纳米电子技术的发展与展望 被引量：19

1

作者 刘长利 沈雪石 +1 位作者 张学骜 刘书雷 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第10期617-622,共6页

纳米电子技术研究是提升国家核心竞争力和抢占科技制高点的战略选择,是我国实现信息科学技术跨越发展的主要途径。阐述了纳米电子技术研究的重要地位,梳理了纳米电子技术的主要研究方向和关键技术,重点研究了纳米电子技术的最新发展动向... 纳米电子技术研究是提升国家核心竞争力和抢占科技制高点的战略选择,是我国实现信息科学技术跨越发展的主要途径。阐述了纳米电子技术研究的重要地位,梳理了纳米电子技术的主要研究方向和关键技术,重点研究了纳米电子技术的最新发展动向,并对其发展前景进行了展望。认为纳米电子技术是微电子技术发展的必然趋势,是催生新型信息器件的重要温床,是实现量子计算的主要途径。新型电子元器件的不断涌现,有望使摩尔定律得到延续和扩展,石墨烯研究的突破将可能使碳基CMOS逐渐取代硅基CMOS,碳纳米管的发展将使纳米集成电路走向应用,忆阻器将可能取代晶体管。 展开更多

关键词 纳米电子技术 纳米电子器件 石墨烯 碳纳米管 忆阻器

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后摩尔时代集成电路的新器件技术 被引量：12

2

作者 黄如 黎明 +2 位作者 安霞 王润声 蔡一茂 《中国科学：信息科学》 CSCD 2012年第12期1529-1543,共15页

随着大规模集成电路(IC)技术的持续发展,来自短沟效应、量子隧穿以及寄生效应等问题的挑战使得传统微电子器件技术越来越难以满足IC技术持续推进的要求,特别是日益严峻的能耗问题已经成为延续摩尔定律的最大瓶颈,在后摩尔时代采用新器... 随着大规模集成电路(IC)技术的持续发展,来自短沟效应、量子隧穿以及寄生效应等问题的挑战使得传统微电子器件技术越来越难以满足IC技术持续推进的要求,特别是日益严峻的能耗问题已经成为延续摩尔定律的最大瓶颈,在后摩尔时代采用新器件技术成为必然.面向不同集成电路应用如何发展适合未来微电子产业需求的纳米尺度新器件成为当前热点问题.本文结合新结构器件、新原理器件和新材料的引入介绍适于大规模集成的纳米尺度新器件技术,包括FinFET器件、超薄体SOI器件、准SOI器件、多栅/围栅硅纳米线器件、超陡亚阈摆幅器件、高迁移率沟道器件等,分析相关器件优势、存在问题、可能解决方案及应用前景等,并讨论后摩尔时代新器件技术路线图,给出相关预测. 展开更多

关键词 后摩尔时代 纳米电子器件 新结构 新原理 新材料 技术路线图

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纳米器件的发展动态 被引量：8

3

作者 翁寿松 《微纳电子技术》 CAS 2005年第8期345-349,共5页

介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,... 介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。在纳米CMOS器件方面,主要介绍近半年来65nm工艺及器件的最新动态;在纳米电子器件方面,主要介绍共振隧穿器件(RTD)的动态;在量子器件方面,主要介绍量子器件和半导体自旋器件的概况。 展开更多

关键词 纳米器件 纳米CMOS器件 纳米电子器件 量子器件

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参数不确定量子细胞神经网络与Lorenz超混沌系统的函数投影同步研究 被引量：6

4

作者 杨晓阔 蔡理 +1 位作者 赵晓辉 冯朝文 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期3740-3746,共7页

研究了具有不确定参数的量子细胞神经网络系统与Lorenz超混沌系统的函数投影同步.设计了自适应追踪控制器来实现两个不同系统渐进同步到已知的比例函数,并运用Lyapunov稳定性方法进行了证明.理论分析了量子细胞神经网络系统不确定参数... 研究了具有不确定参数的量子细胞神经网络系统与Lorenz超混沌系统的函数投影同步.设计了自适应追踪控制器来实现两个不同系统渐进同步到已知的比例函数,并运用Lyapunov稳定性方法进行了证明.理论分析了量子细胞神经网络系统不确定参数的系数向量线性无关性,实现了不确定参数的识别和估计.数值仿真结果验证了函数投影同步和参数估计的有效性. 展开更多

