜 ,PCVD法薄膜晶粒尺寸细小、均匀 ,形态圆整 ,组织致密 ;CVD法薄膜晶粒形态为多边形 ,尺寸较粗大、不均匀 ,组织致密性差 ;PCVD法 Ti N系薄膜的韧性和结合力等力学性能可达到或优于同类 CVD法薄膜 ;虽然 PCVD法薄膜的氯含量 (约为 2 % )远高于 CVD法薄膜 (约为 0 .5 % ) ,但 PCVD法薄膜的耐蚀性能却明显优于 CVD法薄膜。还研究分析了 PCVD法和CVD法成膜模式对薄膜微观结构和性能的影响机理。 展开更多
关键词 CVD pcvd法 金属材料 氮化钛薄膜 表面防护
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高硅钢的PCVD制造工艺及其电磁性能 被引量:8
3
作者 吴润 陈大凯 +1 位作者 夏先平 吴新杰 《钢铁研究学报》 CAS CSCD 北大核心 1997年第4期42-45,共4页
采用正交试验法对PCVD等离子体增强化学气相沉积渗硅的工艺进行了优化。在40%SinH2n+2+60%Ar(质量分数)渗硅源中,电工钢于480℃PCVD处理40min,其表面可形成厚20μm富硅层。再经1100℃扩散... 采用正交试验法对PCVD等离子体增强化学气相沉积渗硅的工艺进行了优化。在40%SinH2n+2+60%Ar(质量分数)渗硅源中,电工钢于480℃PCVD处理40min,其表面可形成厚20μm富硅层。再经1100℃扩散1h,电工钢铁损下降49.5%,B2500提高65%,电磁性能得到极大的改善。 展开更多
关键词 pcvd法 电工钢 铁损
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PCVD法制备ZrO_2和YSZ薄膜 被引量:9
4
作者 喻维杰 张裕恒 +2 位作者 彭定坤 孟广耀 曹传宝 《化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 1993年第12期1164-1169,共6页
以金属β-二酮类有机螯合物Zr(DPM)_4和Y(DPM)_3为挥发性源物质,采用微波等离子体化学气相淀积法于较低的温度下(420~560℃)成功地在多孔α-Al_2O_3陶瓷、非晶玻璃等衬底上制备出致密的ZrO_2和YSZ薄膜材料。XRD分析结果表明,纯ZrO_2薄... 以金属β-二酮类有机螯合物Zr(DPM)_4和Y(DPM)_3为挥发性源物质,采用微波等离子体化学气相淀积法于较低的温度下(420~560℃)成功地在多孔α-Al_2O_3陶瓷、非晶玻璃等衬底上制备出致密的ZrO_2和YSZ薄膜材料。XRD分析结果表明,纯ZrO_2薄膜中除了单斜相外还存在着亚稳态的四方相。当掺入的Y_2O_3摩尔百分含量大于或等于7%时,ZrO_2完全被稳定成立方相。SEM观察表明,在等离子体内的不同区域中生成的薄膜形貌有所不同。XPS检测了YSZ薄膜中Zr3d_(5/2)和Zr3d_(3/2)的电子结合能,发现较ZrO_2的标准值低0.7eV。由TEM观察和由XRD衍射蜂半宽度计算,所制备的ZrO_2和YSZ薄膜中微晶粒径在10nm左右。 展开更多
关键词 pcvd法 氧离子导体 氧化锆 薄膜
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PCVD硅涂层对DW型电工钢磁性能的影响 被引量:7
5
作者 吴润 陈大凯 +1 位作者 吴新杰 夏先平 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 1996年第9期15-17,共3页
研究了PCVD法在电工钢上沉积Si的规律及其电磁性能,探讨了处理温度对表层中si含量的影响。DW620-50电工钢经PCVD处理后磁性能得以改善,高温扩散后其铁损降低了45.2%.磁饱和强度提高了4.5%。
关键词 气相沉积 电工钢 铁损 扩散 pcvd法
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等离子体技术在材料中的应用 被引量:1
6
作者 陈大凯 刘静 《武汉科技大学学报》 CAS 2001年第4期345-348,共4页
简述等离子体的物理概念及其获得方法。重点介绍等离子体技术在材料领域中的表面改性 。
关键词 等离子体 材料表面改性 pcvd法
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VAD法高速沉积制备芯棒的研究 被引量:3
7
作者 简晓松 陈海斌 +3 位作者 李秀鹏 李应 张冲 陈剑 《现代传输》 2015年第1期34-36,共3页
