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GaAsFET的表面漏电
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作者 李效白 马农农 侯晓远 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2003年第1期47-52,共6页
GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表... GaAs及其他Ⅲ-Ⅴ族半导体的表面漏电问题一直是人们感兴趣的研究课题,它对化合物半导体器件和电路的性能有重要的影响。Na+沾污GaAs表面使表面漏电大幅度上升,硫钝化GaAs场效应管大幅度减少了表面态。本文详细介绍本研究组在GaAsFET表面漏电的研究进展。 展开更多
关键词 砷化镓场效应管 击穿电压 漏虫 ^na^+沾污 硫钝化
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