提高FAT文件系统在NAND存储器上可靠性的研究 被引量：6

1

作者 姚堃 张俊涛 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2010年第4期78-81,共4页

提出了一种应用于NAND存储器上提高FAT文件系统可靠性的方法,用非固定存储FAT表与配置自动寻找替换坏块的算法彻底屏蔽了坏块对上层应用的影响,在牺牲一定写入速度的前提下,很好地克服了上述障碍,极大地增强了文件存储的可靠性与稳定性... 提出了一种应用于NAND存储器上提高FAT文件系统可靠性的方法,用非固定存储FAT表与配置自动寻找替换坏块的算法彻底屏蔽了坏块对上层应用的影响,在牺牲一定写入速度的前提下,很好地克服了上述障碍,极大地增强了文件存储的可靠性与稳定性.在工程项目中的应用证明了上述优点,具有很高的推广与应用价值. 展开更多

关键词 FAT文件系统 nand存储器 FLASH

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NAND存储器均衡算法的实现 被引量：2

2

作者 董萍 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2013年第2期53-56,共4页

文中提出了一种可用于NAND存储器的块寿命均衡算法.此算法使用简易日志系统和垃圾块回收机制,以降低极低的写入速度为代价,成功的对NAND存储器的块寿命实现了均衡管理,因而增强了存储器在嵌入式系统中的使用寿命和文件稳定性.本算法经... 文中提出了一种可用于NAND存储器的块寿命均衡算法.此算法使用简易日志系统和垃圾块回收机制,以降低极低的写入速度为代价,成功的对NAND存储器的块寿命实现了均衡管理,因而增强了存储器在嵌入式系统中的使用寿命和文件稳定性.本算法经过基于FAT文件系统的实际测试显示了较好的性能,具有很高的推广与应用价值. 展开更多

关键词 nand存储器 均衡算法 FAT文件系统 FLASH

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基于嵌入式Linux的YAFFS2文件系统研究与改进 被引量：2

3

作者 朱绍英 查启鹏 《计算机工程》 CAS CSCD 北大核心 2015年第9期292-297,302,共7页

YAFFS2文件系统是针对NAND Flash按块擦写特点设计的一种专用Flash文件系统,其存在加载时间长和NAND Flash专用的局限性。为此,从Flash存储器管理和文件管理2个方面分析该系统的设计原理及特性,提出一种新的文件系统信息存储方式,并从... YAFFS2文件系统是针对NAND Flash按块擦写特点设计的一种专用Flash文件系统,其存在加载时间长和NAND Flash专用的局限性。为此,从Flash存储器管理和文件管理2个方面分析该系统的设计原理及特性,提出一种新的文件系统信息存储方式,并从文件系统初始化、垃圾回收、断电保护等方面对YAFFS2文件系统进行改进,减少加载时间,使之能应用于多种Flash存储器。测试结果表明,与原系统相比,改进系统的安装时间减少25%,并可实现Flash各存储扇区的均衡使用。 展开更多

关键词 YAFFS2文件系统 nand存储器 嵌入式LINUX系统 垃圾回收策略 损耗平衡

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一种用于3D NAND存储器的高压生成电路 被引量：1

4

作者 李成 赵野 +2 位作者 苗林 杨林 王乾乾 《微电子学》 CAS 北大核心 2019年第1期97-101,共5页

设计了一种应用于3DNAND存储器的高压生成电路,包括振荡器、时钟生成电路、新型电荷泵及反馈环路。与传统的电荷泵相比,新型电荷泵消除了阈值电压损失与衬底偏置效应,提高了升压效率。通过控制时钟的电压幅度来调节输出电压,减小了输出... 设计了一种应用于3DNAND存储器的高压生成电路,包括振荡器、时钟生成电路、新型电荷泵及反馈环路。与传统的电荷泵相比,新型电荷泵消除了阈值电压损失与衬底偏置效应,提高了升压效率。通过控制时钟的电压幅度来调节输出电压,减小了输出电压纹波。电路在0.32μm CMOS工艺模型下进行了仿真验证。结果表明,在3.3V工作电压下,该电路稳定输出15V的高压,上升时间为3.4μs,纹波大小为82mV,最大升压效率可达到76%。该高压生成电路在各项性能指标之间取得了平衡,其突出的综合性能能满足3DNAND存储器的工作需求。 展开更多

关键词 3D nand存储器 振荡器 时钟生成电路 新型电荷泵

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高速层进式Nand Flash差错控制编码 被引量：1

5

作者 韩可 邓中亮 黄建明 《北京邮电大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第3期71-74,共4页