近年来,光纤预制棒的制造在中国呈爆炸式的发展,各大光纤光缆厂家为了摆脱对进口光纤预制棒的依赖,都纷纷将目光瞄准光纤预制棒项目,光纤预制棒项目已成为增强竞争力的有力措施之一。但目前国内光纤预制棒制造技术发展缓慢,特别是对光... 近年来,光纤预制棒的制造在中国呈爆炸式的发展,各大光纤光缆厂家为了摆脱对进口光纤预制棒的依赖,都纷纷将目光瞄准光纤预制棒项目,光纤预制棒项目已成为增强竞争力的有力措施之一。但目前国内光纤预制棒制造技术发展缓慢,特别是对光纤性能起着决定性作用的芯棒,国内技术更是寥寥无几。就目前国内制备预制棒的工艺来讲,主要有汽相轴向沉积(VAD)法、外部汽相沉积(OVD)法、改进的化学外部汽相沉积(MCVD)法和等离子体沉积(PCVD)法。MCVD法和PCVD法比较适合制备波导结构复杂的预制棒,但在大规模的制备单模光纤芯棒时显得力不从心;OVD法比较适合制备光纤预制棒的外包,由于其沉积后的波导结构粗糙也很少有厂家用来制备芯棒。因此,VAD法是国内目前大规模制备单模光纤芯棒的最佳选择。 展开更多
关键词 大规模制备 高速沉积 VAD 芯棒 光纤预制棒 pcvd法 制造技术 汽相沉积
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PCVD法对碳化硅陶瓷的表面改性研究 被引量:1
8
作者 谭寿洪 陆忠乾 +2 位作者 黄玉珍 沈月华 钟伯强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期73-77,共5页
利用等离子辉光放电化学气相沉积技术(PCVD),控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比,在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜,研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响.在一定的沉... 利用等离子辉光放电化学气相沉积技术(PCVD),控制甲烷与磋烷质量流量比、硅烷与氨质量流量比,在碳化硅基体表面分别沉积上无定形碳化硅和氨化硅薄膜,研究其膜的组成、沉积工艺、厚度等对碳化硅陶瓷的强度改性影响.在一定的沉积条件下沉积的碳化硅薄膜可以使基体强度提高20%达到850MPa,沉积氮化硅薄膜使强度提高30%达到900MPa,改性的效果很明显. 展开更多
关键词 氮化硅 表面改性 pcvd法 碳化硅陶瓷
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PCVD法渗6.5%Si的动力学问题研究 被引量:1
9
作者 王蕾 周树青 +3 位作者 吴新杰 李平生 高莹 陈大凯 《武汉科技大学学报》 CAS 2000年第4期344-346,共3页
提高硅钢片磁性能的最佳途径是提高钢片的硅含量。本研究采用等离子体化学气相沉积 ( PCVD)法 ,在( 0 .1~ 0 .3) mm厚的普通硅钢片表面上涂硅 ,然后进行短时间高温扩散处理。结果表明 :硅钢片的 Si含量可达到 6.5% ,磁性能有很大改善。... 提高硅钢片磁性能的最佳途径是提高钢片的硅含量。本研究采用等离子体化学气相沉积 ( PCVD)法 ,在( 0 .1~ 0 .3) mm厚的普通硅钢片表面上涂硅 ,然后进行短时间高温扩散处理。结果表明 :硅钢片的 Si含量可达到 6.5% ,磁性能有很大改善。在 ( 460~ 60 0 )℃范围内渗硅 ,其它条件不变 ,渗硅速度随着温度的升高而降低 ,这是由等离子体反应的特殊动力学和热力学性质所决定。 展开更多
关键词 渗硅 pcvd法 动力学 磁性能
全文增补中
PCVD法制6.5%Si电工钢的研究 被引量:2
10
作者 吴润 张细菊 +1 位作者 吴新杰 陈大凯 《表面技术》 EI CAS CSCD 1997年第4期14-15,共2页
研究了PCVD法在电工钢上沉积Si的规律及其电磁性能,探讨了处理温度对表层中Si含量影响。DW620—50电工钢经PCVD处理后磁性能得以改善,高温扩散后其铁损降低了45.2%,磁饱和强度提高了4.5%。
关键词 pcvd法 电工钢 高温扩散 沉积
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PCVD法合成的无定形Si_3N_4纳米粉末和薄膜的红外特性比较
11
作者 陆忠乾 江东亮 谭寿洪 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第3期435-439,共5页
