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Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
1
作者
李志兵
王荣华
+4 位作者
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期305-308,共4页
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0．40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响．结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外...
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0．40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响．结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在．C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善 Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量．组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、 C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层．
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关键词
金属材料
ni
1-
x
-
ugexcy
合金
薄膜
化学气相淀积(CVD)
下载PDF
职称材料
题名
Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
1
作者
李志兵
王荣华
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
机构
南京大学物理系江苏省光电信息功能材料重点实验室
中国科学院上海技术物理所
出处
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第3期305-308,共4页
基金
国家自然科学基金60390072国家重点基础研究发展规划G2000068305高等学校博士学科点专项科研基金20050284004资助项目.
文摘
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上外延生长了Ge组分最高约0．40的组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜, 研究了生长温度等工艺参数的影响．结果表明,生长温度和C2H4分压的提高均导致薄膜中碳组分的增加和合金薄膜晶格常数的减小,这表明外延薄膜中的C主要以替位式存在．C掺入量的变化可有效地调节薄膜的禁带宽度,而提高生长温度有助于改善 Si1-x-yGexCy薄膜的的晶体质量．组分渐变的Si1-x-yGexCy合金薄膜包括由因衬底中Si原子扩散至表面与GeH4、 C2H4反应而生成的Si1-x-yGexCy外延层和由Si1-x-yGexCy外延层中Ge原子向衬底方向扩散而形成的Si1-xGex层．
关键词
金属材料
ni
1-
x
-
ugexcy
合金
薄膜
化学气相淀积(CVD)
Keywords
metallic materials, Si
1
-
x
-yGe
x
Cy alloy film, chemical vapor deposition（CVD）
分类号
TB383 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ge组分渐变的Si_(1-x-y)Ge_xC_y薄膜的制备
李志兵
王荣华
韩平
李向阳
龚海梅
施毅
张荣
《材料研究学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
0
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职称材料
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