期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
共找到7篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
基于几何相位分析的Nb-Si{001}界面应变研究
1
作者 李旭 任玲玲 +2 位作者 高思田 周丽旗 陶兴付 《航空材料学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第2期96-103,共8页
用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度... 用高分辨电子显微成像和几何相位分析,研究不同溅射气压下制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间存在铌、硅元素的混合层;当溅射气压为0.65 Pa,0.85 Pa和1 Pa时,硅基体中应变ε_(xx)分别是–0.16%,–0.30%和0.42%,ε_(yy)分别是–1.23%,–0.31%和0.26%,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变。 展开更多
关键词 高分辨成像 几何相位分析 铌薄膜 硅基体 混合层 应变
下载PDF
基于几何相位分析的Nb/Si{111}界面应变研究
2
作者 李旭 任玲玲 +2 位作者 高思田 周丽旗 陶兴付 《电子显微学报》 CAS CSCD 2016年第6期467-474,共8页
本文使用高分辨透射电镜(HRTEM)成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。研究结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸... 本文使用高分辨透射电镜(HRTEM)成像和几何相位分析,研究不同溅射气压制备的铌薄膜/硅基体的界面微观结构和应变状态。研究结果表明:铌薄膜表面由花瓣状层片组织构成,层片组织随机分布,没有明显的特征取向;随着溅射气压的增大,层片尺寸随之增大,致密度减小,出现了大量孔隙,铌薄膜和硅基体之间产生铌、硅元素的混合层;随着溅射气压的增大,硅基体中应变的大小和方向均不相同,溅射气压对硅基体的应变状态具有很大影响;硅基体的应变主要来自于界面混合层和铌薄膜的作用,混合层中铌原子和硅原子相互混杂,存在大量结构缺陷,产生本征应力,从而导致硅基体中产生应变。 展开更多
关键词 高分辨成像 几何相位分析 铌薄膜 硅基体 混合层 应变
下载PDF
非平衡磁控溅射离子镀Cu-Nb纳米晶薄膜的微观结构及性能
3
作者 王钰鹏 吴泓均 +2 位作者 鲍明东 田武 周兵 《金属热处理》 CAS CSCD 北大核心 2021年第12期156-161,共6页
研究了Nb含量对纳米晶Cu-Nb薄膜微观结构和性能的影响。使用非平衡磁控溅射离子镀技术,在具有(100)晶面的单晶Si基体和玻璃基体上制备不同Nb含量的Cu-Nb纳米晶薄膜,研究Nb含量对纳米晶Cu-Nb薄膜微观结构和性能的影响。将样品置于卧式真... 研究了Nb含量对纳米晶Cu-Nb薄膜微观结构和性能的影响。使用非平衡磁控溅射离子镀技术,在具有(100)晶面的单晶Si基体和玻璃基体上制备不同Nb含量的Cu-Nb纳米晶薄膜,研究Nb含量对纳米晶Cu-Nb薄膜微观结构和性能的影响。将样品置于卧式真空退火炉中进行400℃退火,用配备了能量色散X射线光谱仪的场发射扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射仪、纳米压痕仪和四探针电阻率测试仪等分析了退火前后薄膜的微观结构、力学性能与电学性能。结果表明,沉积态Cu-Nb薄膜表面由致密的纳米晶组成,表面粗糙度最高仅为8.54 nm,且无明显的孔洞和裂纹等缺陷。随着Nb含量的增加,薄膜的平均晶粒尺寸下降5 nm,薄膜的硬度也因细晶强化而有所增加,在靶电流为1.3 A时达到最大值4.9 GPa。退火态样品在硬度、弹性模量、平均晶粒尺寸和表面粗糙度方面与沉积态薄膜相比有较小的变化,Cu-Nb薄膜表现出优良的热稳定性。Nb的加入可有效细化晶粒,达到细晶强化的效果,同时Cu-Nb不互溶的特性使得纳米晶薄膜在高温下也可保持较好的热稳定性。Nb靶溅射电流为0.5 A时薄膜综合性能最佳,此时沉积态Cu-Nb薄膜的电阻率最低,为3.798×10^(-7)Ω/m,硬度和弹性模量高达4.6 GPa和139.5 GPa,薄膜厚度为1050 nm,粗糙度R_(a)为4.70 nm。 展开更多
关键词 非平衡磁控溅射 Cu-nb纳米晶薄膜 电学及力学性能 热稳定性
原文传递
非晶Nb-Ni薄膜用于Cu与Si之间阻挡层的性能和结构的研究
4
作者 张磊 冯招娣 +6 位作者 王世杰 贾艳丽 贾长江 闫其庚 李晓红 代秀红 刘保亭 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期852-856,共5页