关键词 量子细胞神经网络 Lorenz超混沌 函数投影同步 纳电子器件

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纳米电子学研究的新进展及发展前景 被引量：5

5

作者 王频 张志健 吴全德 《物理》 CAS 1998年第5期273-278,共6页

微电子器件的下一代是纳米电子器件，它将在未来的信息社会中起重要作用．所以，引起一些发达国家和大公司对纳米电子学的研究的高度重视，它涉及多种微观物理现象和规律．文章介绍了纳米电子学研究内容和领域，评述了一些国家政府支持... 微电子器件的下一代是纳米电子器件，它将在未来的信息社会中起重要作用．所以，引起一些发达国家和大公司对纳米电子学的研究的高度重视，它涉及多种微观物理现象和规律．文章介绍了纳米电子学研究内容和领域，评述了一些国家政府支持的情况和纳米电子学研究的新进展，也介绍了我国纳米电子学的研究水平和发展前景． 展开更多

关键词 纳米电子学 纳米电子器件 单电子器件

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面向SWCNT-FET制造的介电泳装配技术 被引量：3

6

作者 吴成东 许可 +1 位作者 田孝军 董再励 《东北大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期1072-1075,共4页

针对单壁碳纳米管(SWCNT)场效应晶体管(FET)制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配.对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用COMSOL多物理场耦合软件模拟了介电泳驱动电场... 针对单壁碳纳米管(SWCNT)场效应晶体管(FET)制造过程中面临的SWCNT装配问题,采用介电泳技术实现SWCNT在微电极上的有效装配.对SWCNT在非均匀电场中所受到的介电泳力进行了相关理论分析,利用COMSOL多物理场耦合软件模拟了介电泳驱动电场,并做了大量装配实验,获得了高效装配SWCNT所需的实验参数.AFM扫描观测及电特性测试验证了这种方法的有效性,同时也为其他一维纳米材料纳电子器件的装配制造提供了借鉴. 展开更多

关键词 单壁碳纳米管 场效应晶体管 介电泳 COMSOL软件 原子力显微镜 纳电子器件

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量子元胞自动机器件和电路的研究进展 被引量：3

7

作者 杨晓阔 蔡理 +1 位作者 李政操 陈祥叶 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2011年第12期754-760,共7页

量子元胞自动机(QCA)是一种新颖的纳米技术,该技术不再通过电流或电压而是基于场相互作用进行信息的计算和传递。首先,综述了两种量子元胞自动机(EQCA和MQCA)器件的计算原理、基本逻辑门和时钟。指出了QCA元胞构成的不同线结构可在相同... 量子元胞自动机(QCA)是一种新颖的纳米技术,该技术不再通过电流或电压而是基于场相互作用进行信息的计算和传递。首先,综述了两种量子元胞自动机(EQCA和MQCA)器件的计算原理、基本逻辑门和时钟。指出了QCA元胞构成的不同线结构可在相同层交叉传递信号而不受影响。然后,进一步总结了制备QCA器件和功能阵列或电路的实验方法和材料,得出MQCA器件和分子EQCA器件的发展将使该器件逐步达到实际应用水平的结论。详细讨论了目前QCA器件和电路(尤其是存储单元结构)研究取得的重要进展以及面临的问题。提出了QCA器件未来理论和应用研究中的开放课题和方向。 展开更多

关键词 量子元胞自动机(QCA) 纳电子器件 纳磁体 电路设计 缺陷

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六方氮化硼二维材料的制备及光电特性的研究进展 被引量：3

8

作者 丁馨 马锡英 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2018年第S1期11-14,18,共5页

介绍了六方氮化硼(h-BN)材料的几种主要制备方法,如剥离法、化学气相沉积法、水热法等,并讨论了各种制备方法的特点。同时展示了以h-BN二维材料制备的晶体管的特性,发现其具有良好的电学和放大特性。综述了h-BN与石墨烯、硫化钼等其他... 介绍了六方氮化硼(h-BN)材料的几种主要制备方法,如剥离法、化学气相沉积法、水热法等,并讨论了各种制备方法的特点。同时展示了以h-BN二维材料制备的晶体管的特性,发现其具有良好的电学和放大特性。综述了h-BN与石墨烯、硫化钼等其他二维材料构成的异质结的光电特性,因为h-BN带隙宽,与其他二维材料形成的异质结势垒高度增加,载流子复合速率降低,使光电流响应率增加,响应时间减小,从而使器件的频率特性得到显著提升。这些优异特性可用于制备光电探测器和太阳能电池等高效率的纳米光电子器件。最后,还对h-BN未来的发展方向进行了展望,其制备工艺和应用领域还有待进一步深入拓展。 展开更多

关键词 六方氮化硼 二维材料 机械剥离法 化学气相沉积法 水热法 晶体管 光电探测器 纳米电子器件

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纳米电子技术——21世纪的电子热点 被引量：2

9

作者 陈岩 《北京工商大学学报（自然科学版）》 CAS 2001年第3期14-17,共4页

主要阐述纳米电子技术产生的背景 ,纳米电子学研究的内容和领域 ,纳米电子学研究的新进展 ,以及纳米电子的应用前景 .