用等离子冷放电化学气相法(PCVD)合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末,储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后,进行红外光谱的测定.发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化,而后随着储放时问的延长,表面氧化愈来愈严重,Si-... 用等离子冷放电化学气相法(PCVD)合成的高纯、超细的无定形Si3N4粉末,储放了不同时间和在红外灯下烘烤短时间后,进行红外光谱的测定.发现合成的粉末刚暴露于空气中就产生了氧化,而后随着储放时问的延长,表面氧化愈来愈严重,Si-O键的吸收峰强度明显增强,而Si-N-Si键,Si-H键的吸收峰则愈来愈弱,直至仅有极小的吸收.而用低温PCVD法合成的无定形薄膜的特征吸收峰宽且强,与刚合成的粉末的红外谱有许多相同之处,但峰的形状,强度不随时间的变化而变化. 展开更多
关键词 氧化 红外光谱 氮化硅陶瓷 纳米粉末 pcvd法
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PCVD 法沉积 TiN 膜若干问题的研究探讨 被引量:1
12
作者 张海涛 杨兴宽 徐冰仲 《中国铁道科学》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第2期110-118,共9页
探讨了PCVD法沉积TiN膜器壁副产物的成分及形成机制,并提出了解决办法。同时对脉冲、直流PCVD沉积TiN膜中的氯含量、膜的生长、晶粒大小及膜结构进行了对比分析,认为脉冲PCVD比直流PCVD更适合于TiN膜的沉积。
关键词 脉冲pcvd 直流pcvd 薄膜 TIN膜 沉积 pcvd法
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PCVD涂硅的动力学研究 被引量:1
13
作者 王蕾 周树清 陈大凯 《材料保护》 CAS CSCD 北大核心 2000年第12期44-46,共3页
采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,在0.1~0.3 mm厚的普通硅钢片表面涂硅,再进行短时间高温扩散,使硅钢片的合Si量增加到6.5%,铁损P10/50比原来钢片降低50%,其他磁性能也大有改善。试验结果表明,... 采用等离子体化学气相沉积(PCVD)法,在0.1~0.3 mm厚的普通硅钢片表面涂硅,再进行短时间高温扩散,使硅钢片的合Si量增加到6.5%,铁损P10/50比原来钢片降低50%,其他磁性能也大有改善。试验结果表明,在460~600℃涂硅,其他条件不变,涂硅速度随温度升高而降低,并对等离子体反应的动力学和热力学进行了研究。 展开更多
关键词 涂硅 pcvd法 动力学 等离子体化学气相沉积 硅钢片
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微波PCVD法制备功能梯度薄膜
14
作者 一弓 《等离子体应用技术快报》 1999年第8期6-7,共2页
关键词 微波 pcvd法 薄膜制备 功能梯度
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PCVD法超微粒α-Fe_2O_3的敏感特性
15
作者 徐甲强 沈瑜生 《化学传感器》 CAS 1993年第2期48-50,共3页
普通的α—Fe_2O_3,由于其所具有的高稳定性,对气体是不够敏感的。由于加入了SO_4^(2-)和 M^(4+)(M=Sn,Ti,Zr)使其微细化后成了具有实用价值的气敏材料。通常被用于检测烷烃等可燃性气体。在此基础上,用超微粒 Au 敏化的 Ti—α—Fe_2O_... 普通的α—Fe_2O_3,由于其所具有的高稳定性,对气体是不够敏感的。由于加入了SO_4^(2-)和 M^(4+)(M=Sn,Ti,Zr)使其微细化后成了具有实用价值的气敏材料。通常被用于检测烷烃等可燃性气体。在此基础上,用超微粒 Au 敏化的 Ti—α—Fe_2O_3材料实现了对 CO 的选择性检测。研制超微粒化、薄膜化和复合化的α—Fe_2O_3新型材料是当前气敏材料研究领域的一个重要课题。一、实验方法利用文献的方法合成超微粒氧化铁,并制成管状气敏元件,经热处理获得所需气敏元件。采用外加热动态脉冲法测试其气敏性能,用 Ra/Rg 表示气敏元件的灵敏度。 展开更多
关键词 超微粒 氧化铁 敏感特性 pcvd法
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PCVD-TiN膜结构与沉积温度关系的研究
16
作者 徐翔 任志华 李世直 《真空》 CAS 北大核心 1992年第5期10-16,共7页
研究了直流PCVD TiN膜的断口结构和机械性能。用扫描电镜观察了400℃~700℃ 下沉积的 TiN膜.总结了在本条件下所得 PCVD-TiN膜的温度-结构关系,与 PVD 法相比,其主要差别是化学反应的参与对膜结构有重... 研究了直流PCVD TiN膜的断口结构和机械性能。用扫描电镜观察了400℃~700℃ 下沉积的 TiN膜.总结了在本条件下所得 PCVD-TiN膜的温度-结构关系,与 PVD 法相比,其主要差别是化学反应的参与对膜结构有重要影响,以及膜生长时的良好绕镀 性引起的结构特征. 展开更多
