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典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究
被引量：
1
1
作者
刘伟鑫
徐导进
吾勤之
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期584-587,共4页
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值...
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降。
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关键词
光电器件
电离辐照效应
氧化物陷阱电荷
界面态陷阱电荷
原文传递
硅16元线列探测器
2
作者
鲁光海
王兵
刘川
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期72-74,共3页
本文介绍了一种硅 pin 线列光电探测器的设计、制造及其特性。
关键词
光电器件
光电探测器
硅
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职称材料
长波长PIN+FET组件的可靠性研究
3
作者
孔霞
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期93-96,共4页
通过对长波长 PIN+FET 组件的可靠性试验,估算了长波长 PIN+FET组件的平均寿命;对失效样品进行了分析,确定了其主要失效模式,并对优化工艺作了进一步探讨。
关键词
光电器件
可靠性
失效分析
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职称材料
一种应用于波分复用无源光网络系统中的滤波片-PIN-TIA阵列光接收组件
被引量：
3
4
作者
李蔚
陈龙
黄德修
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期82-86,共5页
设计并实现了一种将密集波分复用(DWDM)薄膜滤波片与光电探测器PIN以及前置放大器TIA集成封装的光接收组件。通过创新设计单模光纤双芯插针和自聚焦透镜的结构,解决了透过密集波分复用滤波片后的反射光偏离轴线带来的耦合问题。并基于...
设计并实现了一种将密集波分复用(DWDM)薄膜滤波片与光电探测器PIN以及前置放大器TIA集成封装的光接收组件。通过创新设计单模光纤双芯插针和自聚焦透镜的结构,解决了透过密集波分复用滤波片后的反射光偏离轴线带来的耦合问题。并基于该组件实现了32个密集波分复用通道的解复用与信号检测同时完成的波分复用无源光网络(WDM-PON)系统中上行信道阵列接收模块。测试表明模块满足国际电信联盟(ITU-T)中心波长,最小插入损耗为0.3 dB,最大插入损耗为6 dB,响应速率为100 Mbit/s^1.25 Gbit/s。
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关键词
光通信
波分复用无源光网络
集成光电子组件
阵列光接收模块
密集波分复用滤波片-PIN—TIA组件
自聚焦透镜
原文传递
透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器
5
作者
高伟
庄婉如
谭叔明
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期406-410,共5页
本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。
关键词
半导体
激光器
异质结构
原文传递
石墨衬底上低维ZnO纳米材料的生长(英文)
6
作者
张志坤
章俞之
+4 位作者
边继明
孙景昌
秦福文
刘维峰
骆英民
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期103-107,共5页
本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料，即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征。结果发现...
本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料，即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征。结果发现在室温条件下，准一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜都表现出了较好的近带边发射，基本探测不到由杂质和缺陷等引起的深能级发光，并且这种低维ZnO材料／石墨衬底复合结构在300～800nm光谱范围内具有较低的反射率。本实验结果对于ZnO基光电子器件性能的提高以及在太阳能电池领域的应用具有重要意义。
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关键词
ZNO
石墨
光致发光
高功率光电子器件
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职称材料
题名
典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究
被引量：
1
1
作者
刘伟鑫
徐导进
吾勤之
机构
上海航天技术研究院第八O八研究所
出处
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第8期584-587,共4页
文摘
用60Coγ射线对GaAlAs异质结红外发光二极管OP224和NPN型Si光电三极管OP604进行了电离辐照试验,分析了试验器件在60Coγ射线辐照下氧化物陷阱电荷和界面态陷阱电荷的积累效应。结果表明,随着辐照累积剂量的增加,OP224正向电流的最大值逐渐下降,红外光强度逐渐衰减;OP604的暗电流逐渐增大,光电流逐渐下降。
关键词
光电器件
电离辐照效应
氧化物陷阱电荷
界面态陷阱电荷
Keywords
optoelectrical
device
,
Ionizing
irradiation
effect,
Oxide-trap
charge,
Interface-trap
charge
分类号
TN21 [电子电信—物理电子学]
TN36
原文传递
题名
硅16元线列探测器
2
作者
鲁光海
王兵
刘川
机构
重庆光电技术研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期72-74,共3页
文摘
本文介绍了一种硅 pin 线列光电探测器的设计、制造及其特性。
关键词
光电器件
光电探测器
硅
Keywords
optoelectrical
device
Photo-Detector
device
Characteristic
