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PTCDA纯度对PTCDA/p-Si光电探测器性能的影响
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作者 李霞 张盛东 +2 位作者 王静 张浩力 张福甲 《光电子》 2021年第4期205-213,共9页
本文研究不同纯度的PTCDA制备的PTCDA/p-Si光电探测器的制备和性能。研究结果表明:PTCDA纯度越高,制备的探测器暗电流越小,光电流越大。制备的探测器的正向电流–电压特性越好,呈二极管特性曲线。而且探测器的反向暗电流越小,其反向光... 本文研究不同纯度的PTCDA制备的PTCDA/p-Si光电探测器的制备和性能。研究结果表明:PTCDA纯度越高,制备的探测器暗电流越小,光电流越大。制备的探测器的正向电流–电压特性越好,呈二极管特性曲线。而且探测器的反向暗电流越小,其反向光电流也越小。 展开更多
关键词 PTCDA 纯度 oihj 光电探测器 I-V特性
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