关键词 pcvd法 温度 沉积 薄膜 氮化钛
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MPCVD法合成金刚石膜的基片影响因素
17
作者 芦宝娟 《中国胶粘剂》 CAS 北大核心 2014年第9期56-58,共3页
以乙醇和氢气作为工作气源,采用微波等离子化学气相沉积(MPCVD)法在较低温度时制备了金刚石膜,并探讨了基片位置、基片温度对金刚石膜生长的影响。结果表明:当基片置于等离子球边缘处、基片温度为810℃时,沉积所得金刚石膜的质量相... 以乙醇和氢气作为工作气源,采用微波等离子化学气相沉积(MPCVD)法在较低温度时制备了金刚石膜,并探讨了基片位置、基片温度对金刚石膜生长的影响。结果表明:当基片置于等离子球边缘处、基片温度为810℃时,沉积所得金刚石膜的质量相对最好,其体积电阻率(0.82×1013Ω·cm)相对最大。0前言随着集成电路技术的迅速发展,电子产品的尺寸越来越小,其散热性能已成为影响电子产品寿命的主要因素之一。在高分子基体或无机硅酸盐基体中,通过添加高导热绝缘填料制成的复合材料,可有效提高材料的导热性能。环氧树脂(EP)具有优良的力学性能、粘接性能和绝缘性能,已广泛应用于大规模集成电路的封装和极端条件用复合材料的基体树脂;而金刚石则具备优异的绝缘性能和导热性能,能保证电子器件的稳定运行,并且在EP中分散性良好。因此,以金刚石为导热填料、EP为基体的导热绝缘胶粘剂,可使材料的导热性能大大提高。然而,天然金刚石成本昂贵,势必会限制其在电子行业的广泛应用。利用低压气相法合成的金刚石膜,其性能几乎与天然金刚石接近,一经问世就立即受到了人们的关注。 展开更多
关键词 金刚石膜 基片温度 pcvd法 微波等离子化学气相沉积 影响因素 合成 大规模集成电路 天然金刚石
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用PCVD法制备(TiAl)N膜的研究
18
作者 赵程 彭红瑞 李世直 《青岛科技大学学报(自然科学版)》 CAS 1990年第4期30-35,共6页
本文介绍了在PCVD设备中用固态AlCl_3制备(TiAl)N膜。结果表明,(TiAl)N膜的含Al量与AlCl_3的蒸发温度成正比,但膜内Cl含量却无明显变化。(TiAl)N膜保持了TiN膜的面心立方晶体结构,但其晶格常数变小,织构变弱,组织略有细化。(TiAl)N膜的... 本文介绍了在PCVD设备中用固态AlCl_3制备(TiAl)N膜。结果表明,(TiAl)N膜的含Al量与AlCl_3的蒸发温度成正比,但膜内Cl含量却无明显变化。(TiAl)N膜保持了TiN膜的面心立方晶体结构,但其晶格常数变小,织构变弱,组织略有细化。(TiAl)N膜的显微硬度略高于或等于TiN膜的硬度,但抗高温氧化性有较大幅度提高。 展开更多
关键词 pcvd法 (TiAl)N膜
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PCVD法数据光纤的研制
19
作者 邓都才 高玉桥 +2 位作者 汪松 刘健 伍叔坚 《光通信研究》 北大核心 1998年第3期39-45,共7页
本文报道了PCVD法数据光纤的研制,包括光纤设计、工艺流程及关键工艺问题,还给出了该数据光纤产品性能的统计结果。
关键词 pcvd法 数据光纤 光纤 研制
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CHBr薄膜制备的初步研究
20
作者 冯建鸿 黄勇 吴卫东 《中国工程物理研究院科技年报》 2004年第1期71-72,共2页
碳氢(cH)及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多,诸如:离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)等。近年来,详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺... 碳氢(cH)及其掺杂材料常被用作ICF实验靶丸烧蚀层材料。制备CH薄膜及其掺杂材料的方法有很多,诸如:离子束辅助沉积、离子溅射沉积、低压等离子体化学气相沉积(LPPCVD)等。近年来,详细研究了LPPCVD法制备CH薄膜的制备方法与工艺,形成了比较成熟的技术路线与工艺路线,并为“神光”实验提供了一系列实验靶丸。 展开更多
关键词 薄膜制备 等离子体化学气相沉积 离子束辅助沉积 ICF实验 掺杂材料 CH薄膜 工艺路线 pcvd法
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