分类号
TN382 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
长波长PIN+FET组件的可靠性研究
3
作者
孔霞
机构
四川固体电路研究所
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期93-96,共4页
文摘
通过对长波长 PIN+FET 组件的可靠性试验,估算了长波长 PIN+FET组件的平均寿命;对失效样品进行了分析,确定了其主要失效模式,并对优化工艺作了进一步探讨。
关键词
光电器件
可靠性
失效分析
Keywords
optoelectrical
device
PIN/FET
Module
Reliability
Failure
Analysis
分类号
TN36 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
一种应用于波分复用无源光网络系统中的滤波片-PIN-TIA阵列光接收组件
被引量：
3
4
作者
李蔚
陈龙
黄德修
机构
武汉光电国家实验室
武汉光讯科技股份有限公司
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第1期82-86,共5页
基金
国家863计划(2003AA312060,2006AA03Z422)资助项目
文摘
设计并实现了一种将密集波分复用(DWDM)薄膜滤波片与光电探测器PIN以及前置放大器TIA集成封装的光接收组件。通过创新设计单模光纤双芯插针和自聚焦透镜的结构,解决了透过密集波分复用滤波片后的反射光偏离轴线带来的耦合问题。并基于该组件实现了32个密集波分复用通道的解复用与信号检测同时完成的波分复用无源光网络(WDM-PON)系统中上行信道阵列接收模块。测试表明模块满足国际电信联盟(ITU-T)中心波长,最小插入损耗为0.3 dB,最大插入损耗为6 dB,响应速率为100 Mbit/s^1.25 Gbit/s。
关键词
光通信
波分复用无源光网络
集成光电子组件
阵列光接收模块
密集波分复用滤波片-PIN—TIA组件
自聚焦透镜
Keywords
optical
communication
wavelength-division
multiplexing
passive
optical
network
integrated
optoelectrical
device
array
receiver
module
density
wavelength
division
multiplexing
filter-PIN-TIA
self-focus
lens
分类号
TN929.11 [电子电信—通信与信息系统]
原文传递
题名
透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器
5
作者
高伟
庄婉如
谭叔明
机构
北京大学物理系
中国科学院半导体研究所
北方交通大学物理系
出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992年第6期406-410,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目
文摘
本文通过耦合速率方程组,从原理上分析了扩展半导体激光器调制带宽的三个根本途径,在理论计算的基础上给出本结构激光器的具体设计方案。最后介绍了器件的制作工艺和工作特性。
关键词
半导体
激光器
异质结构
Keywords
semiconductor
laser,
heterostrueture,
optoelectr
ou
device
分类号
TN248.402 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
石墨衬底上低维ZnO纳米材料的生长(英文)
6
作者
张志坤
章俞之
边继明
孙景昌
秦福文
刘维峰
骆英民
机构
大连理工大学物理与光电工程学院
中国科学院特种无机涂层重点实验室
辽宁师范大学物理与电子技术学院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014年第1期103-107,共5页
基金
Open Fund of Key Laboratory of Special Inorganic Coating of Chinese Academy of Sciences(KLICM-2012-01)
Fundamental Research Funds for the Central Universities(DUT13LK02,DUT13LAB12)
文摘
本研究成功地在石墨衬底上制备了低维ZnO材料，即一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜。采用X射线衍射、场发射扫描电镜、光致发光谱和反射谱等测量技术对石墨衬底上制备的低维ZnO纳米材料的晶体结构、形貌和光学特性进行了表征。结果发现在室温条件下，准一维的ZnO纳米棒和二维的ZnO薄膜都表现出了较好的近带边发射，基本探测不到由杂质和缺陷等引起的深能级发光，并且这种低维ZnO材料／石墨衬底复合结构在300～800nm光谱范围内具有较低的反射率。本实验结果对于ZnO基光电子器件性能的提高以及在太阳能电池领域的应用具有重要意义。
关键词
ZNO
石墨
光致发光
高功率光电子器件
Keywords
ZnO
graphite
photoluminescence
high
power
optoelectr
ics
device
s
分类号
TB34 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
典型光电器件^60Coγ射线辐照试验研究
刘伟鑫
徐导进
吾勤之
《核技术》
CAS
CSCD
北大核心
2010
1
原文传递
2
硅16元线列探测器
鲁光海
王兵
刘川
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
下载PDF
职称材料
3
长波长PIN+FET组件的可靠性研究
孔霞
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993
0
下载PDF
职称材料
4
一种应用于波分复用无源光网络系统中的滤波片-PIN-TIA阵列光接收组件
李蔚
陈龙
黄德修
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
原文传递
5
透射窗口型GaAs/GaAlAs掩埋异质结构激光器
高伟
庄婉如
谭叔明
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1992
0
原文传递
6
石墨衬底上低维ZnO纳米材料的生长(英文)
张志坤
章俞之
边继明
孙景昌
秦福文
刘维峰
骆英民
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
下载PDF
职称材料
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