关键词 纳米电子学 纳米电子器件 单电子器件 纳米电子技术 微电子技术 纳米芯片

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自组装半导体量子点的电子学性质研究进展 被引量：2

10

作者 孙捷 金鹏 王占国 《金属学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第5期463-470,共8页

自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中... 自组装半导体量子点是人工设计、生长的一种具有量子尺寸效应、量子干涉效应、表面效应、量子隧穿和Coulumb阻塞效应以及非线性光学效应的新型功能材料.由于其具有晶体缺陷少、材料制备工艺相对简单等优点而在未来纳米电子器件的研制中有重要的应用价值.本文按照纵向输运、横向输运、电荷存储的顺序,扼要评述了自组装半导体量子点电子学性质的最新研究进展,并对目前存在的问题和发展前景作了分析. 展开更多

关键词 自组装半导体量子点 量子尺寸效应 纳米电子器件

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接触——纳电子器件的关键 被引量：2

11

作者 侯士敏 申自勇 +2 位作者 赵兴钰 薛增泉 吴全德 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期241-244,共4页

接触是纳电子器件研究中的重要课题。我们以由 6个金原子构成的Au6原子线簇为核心工作区的原型纳电子器件为例 ,利用Green函数方法计算了它的电流 电压特性。计算结果表明 ,随着Au6原子线簇与两端电极的接触由弱到强 ,整个纳电子器件的... 接触是纳电子器件研究中的重要课题。我们以由 6个金原子构成的Au6原子线簇为核心工作区的原型纳电子器件为例 ,利用Green函数方法计算了它的电流 电压特性。计算结果表明 ,随着Au6原子线簇与两端电极的接触由弱到强 ,整个纳电子器件的电学特性发生了由以共振隧穿为主要特征的分子导电到量子化电导的巨大变化。因此 ,接触在很大程度上决定了纳电子器件的电学特性。 展开更多

关键词 金原子 GREEN函数 量子化 共振隧穿 接触 电学特性 分子 纳电子器件 电压特性 电导

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一种共振隧穿二极管三值逻辑电路设计方法 被引量：1

12

作者 韦一 沈继忠 《山东大学学报（工学版）》 CAS 北大核心 2013年第3期94-98,共5页

通过对多值单稳态—多稳态转换逻辑单元的分析,发现开关信号理论可以准确地解释其工作原理。在此基础上,提出了三值共振隧穿二极管电路一般结构,用于实现任意三值逻辑函数。相应的电路设计方法可归为求取开关函数的最简表达式,并用异质... 通过对多值单稳态—多稳态转换逻辑单元的分析,发现开关信号理论可以准确地解释其工作原理。在此基础上,提出了三值共振隧穿二极管电路一般结构,用于实现任意三值逻辑函数。相应的电路设计方法可归为求取开关函数的最简表达式,并用异质结场效应晶体管实现,从而避免电路中共振隧穿二极管参数的调整,简化整个设计过程。模拟仿真表明所设计的电路具有正确的逻辑功能。 展开更多

关键词 纳米电子器件 共振隧穿二极管 三值逻辑 电路设计 开关信号理论

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纳电子器件的少电子输运性质及应用 被引量：1

13

作者 陈杰智 施毅 +2 位作者 濮林 刘明 郑有炓 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期427-431,共5页

在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展... 在介绍纳电子器件基本输运理论基础上,着重分析量子点结构器件模型,讨论了量子点上能级分立和电子填充的各种情况,以及电子自旋的影响,特别强调了纳米限制系统中局域态电子和非局域态电子相互作用特征。综述了目前纳电子器件的研究进展及其应用。 展开更多

