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MoO_3纳米粒子水溶胶的制备与光致变色性质研究 被引量:15
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作者 董晓东 董相廷 +3 位作者 刘俊华 闫景辉 王进贤 洪广言 《稀有金属材料与工程》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2005年第3期421-424,共4页
采用沉淀法制备了MoO3 纳米粒子水溶胶,对制备水溶胶的条件进行了系统地研究。TEM 分析表明,MoO3纳米粒子呈球形,粒径约为60nm, 粒度分布均匀;ED 分析表明,MoO3 纳米粒子为多晶结构。UV-VIS 分析表明,MoO3 纳米粒子水溶胶具有一定的光... 采用沉淀法制备了MoO3 纳米粒子水溶胶,对制备水溶胶的条件进行了系统地研究。TEM 分析表明,MoO3纳米粒子呈球形,粒径约为60nm, 粒度分布均匀;ED 分析表明,MoO3 纳米粒子为多晶结构。UV-VIS 分析表明,MoO3 纳米粒子水溶胶具有一定的光致变色特性。 展开更多
关键词 MO MOO3 纳米粒子 水溶胶 光致变色
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溶胶-凝胶法制备纳米CeO_2 被引量:9
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作者 张环华 李秀珍 +1 位作者 潘湛昌 肖楚民 《精细化工中间体》 CAS 2002年第5期30-31,共2页
以硝酸铈和柠檬酸为原料 ,采用溶胶 凝胶 (sol gel)法制备了纳米CeO2 对反应温度、金属离子与配体的摩尔比、凝胶烘干温度、焙烧温度等制备条件对产物的影响进行了研究。结果表明 ,所得CeO2 粒子为立方晶相系 ,呈球形 ,平均粒径达到纳... 以硝酸铈和柠檬酸为原料 ,采用溶胶 凝胶 (sol gel)法制备了纳米CeO2 对反应温度、金属离子与配体的摩尔比、凝胶烘干温度、焙烧温度等制备条件对产物的影响进行了研究。结果表明 ,所得CeO2 粒子为立方晶相系 ,呈球形 ,平均粒径达到纳米级。并初步对该方法进行了改进 ,采用微波加热的方法可以缩短反应时间 。 展开更多
关键词 溶胶-凝胶法 制备 纳米ceo2 微波加热
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纳米二氧化铈的高压拉曼光谱研究
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作者 张德纯 刘景 +2 位作者 张静 蒋升 刘玉龙 《光散射学报》 北大核心 2010年第3期272-275,共4页
本文利用金刚石对顶砧高压技术,在0.1MPa~47.5GPa压力范围内对粒径为8nm的纳米CeO2进行了高压拉曼光谱研究。研究结果表明,常压下萤石结构的纳米CeO2(空间群Fm3m)在24.3GPa时开始发生萤石结构到PbCl2类型(空间群Pnam)的结构相变。这个... 本文利用金刚石对顶砧高压技术,在0.1MPa~47.5GPa压力范围内对粒径为8nm的纳米CeO2进行了高压拉曼光谱研究。研究结果表明,常压下萤石结构的纳米CeO2(空间群Fm3m)在24.3GPa时开始发生萤石结构到PbCl2类型(空间群Pnam)的结构相变。这个相变为可逆相变,卸压至零压时样品恢复至萤石结构。 展开更多
关键词 高压 相变 纳米ceo2 拉曼光谱
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纳米结构CeO_2薄膜的阳极电沉积及腐蚀行为的研究现状 被引量:4
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作者 李纯 张昭 +1 位作者 张鉴清 曹楚南 《腐蚀科学与防护技术》 CAS CSCD 北大核心 2010年第4期359-362,共4页
综述了暗态和光照条件下纳米结构CeO2薄膜的阳极电沉积工艺和机理的研究现状:在暗态条件下,CeO2薄膜的阳极电沉积过程遵循所谓的"碱化电沉积"机理;在光照的条件下,光生空穴加速了CeO2薄膜的阳极电沉积过程.本文同时指出了目... 综述了暗态和光照条件下纳米结构CeO2薄膜的阳极电沉积工艺和机理的研究现状:在暗态条件下,CeO2薄膜的阳极电沉积过程遵循所谓的"碱化电沉积"机理;在光照的条件下,光生空穴加速了CeO2薄膜的阳极电沉积过程.本文同时指出了目前研究的不足之处:现有研究尚未对纳米结构CeO2薄膜的阳极电沉积行为及其腐蚀机理、电沉积电化学特征与薄膜结构和性能的关系等进行详细的探讨,光生电子对CeO2薄膜生长的影响尚未涉及. 展开更多
关键词 纳米晶ceo2薄膜 阳极电沉积 腐蚀
原文传递
CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应 被引量:4
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作者 王德军 崔毅 +2 位作者 李铁津 董相廷 洪广言 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期1071-1072,共2页
CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应王德军,崔毅,李铁津,董相廷,洪广言(吉林大学化学系,长春,130023)(中国科学院长春应用化学研究所,长春)关键词纳米晶,CeO_2,表面光伏,量子限域纳米材料结构功能特性的研究有... CeO_2纳米晶的光电量子尺寸效应王德军,崔毅,李铁津,董相廷,洪广言(吉林大学化学系,长春,130023)(中国科学院长春应用化学研究所,长春)关键词纳米晶,CeO_2,表面光伏,量子限域纳米材料结构功能特性的研究有着重要的高科技应用背景[1],但有... 展开更多
关键词 纳米晶 量子限域 氧化铈 光伏效应
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