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Nd∶GdVO_4单晶的生长、位错和形貌 被引量:5
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作者 马会龙 臧竞存 +1 位作者 刘燕行 邹玉林 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期355-358,共4页
用提拉法生长出掺钕钒酸钆(Nd∶GdVO4)单晶,并且采用化学浸蚀法在偏光显微镜下观察了位错蚀坑,测定了(100)面晶体位错密度为600个/mm2。观察了不同提拉方向的晶体生长形貌,可采用简单光学方法确定晶体方向。
关键词 无机非金属材料 nd:gdvo4单晶 化学浸蚀 位错 晶体形貌 稀土
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