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基于CR302A电容触控式自动电阻测量装置研究
被引量：
1
1
作者
苏宏锋
《电子测量技术》
北大核心
2021年第3期155-159,共5页
针对目前电阻测量仪器采用机械旋转换挡,不支持自动换挡测量与电阻筛选的问题,研制了一种电容触控式自动电阻测量装置。装置以STC12C5A60S2单片机为主控平台,采用GM3400 NMOS场效应管与标准精密电阻组成挡位切换电路,CR302A电容触摸电...
针对目前电阻测量仪器采用机械旋转换挡,不支持自动换挡测量与电阻筛选的问题,研制了一种电容触控式自动电阻测量装置。装置以STC12C5A60S2单片机为主控平台,采用GM3400 NMOS场效应管与标准精密电阻组成挡位切换电路,CR302A电容触摸电路用于系统工作模式与测量参数的设置,LCD12864液晶屏显示电阻测量与电阻筛选结果。为了提高电阻测量精度,提出一种ADC软件补偿算法。试验结果表明,该装置实现了0~10 MΩ范围的电阻自动换挡测量与电阻筛选,电阻测量误差小于0.41%,电阻筛选功能稳定,准确性高。
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关键词
电阻测量
自动换挡
电容触控式
电阻筛选
nmos
场效应管
ADC软件补偿算法
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职称材料
基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
2
作者
周东
张庆东
顾晓峰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期444-447,共4页
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结...
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结构能更有效地提高沟道应变。增加氮化硅薄膜的本征应力、减小应变硅层厚度、适当提高锗组分,均能有效增加硅沟道区的应变量。采用有限元分析进行的模拟研究,可弥补实验测量的不足,为纳米级应变硅器件的设计和制造提供参考。
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关键词
应变硅
绝缘体上锗硅
接触孔刻蚀阻挡层
nmos
场效应管
有限元分析
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职称材料
题名
基于CR302A电容触控式自动电阻测量装置研究
被引量：
1
1
作者
苏宏锋
机构
四川交通职业技术学院
出处
《电子测量技术》
北大核心
2021年第3期155-159,共5页
基金
四川交通职业技术学院科技教育发展基金项目(2020-XY-KJ-05)资助。
文摘
针对目前电阻测量仪器采用机械旋转换挡,不支持自动换挡测量与电阻筛选的问题,研制了一种电容触控式自动电阻测量装置。装置以STC12C5A60S2单片机为主控平台,采用GM3400 NMOS场效应管与标准精密电阻组成挡位切换电路,CR302A电容触摸电路用于系统工作模式与测量参数的设置,LCD12864液晶屏显示电阻测量与电阻筛选结果。为了提高电阻测量精度,提出一种ADC软件补偿算法。试验结果表明,该装置实现了0~10 MΩ范围的电阻自动换挡测量与电阻筛选,电阻测量误差小于0.41%,电阻筛选功能稳定,准确性高。
关键词
电阻测量
自动换挡
电容触控式
电阻筛选
nmos
场效应管
ADC软件补偿算法
Keywords
resistance measurement
automatic switch
capacitive touch
resistance screening
nmos
field effect
ADC software compensation algorithm
分类号
TN98 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
2
作者
周东
张庆东
顾晓峰
机构
江南大学信息工程学院
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期444-447,共4页
基金
教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-06-0484)
教育部留学回国人员科研启动基金(教外司留[2008]890)
文摘
应变硅技术通过在沟道区引入适当的应变,达到提高载流子迁移率、改善MOS器件性能的目的。利用有限元法,研究了一种基于SGOI与氮化硅CESL应变结构的新型应变硅NMOS-FET。结果表明,与采用单一的SGOI或CESL结构相比,两者共同作用下的新结构能更有效地提高沟道应变。增加氮化硅薄膜的本征应力、减小应变硅层厚度、适当提高锗组分,均能有效增加硅沟道区的应变量。采用有限元分析进行的模拟研究,可弥补实验测量的不足,为纳米级应变硅器件的设计和制造提供参考。
关键词
应变硅
绝缘体上锗硅
接触孔刻蚀阻挡层
nmos
场效应管
有限元分析
Keywords
Strained silicon
SGOI
CESL
nmos
FET
Finite element analysis
分类号
TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基于CR302A电容触控式自动电阻测量装置研究
苏宏锋
《电子测量技术》
北大核心
2021
1
下载PDF
职称材料
2
基于SGOI和CESL结构的新型应变硅NMOSFET的有限元研究
周东
张庆东
顾晓峰
《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
2010
0
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职称材料
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