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NTDCZSi内吸除技术的研究 被引量：2
1
作者 张维连 徐岳生 李养贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1990年第1期101-105,共5页
利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区.本文探讨了将NTD技术与IG技术相结合的问题,并讨论了NTDCZSi I... 利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区.本文探讨了将NTD技术与IG技术相结合的问题,并讨论了NTDCZSi IG效应机理. 展开更多
关键词 ntdczsi 内吸除技术 IG效应
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NTDCZSi中空位缺陷的退火研究
2
作者 张维连 孙军生 闫淑霞 《河北工业大学学报》 CAS 1996年第4期36-38,共3页
用正电子湮灭寿命谱技术研究了ＮＴＤＣＺＳｉ的辐照损伤退火行为．发现辐照后的ＣＺＳｉ中产生了大量空位型缺陷。随着退火温度升高，这些缺陷不断分解，直到１１００℃仍有极少量空位型缺陷存在。
关键词 中子嬗变掺杂 硅 空位型缺陷 半导体 退火
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NTDCZSi退火过程中新的施主现象
3
作者 张维连 徐岳生 +1 位作者 任丙彦 李养贤 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1991年第2期163-167,共5页
NTDCZ Si在消除辐照损伤的退火过程中.在750～900℃范围内出现了施主现象.用FTIR,四探针,Hall,正电子湮灭等手段研究了NTDCZ Si的退火行为,并对出现的施主现象进行了讨论.
关键词 施主现象 ntdczsi 退火 辐照损伤
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中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除效应
4
作者 张维连 徐岳生 李养贤 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第5期556-560,共5页
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。
关键词 中子嬗变 掺杂 直拉硅 吸除效应
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NTDCZSi中辐照缺陷的电镜观察
5
作者 李养贤 鞠玉林 《电子显微学报》 CAS CSCD 1990年第3期191-191,共1页
利用硅中固有杂质与缺陷的相互作用来改善硅片质量以适应硅器件日趋严格的技术要求,逐步形成了目前的“缺陷工程”的内容,而将直拉硅(czsi)进行中子嬗变掺杂(NTD)不仅解决了掺杂的均匀性问题,且因大剂量中子辐照在czsi中引入大量的辐照... 利用硅中固有杂质与缺陷的相互作用来改善硅片质量以适应硅器件日趋严格的技术要求,逐步形成了目前的“缺陷工程”的内容,而将直拉硅(czsi)进行中子嬗变掺杂(NTD)不仅解决了掺杂的均匀性问题,且因大剂量中子辐照在czsi中引入大量的辐照缺陷并与czsi中氧等杂质的相互作用为缺陷工程增添了新的内容,最近的研究表明,中子辐照能强烈地抑制硅片表面缺陷,促进了硅中氧沉淀,并使czsi中氧沉淀定量控制,定域分布,定型转化。从而可改善器件质量,使器件成品率大大提高,因此对NTDCZSi中辐照缺陷的性质,结构及与硅中杂质的相互作用的研究,无疑对解释NTDCZSi中其它实验事实,对改善VLSI器件的材料性能都会具有十分重要的意义。 展开更多
关键词 ntdczsi 中子辐照 缺陷 电镜 硅片
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