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用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术
1
作者
陈忠民
刘泽文
刘理天
《清华大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期561-564,共4页
为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗。通过采用SerenadeSV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗。结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能...
为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗。通过采用SerenadeSV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗。结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能够极大地降低硅衬底在高频条件下的损耗。实验制备过程中采用电化学阳极氧化法在n+衬底上制备了多孔硅厚膜,继而将孔隙度大于56%的多孔硅样品利用两步氧化法氧化为氧化多孔硅厚膜,有效地解决制备过程中的隆起失效和崩裂失效问题。测量了多孔硅的生长速率和氧化多孔硅的表面形貌。制作了一个氧化多孔硅隔离层上的5nH的Cu平面电感,在2.4GHz时电感的品质因数(Q值)超过了6。
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关键词
氧化多孔硅技术
电感
多孔硅
射频器件
损耗
原文传递
氧化多孔硅上制作Cu电感的研究
被引量：
1
2
作者
陈忠民
刘泽文
+1 位作者
刘理天
李志坚
《微细加工技术》
2004年第4期50-55,共6页
给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术。由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值。实验过程中将孔隙度>56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化...
给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术。由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值。实验过程中将孔隙度>56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OPS厚膜,通过种子层溅射/光刻/电镀Cu/刻蚀种子层的方法完成了Cu线圈的电镀。获得了1nH的电感,其Q值在10GHz的频率下达到了9,电感的自谐振频率超过20GHz。
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关键词
氧化多孔硅
电镀
电感
射频
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职称材料
题名
用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术
1
作者
陈忠民
刘泽文
刘理天
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《清华大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005年第4期561-564,共4页
基金
国家"九七三"重点基础研究项目(G1999033105)
文摘
为了提高片上射频(RF)无源器件的性能,可以利用氧化多孔硅厚膜隔离硅衬底来降低硅衬底的高频损耗。通过采用SerenadeSV建模对共面波导传输性能的分析,计算了不同厚度的氧化多孔硅隔离层硅衬底的损耗。结果表明氧化多孔硅(OPS)隔离层能够极大地降低硅衬底在高频条件下的损耗。实验制备过程中采用电化学阳极氧化法在n+衬底上制备了多孔硅厚膜,继而将孔隙度大于56%的多孔硅样品利用两步氧化法氧化为氧化多孔硅厚膜,有效地解决制备过程中的隆起失效和崩裂失效问题。测量了多孔硅的生长速率和氧化多孔硅的表面形貌。制作了一个氧化多孔硅隔离层上的5nH的Cu平面电感,在2.4GHz时电感的品质因数(Q值)超过了6。
关键词
氧化多孔硅技术
电感
多孔硅
射频器件
损耗
Keywords
ops
(
oxidized
porous
silicon
)
inductor
PS
(
porous
silicon
)
RF
(radio
frequency)
loss
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
氧化多孔硅上制作Cu电感的研究
被引量：
1
2
作者
陈忠民
刘泽文
刘理天
李志坚
机构
清华大学微电子学研究所
出处
《微细加工技术》
2004年第4期50-55,共6页
基金
国家973重点基础研究发展资助项目(G1999033105)
文摘
给出了一种厚膜氧化多孔硅(OPS)层上制作Cu电感的新型工艺技术。由于OPS是一种低损耗的材料,铜的电阻率很低,采用OPS隔离硅衬底和Cu线圈能够降低电感的寄生损耗,提高电感Q值。实验过程中将孔隙度>56%的多孔硅厚膜利用两步氧化法氧化为OPS厚膜,通过种子层溅射/光刻/电镀Cu/刻蚀种子层的方法完成了Cu线圈的电镀。获得了1nH的电感,其Q值在10GHz的频率下达到了9,电感的自谐振频率超过20GHz。
关键词
氧化多孔硅
电镀
电感
射频
Keywords
ops
(
oxidized
porous
silicon
)
electroplating
inductor
RF
分类号
TN305 [电子电信—物理电子学]
TN405
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于RF无源器件的氧化多孔硅隔离层技术
陈忠民
刘泽文
刘理天
《清华大学学报（自然科学版）》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2005
0
原文传递
2
氧化多孔硅上制作Cu电感的研究
陈忠民
刘泽文
刘理天
李志坚
《微细加工技术》
2004
1
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