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题名WO_x基忆阻器的信息存储及神经突触仿生研究
被引量：1
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作者
承艳坤
林亚
王中强
徐海阳
刘益春
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机构
东北师范大学物理学院
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出处
《微纳电子与智能制造》
2019年第4期112-120,共9页
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基金
国家自然科学基金(51872043,51732003,61774031)项目资助.
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文摘
忆阻器因其具有独特的非线性电学特性,在高密度信息存储、神经突触仿生等领域具有巨大的应用潜力。氧化钨(WO_x)材料具有氧离子/空位易于调控的特性,适合发展高稳定性忆阻器件,是一种典型的忆阻材料。综述了WO_x薄膜作为转变层的忆阻器件发展现状,主要包括其在阻变信息存储及神经突触仿生等领域的应用。一方面,阐述了数字型忆阻器的阻变特性及其物理机制;另一方面,介绍了模拟型忆阻器件的构筑及其仿生神经突触学习功能,包括非线性传输特性、长时/短时突触可塑性等。此外,介绍了一种数字-模拟混合型人工忆阻神经网络,可用于图像识别且速度和精度连续可调。
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关键词
WO_x
电阻转变
神经突触仿生
人工神经网络应用
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Keywords
WO_x
resistive switching
neurosynaptic bionics
artificial neural network application
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分类号
TN60
[电子电信—电路与系统]
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