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热处理温度对Ni-Mn-Ga-Co薄膜性能的影响
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作者 张馨 张敏刚 +3 位作者 郭艳萍 孙娜 宫长伟 陈峰华 《山西冶金》 CAS 2015年第4期9-11,共3页
采用磁控溅射技术在P型Si(100)基片上制备了掺杂Co的Ni-Mn-Ga薄膜,对制得的薄膜进行不同温度的热处理,并分析研究各种薄膜的表面形貌以及磁性能的异同。研究发现:在不同的退火温度下,Ni-MnGa-Co薄膜表面颗粒的生长都比较均匀;薄膜在1 07... 采用磁控溅射技术在P型Si(100)基片上制备了掺杂Co的Ni-Mn-Ga薄膜,对制得的薄膜进行不同温度的热处理,并分析研究各种薄膜的表面形貌以及磁性能的异同。研究发现:在不同的退火温度下,Ni-MnGa-Co薄膜表面颗粒的生长都比较均匀;薄膜在1 073 K退火1 h的情况下,磁性能最强,随着退火温度的变高或变低,磁性能都有所减弱;当退火温度为1 073 K时,居里温度最高,为350 K。 展开更多
关键词 ni-mn-ga-co薄膜 退火温度 磁性能
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