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连续灰度铁电液晶器件制备
被引量：
5
1
作者
乌日娜
李静
+2 位作者
张然
邹忠飞
宣丽
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期1689-1692,共4页
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了...
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了器件形成不同分子层排列结构及呈现“V”字形和半“V”字形电光特性的原因.
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关键词
铁电液晶
^
^
n
^＊-
sc
^＊
相变
电压
“V”字形
半“V”字形
灰度
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职称材料
具有半“V”字型特性的铁电液晶显示器件制备
被引量：
3
2
作者
冯亚云
任娇燕
凌志华
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期191-194,共4页
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过在N*-Sc*相变时施加直流电压,得到了半"V"字型的电光特性曲线,可以实现连续灰度;同时解决了表面稳定铁电液晶中存在的液晶层倾斜方向不惟一的缺陷,获得了无缺陷排列取向的铁电液晶器件。该器件...
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过在N*-Sc*相变时施加直流电压,得到了半"V"字型的电光特性曲线,可以实现连续灰度;同时解决了表面稳定铁电液晶中存在的液晶层倾斜方向不惟一的缺陷,获得了无缺陷排列取向的铁电液晶器件。该器件具有较低的饱和电压3.2V,静态对比度达196∶1,上升时间和下降时间分别是526μs和424μs。
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关键词
铁电液晶
^
^
n
^＊-
sc
^＊相变点
连续灰度
表面稳定
半“V”字型
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职称材料
半“V”字形铁电液晶器件的制备
3
作者
李静
邹忠飞
+1 位作者
唐先柱
宣丽
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期225-229,共5页
实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能...
实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能良好的器件.采用N*-Sc*相变施加4V/μm直流电压,制备半"V"字形铁电液晶器件,经测试器件饱和电压为5V,对比度为112.8,上升时间和下降时间分别为622.14μs和374.7μs.
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关键词
^
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n
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sc
^＊序列相铁电液晶
直流电压强度
半“V”字形
铁电液晶分子偏转角
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职称材料
电场对N^＊-Sc^＊相变序铁电液晶器件层排列的影响
4
作者
乌日娜
岱钦
+2 位作者
姚丽双
彭增辉
宣丽
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期916-918,共3页
N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD。控制分子层排列是获得良好器件性能的关键。深入分析了电场对分子层排列的影响,提出了分子层排...
N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD。控制分子层排列是获得良好器件性能的关键。深入分析了电场对分子层排列的影响,提出了分子层排列模型,为提高器件性能提供了有益的参考。
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关键词
铁电液晶
^
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n
^＊-
sc
^＊相变
层排列
下载PDF
职称材料
N^＊Sc^＊相变铁电液晶的排列
被引量：
12
5
作者
乌日娜
彭增辉
+1 位作者
鲁兴海
宣丽
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第6期427-430,共4页
N Sc 铁电液晶由于具备自发极化值较小、能够实现灰度、快速响应等特点,能够满足场序全彩色显示的要求,近年来倍受关注。采用传统的摩擦取向的方法,通过在N Sc 相变时施加10V直流电压,得到了没有SA相铁电液晶的均匀排列。并且获得了半...
N Sc 铁电液晶由于具备自发极化值较小、能够实现灰度、快速响应等特点,能够满足场序全彩色显示的要求,近年来倍受关注。采用传统的摩擦取向的方法,通过在N Sc 相变时施加10V直流电压,得到了没有SA相铁电液晶的均匀排列。并且获得了半"V"字型的电光特性。分析了摩擦强度和相变时施加的电压对获得均匀排列的影响。
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关键词
铁电液晶
^
^
n
^＊
sc
^＊相变
半“V”字型
摩擦强度
DC电压
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职称材料
题名
连续灰度铁电液晶器件制备
被引量：
5
1
作者
乌日娜
李静
张然
邹忠飞
宣丽
机构
长春理工大学材料科学与工程学院
应用光学国家重点实验室中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第11期1689-1692,共4页
基金
国家自然科学基金(50473040)
吉林省科委基金(20020603)资助
文摘
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过控制在N*-Sc*相变时施加电压的频率和幅值,制备了不同分子层排列结构的器件,获得了“V”字形和半“V”字形的电光特性曲线,从而可以实现连续灰度.根据铁电液晶自发偶极矩与电场力矩的相互作用原理,分析了器件形成不同分子层排列结构及呈现“V”字形和半“V”字形电光特性的原因.
