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[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线在巨磁电阻位移传感器中的应用
被引量：
1
1
作者
张卫国
李子轩
+3 位作者
姜世圣
谢仁鑫
姚素薇
王宏智
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第24期24118-24122,共5页
采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻（Giant Magnetorsistance;GMR）材料[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线阵列,并以其为磁传感器芯片,设计并制备了GMR位移传感器,在不同温度下测试了其灵敏度.研究表明,该GMR 位移传感器的输出电压与位移具有...
采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻（Giant Magnetorsistance;GMR）材料[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线阵列,并以其为磁传感器芯片,设计并制备了GMR位移传感器,在不同温度下测试了其灵敏度.研究表明,该GMR 位移传感器的输出电压与位移具有较好的线性关系,在10-40℃环境温度内具有良好的稳定性.与[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层膜作传感器芯片相比,以[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线作为芯片时传感器灵敏度更高.
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关键词
nif
e
/
cu
/
co
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cu
多层纳米线
巨磁电阻
位移传感器
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职称材料
题名
[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线在巨磁电阻位移传感器中的应用
被引量：
1
1
作者
张卫国
李子轩
姜世圣
谢仁鑫
姚素薇
王宏智
机构
天津大学化工学院杉山表面技术研究室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第24期24118-24122,共5页
基金
天津市自然科学基金重点自助项目(08JCZDJC17400)
文摘
采用双槽电沉积法制备了巨磁电阻（Giant Magnetorsistance;GMR）材料[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线阵列,并以其为磁传感器芯片,设计并制备了GMR位移传感器,在不同温度下测试了其灵敏度.研究表明,该GMR 位移传感器的输出电压与位移具有较好的线性关系,在10-40℃环境温度内具有良好的稳定性.与[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层膜作传感器芯片相比,以[NiFe/Cu/Co/Cu]n 多层纳米线作为芯片时传感器灵敏度更高.
关键词
nif
e
/
cu
/
co
/
cu
多层纳米线
巨磁电阻
位移传感器
Keywords
nif
e
/
cu
/
co
/
cu
multilay
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GMR
displac
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分类号
O646 [理学—物理化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
[NiFe/Cu/Co/Cu]_n多层纳米线在巨磁电阻位移传感器中的应用
张卫国
李子轩
姜世圣
谢仁鑫
姚素薇
王宏智
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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