关键词 纳电子器件 少电子输运 库仑阻塞 近藤效应

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第四种基本电路元件忆阻器及其应用

14

作者 张永华 郑芳林 +1 位作者 熊大元 王永亮 《微纳电子技术》 CAS 北大核心 2013年第12期751-757,共7页

忆阻器是一种具有记忆特性的新型元器件,被认为是与电阻、电感和电容并肩的4个基本电路元件之一。给出了忆阻器性质的简化数学模型,借助数学模型的仿真结果,分析了忆阻器的记忆特性和开关功能。介绍了基于氧化钛纳米薄膜的忆阻器的实际... 忆阻器是一种具有记忆特性的新型元器件,被认为是与电阻、电感和电容并肩的4个基本电路元件之一。给出了忆阻器性质的简化数学模型,借助数学模型的仿真结果,分析了忆阻器的记忆特性和开关功能。介绍了基于氧化钛纳米薄膜的忆阻器的实际物理原理和工艺实现方法,总结了忆阻器在尺寸、速度、记忆能力和功耗等方面的优异性能。最后,举例说明了忆阻器在开发新一代高密度非易失型存储器和生物模拟领域可以起到的巨大的作用和其诱人的发展前景。 展开更多

关键词 忆阻器 纳米电子器件 数学模型 高密度存储器 突触

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固体纳米电子器件和分子器件 被引量：10

15

作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2002年第4期1-7,共7页

综述了两类纳米电子器件———固体纳米电子器件和分子电子器件的定义、分类方法及特点,并提出发展纳米电子器件的几点建议。

关键词 固体纳米电子器件 分子电子器件 单电子器件 共振隧穿器件

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DNA模板纳米粒子自组装及其在纳米电子器件中的可能应用 被引量：7

16

作者 朱春玲 刘允萍 +1 位作者 黄文浩 陈祖耀 《物理》 CAS 北大核心 2003年第8期515-519,共5页

以生物分子为模板进行的纳米粒子自组装之所以受到人们的广泛关注 ,主要是追求其在纳米电子器件的成功应用 .文章结合近年来国内外研究工作和本实验室小组成员的一些相关工作 ,综述了DNA模板的无机纳米粒子自组装形成有序纳米结构及其... 以生物分子为模板进行的纳米粒子自组装之所以受到人们的广泛关注 ,主要是追求其在纳米电子器件的成功应用 .文章结合近年来国内外研究工作和本实验室小组成员的一些相关工作 ,综述了DNA模板的无机纳米粒子自组装形成有序纳米结构及其在纳米电子器件上应用的研究进展 ,讨论了此种组装技术的局限性并展望其发展前景 . 展开更多

关键词 DNA模板 纳米粒子 自组装 纳米结构 纳米电子器件 生物分子

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共振隧穿二极管的设计和研制 被引量：8

17

作者 王振坤 梁惠来 +3 位作者 郭维廉 牛萍娟 赵振波 辛春艳 《微纳电子技术》 CAS 2002年第7期13-16,共4页

用分子束外延在半绝缘砷化镓上生长两垒一阱结构,制成RTD单管。经过材料生长设计、工艺设计和版图设计几方面的改进,测得最高振荡频率已达54GHz。

关键词 共振隧穿二极管 纳米电子器件 峰谷比 砷化镓 分子束外延

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硅纳米线纳米电子器件及其制备技术 被引量：5

18

作者 裴立宅 唐元洪 +2 位作者 陈扬文 张勇 郭池 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2004年第10期44-47,共4页

硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管... 硅纳米线由于特殊的光学及电学性能如量子限制效应及库仑阻塞效应等,在纳米电子器件的应用方面具有潜在的发展前景。介绍了采用电子束蚀刻技术(EB)、反应性离子蚀刻技术(RIE)、金属有机物化学气相沉积(MOCVD)等制备技术及场效应晶体管、单电子探测器及存储器、双方向电子泵及双重门电路等硅纳米线纳米电子器件的最新进展情况,并对其发展前景作了展望。 展开更多

关键词 电子技术 硅纳米线 综述 纳米电子器件 制备 性能

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纳米电子器件

19

作者 薛增泉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 1998年第6期395-404,共10页

评述了纳米电子器件的理论及应用意义、研究领域和最新进展。

关键词 纳米电子器件 量子线 量子点 单电子晶体管

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碳纳米管室温单电子器件的构建和特性测量

20

作者 彭练矛 陈清 +4 位作者 梁学磊 车仁超 夏洋 薛增泉 吴全德 《物理》 CAS 北大核心 2002年第12期761-763,共3页

利用传统微加工与纳米组装技术构建出了金属颗粒调制的复合碳纳米管场效应及单电子器件 .电子输运性能测量结果表明这类复合碳纳米管电子器件具有一些不同于一般碳纳米单电子器件的独特性能 ,特别是可在室温下实现单电子特性 .

关键词 碳纳米管 室温 单电子器件 构建 特性测量 纳米电子学 纳米电子器件 纳米科技

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