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题名不同基底对退火制备Ni纳米岛掩模形貌的影响
被引量：1
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作者
薛俊俊
蔡青
张保花
葛梅
陈将伟
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机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
南京大学电子科学与工程学院
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出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2017年第9期9146-9149,共4页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61604080)
江苏省基础研究计划(自然科学基金)青年基金资助项目(BK20160883)
+1 种基金
江苏省高校自然科学研究项目面上资助项目(16KJB140011)
南京邮电大学引进人才科研启动基金资助项目(NY214154)
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文摘
目前,刻蚀自组装在GaN薄膜上Ni纳米岛的掩模的方法是制备GaN纳米柱阵列常用手段。但是,这将对后续制备出的纳米柱产生Ni污染。除此之外,直接将GaN系的材料暴露在高温下进行Ni纳米岛掩模的制备,会对GaN材料表面产生一定的热腐蚀损伤。因此,以GaN、SiO_2、Al_2O_3和SixNy分别为基底,对退火自组装在这4种基底上的Ni纳米岛形貌进行了较为系统的研究。发现850℃的退火温度下,Al_2O_3基底上Ni薄膜形成的纳米岛的形貌最为规整,为最优化衬底。
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关键词
GAN
退火
ni纳米岛
制备
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Keywords
GaN
annealing
nickel nano-islands
fabrication
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分类号
O47
[理学—半导体物理]
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题名不同基底对退火制备Ni纳米岛掩模形貌的影响
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作者
薛俊俊
蔡青
张保花
葛梅
陈将伟
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机构
南京邮电大学电子科学与工程学院
南京大学电子科学与工程学院
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出处
《功能材料信息》
2017年第5期13-17,共5页
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基金
国家自然科学基金青年科学基金资助项目(61604080)
江苏省基础研究计划(自然科学基金)青年基金资助项目(BK20160883)
+1 种基金
江苏省高校自然科学研究项目面上资助项目(16KJB140011)
南京邮电大学引进人才科研启动基金资助项目(NY214154)
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文摘
目前,刻蚀自组装在GaN薄膜上Ni纳米岛的掩模的方法是制备GaN纳米柱阵列常用手段。但是,这将对后续制备出的纳米柱产生Ni污染。除此之外,直接将GaN系的材料暴露在高温下进行Ni纳米岛掩模的制备,会对GaN材料表面产生一定的热腐蚀损伤。因此,以GaN、SiO_2、Al_2O_3和SixNy分别为基底,对退火自组装在这4种基底上的Ni纳米岛形貌进行了较为系统的研究。发现850℃的退火温度下,Al_2O_3基底上Ni薄膜形成的纳米岛的形貌最为规整,为最优化衬底。
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关键词
GAN
退火
ni纳米岛
制备
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Keywords
GaN
annealing
nickel nano-islands
fabrication
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分类号
TB383.1
[一般工业技术—材料科学与工程]
TG174.4
[金属学及工艺—金属表面处理]
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