采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质。结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块... 采用射频磁控溅射法架构了Cu(50 nm)/Nb-Ni(50 nm)/Si异质结,利用四探针电阻测试仪、X射线衍射仪和原子力显微镜等研究了样品在不同温度下高真空退火后的结构及输运性质。结果表明:经退火处理后的样品的方块电阻均小于常温下样品的方块电阻;X射线衍射图谱中,各个退火温度下均没有Nb-Ni结晶峰和其它杂峰出现;在AFM图像中,随着退火温度的上升,样品表面的粗糙度逐渐增加,晶粒的尺寸也在逐渐增大,直到当退火温度达到750℃左右,样品表面布满了岛状晶粒进而导致阻挡层失效。 展开更多
关键词 阻挡层 铜互连 nb-Ni薄膜
下载PDF
脉冲激光沉积技术制备超导铌薄膜及其特性研究 被引量：3
5
作者 彭明娣 卢维尔 +3 位作者 夏洋 王桐 赵丽莉 李楠 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第A01期105-109,共5页
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构... 采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅衬底上制备超导Nb薄膜,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨X射线光电子能谱(XPS)、综合物性测量系统(PPMS)等测试分析手段,分别考察了不同激光能量、靶基间距、衬底温度对Nb薄膜晶体结构、表面形貌和电学性能的影响。结果表明,Nb薄膜在(110)晶向择优生长,并且随着激光能量的增加,薄膜的结晶质量逐渐提高;合适的衬底温度和靶基间距有利于提高Nb薄膜的结晶性能;在激光能量280 mJ、靶基间距5cm、加热盘温度650℃时制备所得Nb薄膜在(110)晶面半峰宽(FWHM)为0.39°,超导转变温度(Tc)为8.6K,且Nb薄膜具有良好的结晶性能和超导特性。 展开更多
关键词 脉冲激光沉积 超导nb金属薄膜 超导转变温度 超导性能 结晶特性
下载PDF
Zr/Nb薄膜材料的制备及界面结构研究 被引量：3
6
作者 姚文清 张立武 +6 位作者 牟豪杰 张川 严谨 朱永法 杨江荣 刘柯钊 鲜晓斌 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第2期134-137,共4页
通过直流磁控溅射法在单晶Si(100)基底上制备了Zr/Nb/Si薄膜材料。X射线衍射(XRD)研究表明Zr薄膜以多晶形式存在,而Nb薄膜则形成了(110)晶面择优生长。薄膜中Zr和Nb晶粒大小分别为14,6 nm。扫描电镜研究表明形成的薄膜表面平整光滑,没... 通过直流磁控溅射法在单晶Si(100)基底上制备了Zr/Nb/Si薄膜材料。X射线衍射(XRD)研究表明Zr薄膜以多晶形式存在,而Nb薄膜则形成了(110)晶面择优生长。薄膜中Zr和Nb晶粒大小分别为14,6 nm。扫描电镜研究表明形成的薄膜表面平整光滑,没有微裂纹存在。扫描俄歇电子能谱及X射线光电子能谱的研究表明,Zr/Nb/Si薄膜样品具有清晰的界面结构。在薄膜表面形成了致密的氧化层物种,而在膜层内部少量氧则以吸附态形式存在。 展开更多
关键词 Zr/nb/Si薄膜 磁控溅射法 界面 扫描电镜 X射线衍射 俄歇电子能谱 X射线光电子能谱
下载PDF
硅基微磁通门非晶Fe_(96)Nb_4铁芯薄膜的研究 被引量：1
7
作者 梁晋涛 刘诗斌 张程煜 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第5期871-873,共3页
采用磁控溅射法制备一种适合用于硅基微磁通门的新型非晶Fe96Nb4软磁铁芯薄膜,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、振动样品磁强计测试薄膜的相组成、表面形貌、和磁滞回线,用双铁芯磁通门探头线圈对制作的铁芯薄膜进行试验。结果表明... 采用磁控溅射法制备一种适合用于硅基微磁通门的新型非晶Fe96Nb4软磁铁芯薄膜,并利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、振动样品磁强计测试薄膜的相组成、表面形貌、和磁滞回线,用双铁芯磁通门探头线圈对制作的铁芯薄膜进行试验。结果表明:随制备温度的升高,薄膜的缺陷明显减小,软磁性能显著改善。基片温度为630K时制作的硅基Fe96Nb4铁芯薄膜的性能适合用于微磁通门铁芯材料。 展开更多
关键词 Fe96nb4铁芯薄膜 软磁 微磁通门 双铁芯磁探头
下载PDF
已选择0条
导出题录 引用分析
参考文献
引证文献
 统计分析
检索结果
已选文献
上一页 1 下一页 到第 页
使用帮助 返回顶部