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Nb/A1-AlO_X/Nb隧道结的制备研究 被引量：2
1
作者 肖伟 曹春海 +6 位作者 李梦月 许钦印 卢亚鹏 康琳 许伟伟 陈健 吴培亨 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期1-3,共3页
通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1-AlOX/Nb隧道结。采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀。使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏... 通过改进RIE的刻蚀工艺和绝缘层的生长工艺,在SiO2/Si衬底上制备出了性能良好的超导Nb/A1-AlOX/Nb隧道结。采用CF4作为刻蚀气体,降低了RIE对结势垒层和衬底SiO2层的刻蚀。使用PECVD生长绝缘层SiO2,改善了绝缘性能,从而降低了隧道结的漏电流。 展开更多
关键词 nb/A1-alox/nb 隧道结 制备工艺
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Nb/Al-AlO_x/Nb超导隧道结的制备 被引量：1
2
作者 姚晓栋 曹春海 +5 位作者 张广涵 翟计全 康琳 许伟伟 陈健 吴培亨 《低温与超导》 CAS 北大核心 2015年第7期19-21,共3页
在高阻硅衬底上采用光刻、直流磁控溅射、反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等方法研究制备了高质量的Nb/Al-Al Ox/Nb超导隧道结。在4.2K下,测量了直径8μm的圆形结样品,得到临界电流密度约为1.6k A/cm2,漏电流约... 在高阻硅衬底上采用光刻、直流磁控溅射、反应离子刻蚀(RIE)、等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)等方法研究制备了高质量的Nb/Al-Al Ox/Nb超导隧道结。在4.2K下,测量了直径8μm的圆形结样品,得到临界电流密度约为1.6k A/cm2,漏电流约为50μA。制结工艺流程的重复性较好。 展开更多
关键词 nb/Al-alox/nb 超导隧道结 制备工艺
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