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140W高功率非对称宽波导980nm半导体激光器 被引量：2
1
作者 王冠 崇锋 +4 位作者 熊聪 王俊 赵懿昊 刘素平 马骁宇 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期1310-1313,共4页
为了提高半导体激光器(LD)的出光功率,优化了P型波导层以及限制层的厚度。将光场的对称分布变成非对称分布,降低了有源区的光限制因子,从而降低了器件腔面的功率密度,避免器件出现腔面灾变损伤(COD);提高LD的电光转换效率,减小器件的散... 为了提高半导体激光器(LD)的出光功率,优化了P型波导层以及限制层的厚度。将光场的对称分布变成非对称分布,降低了有源区的光限制因子,从而降低了器件腔面的功率密度,避免器件出现腔面灾变损伤(COD);提高LD的电光转换效率,减小器件的散热路径,降低器件的热阻,从而有效抑制了器件的热饱和。设计并制作了非对称宽波导980 nm高功率LD。器件的综合测试性能为:当器件的注入电流为161 A时,器件的输出功率达到139.6 W,对应的斜率效率、电压和电光转换效率分别为0.91 W/A、1.79 V和48.4%。 展开更多
关键词 半导体激光器(LD) 高功率 非对称宽波导 p型波导层厚度
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