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磁控溅射Y薄膜对钆中N、O含量的影响 被引量:1
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作者 李里 李国玲 +1 位作者 韩丽辉 李星国 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第17期17034-17035,17039,共3页
在钆表面磁控溅射Y薄膜后真空退火,使Gd基体中的N、O等间隙杂质扩散到Y薄膜中进而去除基体金属中N、O等气体杂质。该方法对去除间隙杂质效果明显,钆中N、O浓度显著降低,钆中O、N浓度分别由1.87×10-4和9.7×10-5降为5.5×10... 在钆表面磁控溅射Y薄膜后真空退火,使Gd基体中的N、O等间隙杂质扩散到Y薄膜中进而去除基体金属中N、O等气体杂质。该方法对去除间隙杂质效果明显,钆中N、O浓度显著降低,钆中O、N浓度分别由1.87×10-4和9.7×10-5降为5.5×10-5,3.3×10-5。具体除杂量与其初始浓度和退火温度及时间有关,所得高纯钆用氧氮分析仪测量O含量,并对实验过程及结果进行讨论。 展开更多
关键词 磁控溅射 Y no含量
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质子非卢瑟福背散射测量气溶胶样品中氢、碳、氮和氧的含量 被引量:2
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作者 王广甫 鲁永芳 朱光华 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期628-632,共5页
气溶胶样品中Z>12以上元素含量的质子荧光(PIXE)分析是北京师范大学GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补PIXE无法分析H、C、N和O等轻元素之不足,在PIXE靶室160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子非卢瑟福背散射分析(PN... 气溶胶样品中Z>12以上元素含量的质子荧光(PIXE)分析是北京师范大学GIC4117串列加速器的主要应用领域之一。为弥补PIXE无法分析H、C、N和O等轻元素之不足,在PIXE靶室160°散射角安装金硅面垒探测器,用质子非卢瑟福背散射分析(PNBS)方法对核孔膜采集的气溶胶样品中H、C、N和O等轻元素的含量进行测量。测量得到的气溶胶样品中H和Si元素含量与质子前角散射(PESA)和PIXE的分析结果相近,表明PNBS可用于核孔膜采集的气溶胶样品的分析。 展开更多
关键词 质子 非卢瑟福背散射 气溶胶 H C no含量
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应用色谱法分析测试SF_6气体纯度 被引量:1
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作者 吴奇宝 江桂英 《电气技术》 2013年第12期124-126,共3页
论述了SF6气体纯度检测的必要性及目的,通过实例检测,说明应用现有变压器油色谱分析仪检测出SF6气体中的N2和O2组分含量,从而估算SF6气体纯度方法的可行性,对基层开展SF6气体纯度的检测不失为一种有益的补充,具有很高的实际应用价值。
关键词 变压器油色谱分析仪 SF6气体纯度 n2、o2组分含量
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