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铌硒化合物单晶的制备及其I-V曲线的测试 被引量：1
1
作者 王洪涛 《物理测试》 CAS 2004年第6期26-27,共2页
用气相输运法成功制备出了铌硒化合物 (NbSe3 )单晶 ,用电子扫描电镜 (SEM )观测发现 :制备出的单晶结晶性很好。另外 ,还对制备出的单晶进行了不同温度下的I V曲线测试。
关键词 铌硒化合物单晶 单晶制备 I-V曲线 电子扫描电镜 气相输运法
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准—维NbSe_3单晶的制备及其输运特性 被引量：2
2
作者 王洪涛 郑毅 +1 位作者 陈学枝 许祝安 《材料研究学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期247-252,共6页
用气相输运法制备了准一维结构的NbSe_3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系。在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe_3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷。NbSe_3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe_3样品分别在T_(ρ1)=1... 用气相输运法制备了准一维结构的NbSe_3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系。在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe_3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷。NbSe_3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe_3样品分别在T_(ρ1)=145 K和T_(ρ2)=57 K 经历两次 Peierls相变、剩余电阻比 RRR高于 200。根据对不同样品的ρ-T曲线的研究指出,以前的文献用剩余电阻比估计杂质浓度n_i的方法是一个错误,并提出了改进措施。 展开更多
关键词 材料科学基础学科 PEIERLS相变 nbse3单品 剩余电阻比 电荷密度波 杂质浓度
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