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电极材料对NbO_(x)Mott忆阻器稳定性的影响
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作者 赵淑景 任文君 +5 位作者 方胜利 刘卫华 李昕 王小力 杨世强 韩传余 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第12期129-135,共7页
为了改善NbO_(x)Mott忆阻器电学稳定性和一致性,提升NbO_(x)Mott忆阻器构建人工脉冲神经元的应用潜力,研究制备了通孔型NbO_(x)Mott忆阻器,并对比研究了Pt、W电极材料对器件稳定性和一致性的影响。研究结果表明,相较于常见报道的Pt电极... 为了改善NbO_(x)Mott忆阻器电学稳定性和一致性,提升NbO_(x)Mott忆阻器构建人工脉冲神经元的应用潜力,研究制备了通孔型NbO_(x)Mott忆阻器,并对比研究了Pt、W电极材料对器件稳定性和一致性的影响。研究结果表明,相较于常见报道的Pt电极器件,采用W电极的NbO_(x)Mott忆阻器表现出了更为优越的稳定性和一致性。此外,利用NbO_(x)Mott忆阻器搭建了振荡电路,成功实现了人工脉冲神经元的功能。基于W电极NbO_(x)Mott忆阻器的人工脉冲神经元可以稳定振荡时间超过106 s,循环耐久性可达1012次以上,其振荡波形的幅度及频率稳定性远好于基于Pt电极的人工脉冲神经元。进一步的XPS结果显示,在基于W电极的NbO_(x)Mott忆阻器中,W和NbO_(x)界面生成了一层致密的WO_(x)层,有效地阻挡了氧空位在NbO_(x)材料中的迁移。相比之下,基于Pt电极的NbO_(x)Mott忆阻器因Pt层存在大量晶界且对氧空位有较强的吸附作用,导致在电激活和阈值阻变过程中氧空位发生跳动,从而降低了器件的电学稳定性。该研究为提升NbO_(x)Mott忆阻器的稳定性和一致性提供了新的途径,有望推动其在脉冲型神经形态计算系统中的产业化应用。 展开更多
关键词 Mott忆阻器 nbo_(x) 阈值阻变 稳定性 人工神经元 电极材料
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Adaptive SRM neuron based on NbO_(x) memristive device for neuromorphic computing 被引量:2
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作者 Jing-Nan Huang Tong Wang +1 位作者 He-Ming Huang Xin Guo 《Chip》 2022年第2期43-49,共7页
The spike-response model(SRM)describes the adaptive behaviors of a biological neuron in response to repeated or prolonged stimulation,so that SRM neurons can avoid information overload and support neural networks for ... The spike-response model(SRM)describes the adaptive behaviors of a biological neuron in response to repeated or prolonged stimulation,so that SRM neurons can avoid information overload and support neural networks for competitive learning.In this work,an artificial SRM neuron with the leaky integrate-and-fire(LIF)functions and the adaptive threshold is firstly implemented by the volatile memris-tive device of Pt/NbO_(x)/TiN.By modulating the volatile speed of the device,the threshold of the SRM neuron is adjusted to achieve the adaptive behaviors,such as the refractory period and the lateral inhi-bition.To demonstrate the function of the SRM neuron,a spiking neu-ral network(SNN)is constructed with the SRM neurons and trained by the unsupervised learning rule,which successfully classifies letters with noises,while a similar SNN with LIF neurons fails.This work demonstrates that the SRM neuron not only emulates the adaptive behaviors of a biological neuron,but also enriches the functionality and unleashes the computational power of SNNs. 展开更多
关键词 Memristive device nbo_(x) SRM neuron Spiking neural net-work Unsupervised learning rule
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NbO_(x)忆阻神经元的设计及其在尖峰神经网络中的应用 被引量:4
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作者 古亚娜 梁燕 +1 位作者 王光义 夏晨阳 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第11期17-29,共13页
NbO_(x)忆阻器凭借其纳米尺寸、阈值切换及局部有源特性在神经形态计算领域展现出巨大的应用前景.对NbO_(x)忆阻器动力学特性的深入分析和研究有利于忆阻神经元电路的设计和优化.本文基于局部有源理论,采用小信号分析方法对NbO_(x)忆阻... NbO_(x)忆阻器凭借其纳米尺寸、阈值切换及局部有源特性在神经形态计算领域展现出巨大的应用前景.对NbO_(x)忆阻器动力学特性的深入分析和研究有利于忆阻神经元电路的设计和优化.本文基于局部有源理论,采用小信号分析方法对NbO_(x)忆阻器物理模型展开了研究,定量分析了产生尖峰振荡的区域和条件,并确定了激励信号幅值和尖峰频率之间的定量关系.基于上述理论分析,进一步设计了NbO_(x)忆阻器神经元,并结合忆阻突触十字交叉阵列,构建了25×10的尖峰神经网络(spiking neuron network,SNN).最后,分别利用频率编码和时间编码两种方式,有效地实现了数字0到9模式的识别功能. 展开更多
关键词 nbo_(x)忆阻器 局部有源 人工神经元 尖峰神经网络
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Nb金属氧化物非晶态纳米薄膜的制备及可见光区的光致发光现象 被引量:1
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作者 周效锋 《功能材料信息》 2007年第5期13-,共1页
在较低的温度下,通过热氧化法在Si单晶基底上合成氧化铌(NbO_x)非晶结构纳米薄膜。样品的衍射谱为典型的漫散包,在450℃以下的退火样品都没有明显的晶化峰出现。SEM图片显示,薄膜是由一些准直阵列的椎形结构组成。在室温下对原始非晶膜... 在较低的温度下,通过热氧化法在Si单晶基底上合成氧化铌(NbO_x)非晶结构纳米薄膜。样品的衍射谱为典型的漫散包,在450℃以下的退火样品都没有明显的晶化峰出现。SEM图片显示,薄膜是由一些准直阵列的椎形结构组成。在室温下对原始非晶膜以及退火处理过的样品作了PL谱分析,实验观测到:514nm激发光源下,样品在室温下可见光区出现红橙色发光,发光峰包较宽且很有特点。分峰拟合结果可明显看到发光峰包由630~715附近的两峰组成,通过性能检测发现,薄膜经低温段退火处理后在可见光区具有很好的光致发光,这一现象到目前为止尚少见报道。实验还研究了退火温度与发光强度的规律,初步研究表明,此光致发光机制与缺陷有关。 展开更多
关键词 纳米薄膜 nbo_x 光致发光
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