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高效率N掺杂有机电致发光器件的研制 被引量:4
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作者 于瑶瑶 喻叶 +2 位作者 林雯嫣 吴志军 林薇 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第3期315-321,共7页
为了改善有机电致发光器件的性能,利用Cs N_3作为N掺杂剂,以B3PYPPM为电子传输材料,制备了基于绿色磷光材料Ir(ppy)_3的高效率有机电致发光器件。针对不同N掺杂浓度和掺杂厚度的器件进行研究,最终得到最佳N掺杂器件B,器件结构为ITO/HAT-... 为了改善有机电致发光器件的性能,利用Cs N_3作为N掺杂剂,以B3PYPPM为电子传输材料,制备了基于绿色磷光材料Ir(ppy)_3的高效率有机电致发光器件。针对不同N掺杂浓度和掺杂厚度的器件进行研究,最终得到最佳N掺杂器件B,器件结构为ITO/HAT-CN(5 nm)/TAPC(70 nm)/TCTA∶Ir(ppy)_3(15%,20nm)/B3PYPPM(17 nm)/B3PYPPM∶Cs N_3(10%,63 nm)/Al。实验结果表明,浓度与厚度适当的N掺杂器件能有效提高器件的电流效率和功率效率。Cs N_3作为一种高效的N掺杂剂,与电子传输材料B3PYPPM掺杂后,有效地降低了电子的注入势垒,增加了电子注入,提高了电子迁移率,改善了电子的注入和传输能力,使载流子更加平衡,从而降低了器件的开启电压和驱动电压,有效地提高了电流效率和功率效率。最佳N掺杂器件B开启电压仅为2.1 V,最大电流效率和功率效率分别为67.0 cd/A、91.1 lm/W。值得注意的是,在1 000 cd/m^2亮度下,最佳N掺杂器件B的功率效率仍能达到80.1 lm/W。 展开更多
关键词 Csn3 B3PYPPM n掺杂剂 电流效率 功率效率
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Suppressing Competitive Coordination Reaction for Ohmic Cathode Contact Using Amino-Substituted Organic Ligands and Air-Stable Metals 被引量:1
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作者 Yang Lu Ziyang Liu +6 位作者 Yuewei Zhang Chen Zhang Jinbei Wei Zhengyang Bin Xuewen Wang Dongdong Zhang Lian Duan 《CCS Chemistry》 CAS 2021年第12期367-376,共10页
Ohmic cathode contact can be formed readily via coordination-activated n-doping(CAN),by co-evaporating air-stable metals(e.g.,silver)and organic ligands with coordination sites.It has been proposed that increasing the... Ohmic cathode contact can be formed readily via coordination-activated n-doping(CAN),by co-evaporating air-stable metals(e.g.,silver)and organic ligands with coordination sites.It has been proposed that increasing the nucleophilicity of the main binding site of a ligand is essential for reducing the work function of the doped films. 展开更多
关键词 n-dopant PHEnAnTHROLInE coordination ohmic contact inactive metals
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Deep Eutectic Solvent-assisted Synthesis of Nitrogen-doped Carbon Quantum Dots for Cell Imaging
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作者 LI Long HUANG Yan +2 位作者 ZHAO Pei MIAO Haochi ZHAO Ting 《Chemical Research in Chinese Universities》 SCIE CAS CSCD 2020年第5期955-961,共7页
Carbon quantum dots(CQDs)are widely used in fluorescence imaging due to their negligible toxicity,low-cost and excellent Huorescence properties.The fluorescence properties of CQDs are greatly a fleeted by the synthesi... Carbon quantum dots(CQDs)are widely used in fluorescence imaging due to their negligible toxicity,low-cost and excellent Huorescence properties.The fluorescence properties of CQDs are greatly a fleeted by the synthesis method,passivation agent and reaction media.In this study,the nitrogen-doped CQDs(N-CQDs)were synthesized by a facile microwave-assisted method with citric acid(CA)as a carbon source and deep eutectic solvents as a N-dopaiit as well as the reaction solvent.After detailed characterizations,the as-prepared N-CQDs exliibited near spherical morphology with an average size of(2.64±0.55)nm.Besides,the abundant hydrophilic limctional groups including hydroxyl,carboxyl,amine and quaternary-ammonium were present on the surface of the N-CQDs.TheN-CQDs displayed the excitation-dependent fluorescence feature under the excitation wavelength of 350—80 nm.Moreover,the N-CQDs could be efficiently uptaken by RAW264.7 cells and emitted bright green light.Meanwhile,the resultant N-CQDs showed the low cytotoxicity in living cells,suggesting the great potential in bio-imaging applications. 展开更多
关键词 n-dopant carbon quantum dot MICROWAVE Deep eutectic solvent Green light emission Cell imaging
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利用CsN_3n型掺杂电子传输层改善OLED器件性能的研究 被引量:2
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作者 于瑶瑶 陈星明 +2 位作者 金玉 吴志军 陈燕 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期773-777,共5页
为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用CsN_3作为n型掺杂剂,对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂,制备了结构为ITO/MoO_3(2nm)/NPB(50nm)/Alq_3(30nm)/Bphen(15nm)/Bphen∶CsN_3(15nm,x%,x=1... 为了能够有效地提高电子的注入和传输能力,改善有机电致发光器件的性能,本文利用CsN_3作为n型掺杂剂,对有机电子传输材料Bphen进行n型电学掺杂,制备了结构为ITO/MoO_3(2nm)/NPB(50nm)/Alq_3(30nm)/Bphen(15nm)/Bphen∶CsN_3(15nm,x%,x=10,15,20)/Al(100nm)的器件。实验结果表明,CsN_3是一种有效的n型掺杂剂,以掺杂层Bphen∶CsN_3作为电子传输层,可以有效地降低电子的注入势垒,改善器件的电子注入和传输能力,从而降低器件的开启电压,同时提高了器件的亮度和发光效率。在掺杂浓度为10%时器件的性能最优,开启电压仅为2.3V,在7.2V的驱动电压下,达到最大亮度29 060cd/m^2,是非掺杂器件的2.5倍以上。当驱动电压为6.6V时,达到最大电流效率3.27cd/A。而当掺杂浓度进一步提高时,由于Cs扩散严重,发光区形成淬灭中心,造成器件的效率下降。 展开更多
关键词 Csn3 n型掺杂 有机电致发光器件 电流效率
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