关键词
铁电液晶
^
^
n
^＊-
sc
^＊
相变
电压
“V”字形
半“V”字形
灰度
Keywords
Ferroelectric liquid crystal
^
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n
Voltage
V-shaped Switchi
n
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Half V-shaped switchi
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Gray
sc
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分类号
O753.2 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
具有半“V”字型特性的铁电液晶显示器件制备
被引量：
3
2
作者
冯亚云
任娇燕
凌志华
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期191-194,共4页
基金
国家“973”项目(No.2003CB314704)
文摘
采用N*-Sc*序列相铁电液晶,通过在N*-Sc*相变时施加直流电压,得到了半"V"字型的电光特性曲线,可以实现连续灰度;同时解决了表面稳定铁电液晶中存在的液晶层倾斜方向不惟一的缺陷,获得了无缺陷排列取向的铁电液晶器件。该器件具有较低的饱和电压3.2V,静态对比度达196∶1,上升时间和下降时间分别是526μs和424μs。
关键词
铁电液晶
^
^
n
^＊-
sc
^＊相变点
连续灰度
表面稳定
半“V”字型
Keywords
ferroelectric liquid crystal
^
^
n
^＊ -
sc
^＊ phase tra
n
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n
uous gray-
sc
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surface stabilizedl half ＂V＂-shaped switchi
n
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分类号
TN873.93 [电子电信—信息与通信工程]
下载PDF
职称材料
题名
半“V”字形铁电液晶器件的制备
3
作者
李静
邹忠飞
唐先柱
宣丽
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
出处
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第2期225-229,共5页
基金
国家自然科学基金(60277033,50473040,19974046,59973020)
吉林省科委基金(20020603)资助
文摘
实验研究了N*-Sc*相变时施加直流电压的强度对铁电液晶分子层排列和电光性能的影响,由此筛选了合适的直流电压强度,并研制了可实现连续灰度级的半"V"字形铁电液晶样品.实验说明N*-Sc*相变时施加直流电压强度大有利于获得性能良好的器件.采用N*-Sc*相变施加4V/μm直流电压,制备半"V"字形铁电液晶器件,经测试器件饱和电压为5V,对比度为112.8,上升时间和下降时间分别为622.14μs和374.7μs.
关键词
^
^
n
^＊-
sc
^＊序列相铁电液晶
直流电压强度
半“V”字形
铁电液晶分子偏转角
Keywords
^
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n
ce ferroelectric liquid crystal
Amplitude of DC voltage
Half V-shaped switchi
n
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Appare
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t tilt a
n
gle of ferroelectric liquid crystal
分类号
TN141 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
电场对N^＊-Sc^＊相变序铁电液晶器件层排列的影响
4
作者
乌日娜
岱钦
姚丽双
彭增辉
宣丽
机构
沈阳理工大学理学院
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2008年第6期916-918,共3页
基金
国家自然科学基金项目(50473040,60578035)
吉林省教育厅基金项目(JYT200601)
文摘
N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD。控制分子层排列是获得良好器件性能的关键。深入分析了电场对分子层排列的影响,提出了分子层排列模型,为提高器件性能提供了有益的参考。
关键词
铁电液晶
^
^
n
^＊-
sc
^＊相变
层排列
Keywords
ferroeleetric liquid crystal
^
^
n
^＊-
sc
^＊ phase tra
n
sitio
n
layer alig
n
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n
t
分类号
O753 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
N^＊Sc^＊相变铁电液晶的排列
被引量：
12
5
作者
乌日娜
彭增辉
鲁兴海
宣丽
机构
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所应用光学国家重点实验室
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004年第6期427-430,共4页
基金
国家自然科学基金资助项目(No.59973020
60277033)
+2 种基金
吉林省科委基金资助项目(No.20010579
20020603)
中国科学院青年基金资助项目(No.Q03M22Z)
文摘
N Sc 铁电液晶由于具备自发极化值较小、能够实现灰度、快速响应等特点,能够满足场序全彩色显示的要求,近年来倍受关注。采用传统的摩擦取向的方法,通过在N Sc 相变时施加10V直流电压,得到了没有SA相铁电液晶的均匀排列。并且获得了半"V"字型的电光特性。分析了摩擦强度和相变时施加的电压对获得均匀排列的影响。
关键词
铁电液晶
^
^
n
^＊
sc
^＊相变
半“V”字型
摩擦强度
DC电压
Keywords
ferroelectric liquid crystal
n
~*-
sc
~* phase tra
n
sitio
n
half “V”-shaped switchi
n
g
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n
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n
gths
DC voltage
分类号
O753.2 [理学—晶体学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
连续灰度铁电液晶器件制备
乌日娜
李静
张然
邹忠飞
宣丽
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
下载PDF
职称材料
2
具有半“V”字型特性的铁电液晶显示器件制备
冯亚云
任娇燕
凌志华
《液晶与显示》
CAS
CSCD
北大核心
2008
3
下载PDF
职称材料
3
半“V”字形铁电液晶器件的制备
李静
邹忠飞
唐先柱
宣丽
《光子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
4
电场对N^＊-Sc^＊相变序铁电液晶器件层排列的影响
乌日娜
岱钦
姚丽双
彭增辉
宣丽
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
2008
0
下载PDF
职称材料
5
N^＊Sc^＊相变铁电液晶的排列
乌日娜
彭增辉
鲁兴海
宣丽
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2004
12
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职称材料
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