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溅射沉积Ni-Mn-Ga薄膜的研究进展 被引量：1
1
作者 孙景文 李长生 +2 位作者 李俊茂 姚固文 姜春华 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第F11期326-329,共4页
以Ni-Mn-Ga为主要代表的铁磁形状记忆合金(FSMAs)不但具有传统形状记忆合金受温度控制的热弹性形状记忆效应,而且具有受磁场控制的铁磁形状记忆效应。微机电系统(MEMS)的应用要求Ni-Mn-Ga合金必须制备成薄膜的形式。对溅射沉积Ni-Mn-Ga... 以Ni-Mn-Ga为主要代表的铁磁形状记忆合金(FSMAs)不但具有传统形状记忆合金受温度控制的热弹性形状记忆效应,而且具有受磁场控制的铁磁形状记忆效应。微机电系统(MEMS)的应用要求Ni-Mn-Ga合金必须制备成薄膜的形式。对溅射沉积Ni-Mn-Ga薄膜的制备工艺进行了回顾与总结,对薄膜的各种性能特征和影响因素进行了详细的叙述,最后介绍了溅射沉积Ni-Mn-Ga薄膜的应用状况和应用趋势。 展开更多
关键词 磁控溅射 ni—mn-ga薄膜 铁磁形状记忆合金 MEMS
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Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜研究进展
2
作者 陈峰华 张敏刚 +1 位作者 柴跃生 张真真 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2010年第8期480-483,共4页
Ni-Mn-Ga合金兼有铁磁性和形状记忆效应,有望成为继压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料。但是由于合金脆性较大,难以切割,限制了其在微机电系统中的应用。系统阐述了薄膜的化学成分、组织结构、相转变、形状记忆效应及... Ni-Mn-Ga合金兼有铁磁性和形状记忆效应,有望成为继压电陶瓷和磁致伸缩材料之后的新一代驱动与传感材料。但是由于合金脆性较大,难以切割,限制了其在微机电系统中的应用。系统阐述了薄膜的化学成分、组织结构、相转变、形状记忆效应及其影响因素,指出目前Ni-Mn-Ga合金薄膜研究中,各个元素对性能影响的探索存在不足,制备出的薄膜主要存在磁性能、磁致应变量偏低以及磁致形状记忆效应不可逆等缺点。可以通过调整薄膜化学成分、热处理工艺、膜厚或者元素替换来提高薄膜的性能。 展开更多
关键词 ni-mn-ga薄膜 铁磁性 形状记忆效应 传感材料 相转变
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Mo衬底厚度对Ni-Mn-Ga形状记忆合金薄膜形貌及磁性能的影响
3
作者 熊杰 张敏刚 +2 位作者 柴跃生 陈峰华 张海杰 《磁性材料及器件》 北大核心 2013年第2期17-20,共4页
采用射频磁控溅射法制备不同厚度Mo衬底的Ni-Mn-Ga薄膜，采用扫描电子显微镜（FE-SEM）、原子力显微镜（AFM）、磁力显微镜（MFM）、振动样品磁强计（VSM）以及X射线衍射仪（XRD）对其形貌及磁性能进行观测和分析。实验发现，制备的Mo衬... 采用射频磁控溅射法制备不同厚度Mo衬底的Ni-Mn-Ga薄膜，采用扫描电子显微镜（FE-SEM）、原子力显微镜（AFM）、磁力显微镜（MFM）、振动样品磁强计（VSM）以及X射线衍射仪（XRD）对其形貌及磁性能进行观测和分析。实验发现，制备的Mo衬底Ni-Mn-Ga薄膜经退火后为T型马氏体结构，且当Mo衬底厚度在0-200nm范围内变化时，其饱和磁化强度及居里温度呈现先减小后增大的趋势。当Mo衬底厚度约为100nnl时饱和磁化强度和居里温度具有最低值。薄膜表面颗粒直径随着Mo厚度的增大而减小，但在Mo厚为100nm时出现增大。 展开更多
关键词 ni-mn-ga薄膜 Mo衬底 表面形貌 磁性能
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MgO(001)基片上沉积Ni-Mn-Ga薄膜相变行为和磁性能研究