由于加工工艺的局限性,在Nand存储器(Nand Flash)控制器设计时应具有处理存储数据出错的功能,但是还要保持一定的纠错速度.为解决该问题,在分析常用的差错控制编码(ECC)算法的基础上,提出了一种高速层进式Nand Flash纠错算法,以提高Nand... 由于加工工艺的局限性,在Nand存储器(Nand Flash)控制器设计时应具有处理存储数据出错的功能,但是还要保持一定的纠错速度.为解决该问题,在分析常用的差错控制编码(ECC)算法的基础上,提出了一种高速层进式Nand Flash纠错算法,以提高Nand Flash的读写速度;同时设计了一个可纠4位错的Nand Flash控制器.仿真结果表明,采用该编码可有效减少存储器数据纠错时间. 展开更多

关键词 nand存储器 差错控制编码 Bose-Chaudhuri-Hocquengham

原文传递

NAND Flash坏块管理研究 被引量：20

6

作者 彭兵 步凯 徐欣 《微处理机》 2009年第2期113-115,共3页

在当今数字技术飞速发展的时代,NAND Flash因其非易失性及可擦除性而在数码相机和固态MPEG-4摄像机图像存储及电子硬盘应用方面需求越来越大,也已广泛应用于诸如Apple iPod Nano和SanDisk Sansa等最新媒体播放器的音乐和视频存储。我们... 在当今数字技术飞速发展的时代,NAND Flash因其非易失性及可擦除性而在数码相机和固态MPEG-4摄像机图像存储及电子硬盘应用方面需求越来越大,也已广泛应用于诸如Apple iPod Nano和SanDisk Sansa等最新媒体播放器的音乐和视频存储。我们主要研究了NAND Flash中坏块出现的原因,对坏块进行了分类,并且提出了相应的管理方案。 展开更多

关键词 nand型存储器 坏块 坏块管理

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基于LVDS的高速数据存储系统优化设计 被引量：5

7

作者 程洪涛 赵冬青 +2 位作者 储成群 袁小康 杨文豪 《实验室研究与探索》 CAS 北大核心 2018年第5期74-77,99,共5页

针对数据存储系统数据写入速率较低、不能与遥测系统的数据传输速率相匹配及数据回收读数存在回收速率慢、传输距离不足等问题,提出了采用LVDS接口及NAND FLASH的高速存储系统设计方案。系统以FPGA作为控制核心,采用双平面交替编程、流... 针对数据存储系统数据写入速率较低、不能与遥测系统的数据传输速率相匹配及数据回收读数存在回收速率慢、传输距离不足等问题,提出了采用LVDS接口及NAND FLASH的高速存储系统设计方案。系统以FPGA作为控制核心,采用双平面交替编程、流水线式操作方式提高数据写入速率;采用LVDS高速数据接口替代传统的并行数据回收读数接口,并配合数据均衡器及驱动器解决回收读数速率低及传输距离不足的问题;对命令识别方式及数据写入时序控制进行了优化设计。经试验验证,优化后的数据存储系统写入速率可以达到60 MB/s,可以满足数据实时高速存储的要求,数据回收方便,性能稳定、可靠。 展开更多

关键词 nand-flash存储器 现场可控门阵列 LVDS接口 高速存储

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基于NAND Flash存储器的硬件汉字字库的研究

8

作者 刘杰 黄廷磊 梁海 《仪表技术》 2007年第8期50-52,共3页

介绍使用NAND Flash存储器开发汉字字库的方法,克服了使用传统Flash存储器接口复杂、占用IO口较多的缺点,又可以获得良好的读写速度,而且还可应用于其他语言字库、图标库的存储,因此,对嵌入式开发具有现实意义。

关键词 字库 存储器 nand闪存存储器

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S3C44BOX开发板的USB设备接口实现方案

9

作者 张龙 李波 《可编程控制器与工厂自动化（PLC FA）》 2005年第12期101-103,共3页

本文介绍了将S3C44BOX开发板扩展为海量存储类设备的具体思路,并结合分析在硬件和软件上给出了具体的可行性方案。

关键词 S3C44BOX nand-Flash存储器 Bulk-Only传输 UFI命令 USB接口

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NAND型Flash存储器总剂量效应实验研究 被引量：6

10

作者 盛江坤 邱孟通 +5 位作者 姚志斌 何宝平 黄绍艳 刘敏波 肖志刚 王祖军 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第8期1502-1507,共6页

针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺... 针对镁光公司的4种NAND型Flash存储器,开展了不同辐照偏置下的总剂量效应实验及不同工艺尺寸器件的静态加电辐照实验。实验结果表明,器件在静态加电和动态辐照偏置下的总剂量效应相似,而与不加电辐照偏置下的总剂量效应不同。不同工艺尺寸器件的敏感参数有相同的变化趋势,由于受其他因素的综合影响,各敏感参数并不随工艺尺寸单调变化。 展开更多

关键词 nand型Flash存储器 总剂量效应 辐照偏置 工艺尺寸

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NAND快闪存储器“三明治”可支持高性能应用

11

作者 Gary Evan Jensen 《今日电子》 2003年第2期2-2,共1页

关键词 nand快闪存储器 M-Systems公司 东芝

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