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题名窄禁带半导体紫外光电探测研究进展(特邀)
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作者
吴春艳
张宇梁
贺新辉
杨小平
王秀娟
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机构
合肥工业大学微电子学院
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出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2024年第7期31-41,共11页
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基金
安徽省自然科学基金(No.2208085MF177)。
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文摘
紫外光电探测器具有比可见和近红外光电探测器更低的背景噪声、更高的灵敏度和更强的抗干扰能力,广泛应用于光学成像、安全监测、空间探测等领域。近年来,窄禁带半导体微纳结构在紫外甚至日盲紫外探测领域脱颖而出。本文介绍了两类半导体微纳结构(超细纳米线、超薄纳米片)中光吸收特性随材料特征尺寸的变化,揭示了窄禁带半导体应用于紫外探测的工作机理,综述了基于窄禁带半导体微纳结构的紫外光电探测器的研究进展,并对发展趋势进行了展望。与宽禁带半导体和Si基紫外光电探测相比,窄禁带半导体微纳结构提供了一种工艺条件更简单、制造成本更低的紫外光电探测方式。
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关键词
光电探测器
紫外
窄禁带半导体
泄漏模式共振
厚度依赖的吸收系数
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Keywords
Photodetector
Ultraviolet
narrow bandgap semiconductor
Leaky mode resonance
Thickness-dependent absorption coefficient
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分类号
TN36
[电子电信—物理电子学]
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题名基于光致发光谱的窄禁带半导体材料能级研究
被引量：1
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作者
申晨
李乾
周朋
杨海燕
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《红外》
CAS
2020年第7期1-4,37,共5页
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文摘
材料能带以及缺陷能级状态是窄禁带半导体材料芯片制造过程中的重要参数。红外调制光致发光(Photoluminescence,PL)光谱仪是一种无损的有效检测技术。利用该技术对不同的窄禁带半导体材料进行了检测,然后用线型拟合光谱揭示了不同能级间的电子跃迁,并对结果进行了分析。结果表明,红外调制PL光谱是一种有效的材料能带和缺陷能级研究方法。
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关键词
窄禁带半导体材料
PL光谱
能级跃迁
缺陷能级
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Keywords
narrow bandgap semiconductor materials
PL spectra
band transition
defect energy level
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分类号
TM23
[一般工业技术—材料科学与工程]
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