4
作者 许连强 谢忍 程丽 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第16期27-30,共4页
采用室温沉积高温退火的方式在单晶MgO(001)基片上制备了具有马氏体相变的铁磁Ni-Mn-Ga薄膜。沉积态薄膜呈柱状晶结构,高温退火后柱状晶的晶界变得模糊。溅射气压为0.5Pa和0.2Pa的薄膜的马氏体相变起始温度分别为290K和332K,溅射气压改... 采用室温沉积高温退火的方式在单晶MgO(001)基片上制备了具有马氏体相变的铁磁Ni-Mn-Ga薄膜。沉积态薄膜呈柱状晶结构,高温退火后柱状晶的晶界变得模糊。溅射气压为0.5Pa和0.2Pa的薄膜的马氏体相变起始温度分别为290K和332K,溅射气压改变了薄膜成分,进而改变了相变温度。根据300K测得的磁化曲线,退火后溅射气压为0.5Pa和0.2Pa的薄膜分别显示出软磁和硬磁特性,这与M-T曲线的结果是相符的。室温下,0.5Pa薄膜的磁畴形貌呈现出迷宫状;而0.2Pa样品则显现出马氏体的浮凸,与它的磁畴形貌直接关联。 展开更多
关键词 磁控溅射 铁磁材料 马氏体相变 ni—mn-ga薄膜 磁性能
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不同温度及外加磁场方向外延生长Ni-Mn-Ga薄膜的磁性能研究
5
作者 姜钟生 杨波 +1 位作者 闫海乐 李宗宾 《曲靖师范学院学报》 2021年第3期22-28,共7页
外延生长Ni–Mn-Ga哈斯勒合金薄膜具有多种优异的磁控功能行为,是智能传感驱动、新型固态制冷等领域中极具前景的候选材料.利用磁控溅射在MgO(001)单晶基板上制备出外延生长Ni-Mn-Ga薄膜,X射线衍射和微观组织表征结果显示其在室温下为... 外延生长Ni–Mn-Ga哈斯勒合金薄膜具有多种优异的磁控功能行为,是智能传感驱动、新型固态制冷等领域中极具前景的候选材料.利用磁控溅射在MgO(001)单晶基板上制备出外延生长Ni-Mn-Ga薄膜,X射线衍射和微观组织表征结果显示其在室温下为七层调制结构马氏体.通过测量MgO(001)基板上外延生长Ni-Mn-Ga薄膜在不同温度和不同磁场方向的磁滞回线发现,当温度低于330K时,在其磁滞回线上能够观察到明显的"磁矩跳跃"现象(磁化强度的突变),并且随温度降低该现象越明显;当温度高于335 K时,薄膜的磁滞回线为常规磁性材料的磁滞回线,说明"磁矩跳跃"现象只存在于马氏体状态.通过研究不同施加磁场方向的磁滞回线发现,薄膜磁滞回线上的"磁矩跳跃"现象对外加磁场方向也非常敏感,只有当外加磁场靠近MgO单晶基板的[100]或[010]方向时,薄膜的磁滞回线才会存在明显的"磁矩跳跃"现象. 展开更多
关键词 外延生长ni-mn-ga薄膜 磁化行为 磁场诱发马氏体变体重取向 热-磁曲线 磁滞回线
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热处理温度对Ni-Mn-Ga-Co薄膜性能的影响
6
作者 张馨 张敏刚 +3 位作者 郭艳萍 孙娜 宫长伟 陈峰华 《山西冶金》 CAS 2015年第4期9-11,共3页
采用磁控溅射技术在P型Si(100)基片上制备了掺杂Co的Ni-Mn-Ga薄膜,对制得的薄膜进行不同温度的热处理,并分析研究各种薄膜的表面形貌以及磁性能的异同。研究发现:在不同的退火温度下,Ni-MnGa-Co薄膜表面颗粒的生长都比较均匀;薄膜在1 07... 采用磁控溅射技术在P型Si(100)基片上制备了掺杂Co的Ni-Mn-Ga薄膜,对制得的薄膜进行不同温度的热处理,并分析研究各种薄膜的表面形貌以及磁性能的异同。研究发现:在不同的退火温度下,Ni-MnGa-Co薄膜表面颗粒的生长都比较均匀;薄膜在1 073 K退火1 h的情况下,磁性能最强,随着退火温度的变高或变低,磁性能都有所减弱;当退火温度为1 073 K时,居里温度最高,为350 K。 展开更多
关键词 ni-mn-ga-Co薄膜 退火温度 磁性能
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